工业自动化最新文章 数字示波器模拟输入带宽测试方法研究 分析了数字示波器带宽的概念，研究分析两种示波器带宽测试方法。搭建示波器带宽测试专用硬件平台，并实现了自动化测试。测试了指定示波器产品的带宽，使用提出的方法得到对应的波特图，验证了方法的可行性。该硬件平台和自动化测试方法不仅适用于示波器带宽测试，而且适用于各类数据采集产品的模拟输入带宽测试。 发表于：1/20/2025 适用于超声电机驱动器的双H桥电路设计 超声电机作为新型电机，其电机驱动器的设计至关重要。基于0.18 μm高压CMOS工艺设计了一款适用于超声电机驱动器的双H桥集成电路，本集成电路包含两个相同的独立裸芯，搭配简单的外围电路能够实现两路不同相位电压的输出。同时，内部集成了逻辑控制模块可兼容TTL、CMOS两种输入电平，集成自适应死区控制可避免同一桥臂直通。最后，通过验证板实测可满足100 kHz的两路不同相位电压的输出，可完成对超声电机的有效驱动。 发表于：1/20/2025 一种基于AHB总线DMA控制器验证方法 针对传统芯片验证平台验证用例复用性差、验证时间长的问题，提出了一种基于AHB总线DMA控制器验证方法。通过该方法修改优化的验证平台可移植性高，具有模拟联动IP产生请求、回复与中断信号的功能，支持在传输中对AHB总线随机注入错误的能力。为证明方法的有效性，对DMA控制器UVM验证平台架构进行修改优化，并复用该平台构建Image2D控制器UVM验证平台，分别收集两个验证平台代码覆盖率。实验结果表明，该方法能够提高验证平台调试排错速度，提升验证平台兼容性，节约15%以上的验证开发时间，并保证验证平台代码覆盖率为100%。 发表于：1/20/2025 SerDes链路协同仿真与无源链路优化设计 随着SerDes链路信号传输速率的提升，信道链路经过芯片封装和印刷电路板过孔、AC电容和连接器等，会导致信号完整性（Signal Integrity， SI）挑战进一步增大。提出基于SerDes 32 Gbps-NRZ信道传输系统，优化无源信道中的BGA过孔、AC耦合电容焊盘、FMC连接器（FPGA Mezzanine Card Connector）处Pin脚设计，提升了通道阻抗的一致性，建立了更为准确的无源链路通道模型，并结合芯片有源IBIS-AMI模型，对比分析优化前后链路信道对眼图的影响，保证了32 Gbps-NRZ高速信号的稳定传输。 发表于：1/20/2025 基于ERNIE-CAB-CNN的稀土专利文本分类模型 针对稀土专利文本专业性强的特点以及现有的文本分类方法存在的不足，鉴于类别注意力在计算机视觉领域的广泛应用和取得的良好效果，提出了一种用于文本分类的类别注意力模块（Category Attention Module，CAB），并结合预训练模型ERNIE和卷积神经网络（Convolutional Neural Networks，CNN）构建了一个用于稀土专利文本分类的创新模型ERNIE-CAB-CNN。模型使用ERNIE对专利文本进行向量化，得到语义信息更加丰富的向量表示后，通过CAB为文本中各个类别的重要特征赋予较高权值，使模型可以更准确地区分不同类别的特征。最后用CNN进一步提取文本中其他关键局部特征，得到的最终文本向量表示用于分类。通过Patsnap专利数据库官方网站检索下载稀土专利数据构建数据集进行实验，实验结果表明，稀土专利文本分类模型ERNIE-CAB-CNN在测试集上分类的准确率、精确率、F1分数分别为82.68％、83.2％、82.06％，取得了良好的分类效果。 发表于：1/20/2025 基于动态自适应计算引擎的MobileNetV3网络加速器设计 现有面向高效轻量化MobileNetV3网络的加速方法通常采用高度定制的计算引擎进行模型计算，从而限制了加速器的可扩展性使其仅适用于小型网络或资源丰富的硬件平台。