头条 技术突破加速实用容错量子计算机面世 在人类探索计算极限的漫长征途中，一场静默却深刻的革命正在悄然酝酿。就在数年前，学界普遍认为，真正能破解复杂化学反应、革新材料科学乃至颠覆现代加密体系的“实用容错量子计算机”，仍需等待数十年之久。然而，随着技术突飞猛进，这一曾经遥不可及的梦想，正加速向我们走来。几年前，如果有人提出“量子计算在十年内将迎来实用突破”，这样的说法很可能会被轻易否定。如今，这种预期正成为新常态。图为牛津离子公司的量子计算机芯片。 最新资讯 2024年10月全球半导体销售额达569亿美元 12月6日消息，据美国半导体产业协会（SIA）最新公布数据显示，今年10月全球半导体销售额达569亿美元，较9月增长2.8%，再创新高，较去年同期增长22.1%。 发表于：2024/12/6 2024年汽车半导体行业收入将面临下降 TechInsights的最新报告预测，2024年汽车半导体行业的收入将面临短缺，原因是Tier 1和OEM客户正在消化2020年至2022年积累的库存。此外，2023年下半年电动汽车需求的放缓也将在2024年进一步加剧，影响整个汽车行业。尽管长期趋势看，汽车半导体需求依然存在，但2024年的早期收入预测显示，增幅将趋于平缓，直至2025年才能恢复增长。从英飞凌、恩智浦、意法半导体、德州仪器、瑞萨电子、安森美半导体、博世、ADI等模拟芯片大厂近期业绩来看，受新能源汽车产销量不及预期影响，相关企业业绩仍然在低谷徘徊，汽车芯片市场疲软局势依旧。 发表于：2024/12/6 我国首枚可回收火箭朱雀三号有望明年运营 12 月 5 日消息，据央视新闻报道，今年 9 月，朱雀三号火箭完成 10 公里级垂直起降飞行试验。朱雀三号预计明年下半年发射，有望成为中国第一枚投入运营的可回收运载火箭。蓝箭航天创始人张昌武在《鲁健访谈》中介绍，2030 年前后能实现两级重复使用火箭的工程落地。 发表于：2024/12/6 鸿海科技发力布局护理机器人领域 12 月 5 日消息，鸿海科技集团 B 事业群暨数字健康总经理姜志雄今天表示，集团正在依循「3+3」核心战略展开相关规划，布局护理机器人产品。 他强调，「护理机器人」正是鸿海董事长刘扬伟的重要布局，希望藉此整合 AI 技术，帮助护工及医护人员解决机械性工作问题，但一切尚处于规划当中，暂时还无法对外透露太多细节。 发表于：2024/12/6 苹果OLED屏幕路线图曝光 12 月 6 日消息，根据市场调查机构 Omdia 公布新产品路线图，苹果计划在 2026 年起，为 iPad mini、iPad Air 和 MacBook Air 等产品线推进搭载 OLED 屏幕。 发表于：2024/12/6 消息称Intel正寻求外部空降CEO 基辛格突然退休 Intel正寻求外部空降CEO！候选人包括陈立武、Marvell CEO等 发表于：2024/12/5 Marvell推出业界首款3nm制程PAM4光学DSP芯片Ara 12 月 4 日消息，Marvell 美满电子美国当地时间昨日宣布推出业界首款 3nm 制程 PAM4 光学 DSP 芯片 Ara。该芯片可将 1.6Tbps 高速光模块的功耗降低 20% 以上，不仅降低了运行成本还能在受限功耗下满足 AI 工作负载对高性能光通信的需求。 发表于：2024/12/5 国内首款磁阳极霍尔电推进产品成功在轨应用 12月4日消息，据“中国航天科技集团”官微发文，由中国航天科技集团有限公司六院801所研制的国内首款磁阳极霍尔推力器在国际上实现首次飞行应用。 11月18日～11月20日，磁阳极霍尔电推进产品完成首次在轨点火运行，产品工作正常、稳定，各项遥测参数均在设计范围，在轨测定性能与地面标定数据一致，满足总体要求。本次成功在轨飞行，有力支撑了该型产品的后续应用。 发表于：2024/12/5 恩智浦计划为客户建立一条中国芯片供应链 12月4日消息，今天，荷兰半导体企业恩智浦与中国台湾合作伙伴世界先进的VSMC合资公司，在新加坡动工兴建一家12英寸（300mm）晶圆厂。 恩智浦执行副总裁Andy Micallef在仪式上透露，恩智浦还在努力寻找一种方式来服务那些需要中国产能的客户，“我们将建立一条中国供应链”。 Micallef表示，中国是世界上最大的电动汽车和电信市场，恩智浦在试图找到一种方式，为那些需要在中国境内生产能力的客户提供服务。 式成立。 发表于：2024/12/5 三星将推出400+层第10代V-NAND 12月4日消息，据Tom's hardware报道，三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。 报道称，三星的第10代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元 3 位）架构，每个芯片的容量为1Tb（128 GB）。三星声称其新的超400层 3D TLC NAND Flash的存储密度为 28 Gb/mm²，仅略低于三星的1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存储密度为 28.5 Gb/mm²，是目前世界上存储密度最高的NAND Flash。 发表于：2024/12/5 <…144145146147148149150151152153…>
