头条 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 最新资讯 余承东回应美国运营商变卦事件 今天华为在美国拉斯维加斯CES消费电子展上推出了旗舰Mate 10 Pro，华为消费者业务CEO余承东花了约1个小时介绍了Mate 10 Pro的各个亮点。 发表于：2018/1/11 CES 2018：手机OR笔记本 雷蛇的新概念很疯狂 当前，智能手机制造商们一直在扩展智能机功能上动脑筋，雷蛇另辟蹊径，在近日的CES上就为我们带来一款惊艳的手机笔记本。 发表于：2018/1/11 中国手机厂商反对博通与高通合并 担心芯片提价 据国外媒体报道，中国两家大型智能手机制造商OPPO与vivo表示，反对博通（Broadcom）和高通公司（Qualcomm）的潜在合并交易，原因是担心该交易会挤压智能手机制造商的利润率，而令大型全球竞争对手受益。 发表于：2018/1/11 英特尔芯片漏洞影响几何 近期曝出的英特尔芯片存安全漏洞事件因波及范围广而备受关注。那么，此次事件除了影响英特尔公司业绩外，还会造成怎样的影响？ 发表于：2018/1/11 Intel终于曝出10nm：明年大规模量产 三星/台积电都已经量产10nm工艺，AMD也即将全面采用GlobalFoundries 7nm，但是作为半导体行业巨头，Intel 10nm工艺却一直没有出来，早些年的Tick-Tock架构/工艺逐渐交替升级之路也慢了下来。 发表于：2018/1/11 “芯片门”持续发酵 哪家企业会掀翻英特尔 目前，英特尔的产品几乎渗透进所有人的现实生活中，此次芯片漏洞涉及的数据安全更是牵动着所有业内业外群众的心，面临着三星、AMD等后起之秀的崛起，英特尔的未来似乎并不明朗。 发表于：2018/1/11 一种低温漂高电源抑制比带隙基准源的设计 在传统的电流模电压基准结构下，基于一阶补偿后的电压基准输出特性，设计了一个简单的高、低温补偿电路，在宽的温度范围内(-50~150 ℃)，显著提高了电压基准的精度。同时，对电路进行简单的改进，输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真，在1.5 V的电源电压下，PSRR为-83.6 dB，温度系数为2.27 ppm/℃。 发表于：2018/1/11 开挂的中国速度！全球最强芯！史上最炫开场！CES2018一文打尽爆款 一年一度的“科技界春晚”CES又在拉斯维加斯拉开帷幕，今年的展会时间为美国时间1月9号到12号。然而早在开幕之前，来自全球的几大玩家就已开始摩拳擦掌，英伟达、百度、英特尔等在各自发布会上透露了一波又一波的新品及黑科技，这些“预览”已让这届CES的科技含量水涨船高。开幕半日，CES现场又有哪些精彩不容错过呢？ 发表于：2018/1/10 埋入式基板中传输线间串扰问题研究 选取埋入式基板中的传输线宽度、传输线厚度、传输线耦合长度、耦合间距和基板介电常数5个参数作为关键因素，建立了五因素四水平16种参数水平的正交实验表，进行了极差分析。结果表明：传输线间耦合间距对串扰影响最大，其次是传输线耦合长度，而基板介电常数、传输线宽度和传输线厚度对串扰影响较小；最优参数组合是W4T4S4L1D1，即传输线宽度15 mil，传输线厚度70 μm，传输线间耦合间距2 mm，耦合长度5 mm，介电常数4.3。 发表于：2018/1/10 联发科去年营收大减13.54%，外资看好其能卷土重来 手机晶片联发科昨日公布12月营收，达186.52亿元，月减10.06%，年减12.65%，创下近7月新低，第4季营收为604亿元，较第3季下滑5%，符合法说预期，去年全年营收为2382亿元，较前年下滑13.54%。 发表于：2018/1/10 <…3148314931503151315231533154315531563157…>
