头条 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 最新资讯 风靡全球的黑莓手机真的要消失了吗？TCL宣布今年8月底停售 BlackBerry Mobile（黑莓移动）今日在Twitter上宣布，TCL将于2020年8月31日停售黑莓手机。这意味着一个时代的结束。BlackBerry Mobile称，我们很遗憾地告诉大家，从2020年8月31日起，TCL通信将不再销售黑莓品牌的移动设备。届时，TCL通信将无权设计、制造或销售任何新的黑莓移动设备。 发表于：2020/2/6 7nm的AMD R3移动处理器跑分曝光 在1月份的CES 上，AMD 发布了7nm工艺的U系列移动处理器，其中R7两款，分别为8C8T和8C16T，R5也有两款分别为6C6T和6C12T。除此之外，AMD 还发布了一款R3 4300U，4C4T，现在这款处理器的跑分也曝光了。 发表于：2020/2/6 武汉疫情并没有打垮中国存储器厂的节奏 针对武汉疫情对全球内存产业的影响，DRAMeXchange调查指出，位于中国境内的DRAM与NAND Flash工厂，目前没有任何产线有部分或全面的停线。这意味着，即便疫情“来势迅猛”但短期之内生产数量不会受到影响。加上第一季合约价已议定完成，因此集邦咨询仍维持DRAM与NAND Flash合约价第一季小幅上涨的预估。 发表于：2020/2/6 机器人也要助力这场防疫站—机甲战士闪亮登场 科学技术的发展，让我们在面对这次疫情时展现出史无前例的能力。我们看到10天建成火神山医院、无人机和测温仪在防疫工作中的应用，甚至轮式机器人也开始在医院协助医护人员开展工作。 发表于：2020/2/6 技术文章—PCB EMC设计的关键因素 除了元器件的选择和电路设计之外，良好的印制电路板（PCB）设计在电磁兼容性中也是一个非常重要的因素。PCB EMC设计的关键，是尽可能减小回流面积，让回流路径按照设计的方向流动。最常见返回电流问题来自于参考平面的裂缝、变换参考平面层、以及流经连接器的信号。跨接电容器或是去耦合电容器可能可以解决一些问题，但是必需要考虑到电容器、过孔、焊盘以及布线的总体阻抗。本讲将从PCB的分层策略、布局技巧和布线规则三个方面，介绍EMC的PCB设计技术。 发表于：2020/2/6 3D NAND又有新突破，铠侠BiCS FLASH 堆叠112层，容量提高20% 全球第二大NAND 型快闪记忆体（Flash Memory）厂商铠侠（Kioxia，旧称东芝记忆体）采用3D 架构的NAND Flash「BiCS FLASH」有新一代产品现身，堆叠112 层、记忆容量将较现行96 层产品提高2 成。 发表于：2020/2/6 是德科技与Silicon Labs联手简化时序解决方案的验证 是德科技与Silicon Labs合作，结合双方产品技术优势，旨在简化对时序解决方案的验证工作，这些时序解决方案对于无线通信，高速数字，医学成像和汽车应用的系统级设计的开发至关重要。 发表于：2020/2/6 Black Hat告诉你在WiFi技术中的漏洞有哪些 Black Hat是全球领先的信息安全事件提供者，宣布即将在3月31日至4月3日于新加坡滨海湾金沙举行的Black Hat亚洲活动的简报会要点。Black Hat Asia提供了一个沉浸式的项目，包括基于研究的简报、实践培训、由领先解决方案提供商组成的商务厅，以及一系列涵盖所有信息安全级别的特殊项目。 发表于：2020/2/6 TDK全新紧凑型电容器出炉，具有超高纹波电流能力 TDK 株式会社（东京证券交易所股票代码：6762）推出螺钉式的全新B43707 *和 B43727 *系 列爱普科斯 (EPCOS) 铝电解电容器。新系列电容器的额定工作电压为 400 V DC 至 450 V DC，电容范围为 1800 µF 至18,000 µF。此外，电容器具有超高CV值，尺寸非常紧凑，仅为 51.6 mm x 80.7 mm 至 76.9 mm x 220.7 mm（直径 x 高），具体视电容和电压而定。 发表于：2020/2/6 3nm、5nm制程：复杂且昂贵的争夺战（一） 半导体工艺在进入14nm/16nm制程之后，最经常被提到就是鳍式场效应晶体管(FinFET)，它的出现满足了7nm至14nm之间的工艺制造。不过在进入更小的5nm、甚至3nm之后，FinFET工艺已经难以满足半导体芯片的制造需求，业界也在对新一代晶体管进行研究。 发表于：2020/2/6 <…1927192819291930193119321933193419351936…>
