中文引用格式： 杜泽保，孔小雪，王晓庆，等. L频段双通道高集成度变频SiP模块设计[J]. 电子技术应用，2026，52(1)：48-52.
英文引用格式： Du Zebao，Kong Xiaoxue，Wang Xiaoqing，et al. Design of L-band dual channel high integration frequency conversion SiP Module[J]. Application of Electronic Technique，2026，52(1)：48-52.
引言
在当前电子装备向多功能化、高性能化、轻量化和小型化发展的趋势下，传统分立式硬件架构已难以满足日益增长的系统需求，微系统技术成为实现这一目标的必然选择。其中，SiP（System in Package,系统级封装）作为微系统领域的核心技术手段，通过将不同功能、不同工艺实现的有源器件（数字电路、射频电路、模拟电路等）、无源元件（电阻、电容、电感等）以及MEMS电路等异质集成于单一封装体内，形成一个具备完整功能的子系统或系统级标准封装件。与SoC（System on Chip,片上系统）相比，SiP技术具有研发投入低、迭代周期短、异质集成能力强等显著优势，能够充分发挥不同工艺器件的性能特点，实现系统综合性能的最优化，特别适合多品种、小批量的定制化应用场景。
在射频领域，射频SiP模块通过高密度互连、嵌入式无源元件、先进封装工艺等技术，将射频前端（如低噪声放大器、功放、滤波器、开关）、控制电路（如微控制器、电源调制器）等关键部件高度集成，其核心功能在于实现射频信号的高效处理（如变频、调制/解调）、滤波、放大和低损耗传输，同时兼顾尺寸微型化和性能。常见的射频SiP模块包括变频模块[1-3]、频率源（乒乓环、点频源等）[4-6]、多通道T/R组件[7-9]、封装天线[10-12]等，广泛应用于通信、卫星导航、雷达、电子对抗等领域。在封装形式上，射频SiP通常采用QFN（Quad Flat No-lead，四面扁平无引脚）、BGA（Ball Grid Array，球栅阵列）等紧凑型表贴封装，以支持高密度PCB组装，并进一步集成到更复杂的电子系统中，满足现代装备对高性能、轻量化、小型化的严苛需求。
本文介绍了一种L频段双通道变频SiP模块。该模块实现L频段的一次下变频功能，除了集成低噪声放大、数控衰减、滤波器、混频器、锁相环、微控制器等，还集成了高PSRR（Power Supply Rejection Ratio,电源纹波抑制比）线性稳压器为锁相环等供电敏感器件提供高质量电源。通过链路计算、合理布局、关键线路电磁仿真、基板应力仿真等，最终实现该SiP模块，经过相关测试验证，完全满足设计要求。
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作者信息：
杜泽保1，2，孔小雪2，王晓庆2，张树鹏2
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2.北京华龙通科技有限公司，北京 100084）