针对此问题，提出了基于动态自适应计算引擎的MobileNetV3网络加速器。首先，设计了局部感知区域卷积的流水线推理架构实现特征、权重的高度并行处理和缓冲调度。其次，提出全局自适应的点卷积方法优化点卷积，并结合空间探索获得最优的参数配置以实现最大计算并行性。此外，加速器可以根据模型参数变化动态配置以适应不同场景。实验结果显示加速器推理速度为8 F/s，是现有方法速度的2.7倍。 发表于：1/20/2025 我国专家成功当选国际电工委员会核仪器仪表技术委员会主席 1 月 20 日消息，据央视新闻今日援引国家标准委消息，经国际电工委员会（IEC）相关技术委员会及 IEC 标准化管理局两轮投票选举，近日，来自我国中核集团的专家肖晨当选国际电工委员会核仪器仪表技术委员会（IEC / TC 45）主席。 发表于：1/20/2025 力积电将携手台积电开发六层晶圆堆叠技术 1月20日消息，业内传闻显示，晶圆代工厂商力积电在AI制程关键中介层技术方面获得了台积电认证，将协同台积电打入英伟达、AMD等AI巨头供应链，并携手台积电完成开发四层晶圆堆叠（WoW）技术，现正迈入难度更高的六层晶圆堆叠，技术比三星更强，有望抓住AI商机，推动业绩增长。 发表于：1/20/2025 传台积电将再建两座CoWoS先进封装厂 1月20日消息，据台媒《经济日报》报道称，为应对旺盛的CoWoS先进封装产能需求，传闻台积电计划在南科三期再盖两座CoWoS新厂，投资金额估逾新台币2,000亿元。如果再加上台积电正在嘉科园区建设的CoWoS新厂，业界预期，台积电短期内总计将扩充八座CoWoS厂，其中，南科至少有六座，以实际扩产行动回应此前的CoWoS砍单传闻。 发表于：1/20/2025 美国商务部宣布投资14亿美元支持四个先进封装项目 当地时间1月17日消息，美国商务部宣布，“芯片法案”国家先进封装制造计划 （NAPMP） 已敲定 14 亿美元的奖励资金，以加强美国在先进封装领域的领导地位，并使新技术得到验证并大规模过渡到美国制造。这些奖项将有助于建立一个自给自足、大批量的国内先进封装行业，其中先进节点芯片在美国制造和封装。 发表于：1/20/2025 SK海力士有望2月启动业界最先进1c nm制程DRAM量产 1 月 17 日消息，韩媒 MT（注：全称 MoneyToday）当地时间今日报道称，SK 海力士近日已成功完成内存业界最先进 1c 纳米制程 DRAM 的批量产品认证，连续多个以 25 块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求。 SK 海力士有望在完成量产交接手续后于 2 月初正式启动 1c 纳米 DRAM 量产。 发表于：1/20/2025 台积电确认已在美国大规模生产4nm芯片 1 月 18 日消息，据外媒 Tom's Hardware 报道，台积电确认其美国亚利桑那州的 Fab 21 晶圆厂在 2024 年第四季度已开始进入大批量生产 4nm 工艺（N4P）工艺芯片。 发表于：1/20/2025 全国首条AMOLED用第8.6代金属掩膜版生产线开建 1 月 19 日消息，据“湖北工信”消息，1 月 13 日，第 8.6 代金属掩膜版生产线项目在黄石经济技术开发区开工。现场，中国科学院院士欧阳钟灿介绍，作为全球首批、全国首条第 8.6 代金属掩膜版生产线，项目将填补国内产业链空白。 发表于：1/20/2025 美国商务部宣布向ADI等提供2.464亿美元补贴 美国商务部宣布向ADI/Coherent/IntelliEPI/Sumika提供2.464亿美元补贴 发表于：1/20/2025 日本2024年度芯片设备销售额首度突破4万亿日元 中国大陆及AI需求旺盛，日本2024年度芯片设备销售额首度突破4万亿日元 发表于：1/20/2025 «…108109110111112113114115116117…»
