EDA与制造相关文章 三星电子HBM3E内存性能未满足英伟达要求 12 月 11 日消息，韩媒 hankooki 当地时间昨日表示，三星电子由于 8 层、12 层堆叠 HBM3E 内存样品性能未达英伟达要求，难以在今年内正式启动向这家大客户的供应，实际供货将落到 2025 年。 报道表示，三星电子早在 2023 年 10 月就开始向英伟达供应 HBM3E 内存的质量测试样品，但一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。 发表于：12/12/2024 IBM与Rapidus展示多阈值电压GAA晶体管合作研发成果 12 月 12 日消息，据 IBM 官方当地时间 9 日博客，IBM 和日本先进芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压 GAA 晶体管研发成果，这些技术突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量产。 IBM 表示，先进制程升级至 2nm 后，晶体管的结构由使用多年的 FinFET（IT之家注：鳍式场效应晶体管）转为 GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管），这对制程迭代带来了新的挑战：如何实现多阈值电压（Multi Vt）从而让芯片以较低电压执行复杂计算。 发表于：12/12/2024 传美国将在圣诞节前推出对华AI芯片限制新规 12月11日消息，在本月初美国将140加中国半导体相关企业列入了实体清单，并升级对EDA、半导体设备、HBM限制之后，业内又传出消息称，美国商务部工业暨安全局（BIS）将会在今年圣诞节之前，发布新的人工智能（AI）管制规则，有可能将进一步限制AI芯片的对华出口。 消息称，美国BIS目前已将相关限制规则的内容提交给了相关机构审查，按照之前的经验，审查时间大约耗时一周，所以预计公布的时间可能将会在下周，也就是在圣诞节之前。该限制规则可能与此前台积电对中国大陆AI芯片企业暂停7nm及以下先进制程代工服务有关。 根据之前的爆料显示，中国厂商设计的芯片如果die size大于300mm²、晶体管数量大于300亿颗、使用先进封装和HBM，主要用于AI训练，台积电等有采用美国技术的海外晶圆代工厂都将禁止提供代工服务。 发表于：12/12/2024 英飞凌CEO：将在中国生产芯片 12月11日消息，据《日经亚洲》报道，德国芯片大厂英飞凌CEO Jochen Hanebeck近日在接受采访时透露，英飞凌正在将商品级产品的生产本地化，以寻求与中国买家保持密切联系。 发表于：12/12/2024 泛林介绍世界首款半导体制造设备维护专用协作机器人 12 月 11 日消息，Lam Research 泛林集团当地时间昨日对其打造的世界首款专为半导体制造设备维护打造的协作机器人（注：Collaborative Robot）Dextro 进行了介绍，并表示该型机器人已获全球多家先进晶圆厂应用。 发表于：12/12/2024 魏少军建议应大力发展不依赖先进工艺的芯片设计技术 12月11日消息，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军今日表示，应大力发展不依赖先进工艺的芯片设计技术。 “伴随着外部先进加工资源对我国芯片设计企业关闭，中国芯片设计企业所能使用的制造技术不再像之前那样丰富，需要在技术创新上关注不依赖先进工艺的设计技术。” 发表于：12/12/2024 消息称三星电子启动下代1c nm DRAM内存量产设备订购 12 月 11 日消息，韩媒 ZDNet 当地时间 9 日援引行业报告表示，三星电子已于近日启动下代 1c nm 制程 DRAM 内存量产所需设备的采购，从 Lam Research 泛林集团等主要半导体设备制造商购买的设备将于明年 2 月左右引进至量产线。 三星电子目前尚未官宣 1c nm（注：第 6 代 10nm 级制程）DRAM。报道指出三星电子的 1c nm 目前处于试产状态，已得到首批 Good Die 良品晶粒，其首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂。 发表于：12/11/2024 台积电创始人谈Intel失败原因 12月11日消息，随着CEO帕特·基辛格下课，Intel目前面临后继无人的状态。在真正寻找到能带领其重回巅峰的领导人之前，其未来前途可谓迷雾重重。 发表于：12/11/2024 美国商务部已向美光科技提供61亿美元资金 12 月 11 日消息，美国商务部周二表示，作为2022 年《芯片和科学法案》的一部分，美光科技已获得高达 61.65 亿美元（注：当前约 448.07 亿元人民币）的拨款，用于在美国制造半导体。 发表于：12/11/2024 台积电11月营收同比增长34% 12月10日，晶圆代工大厂台积电公布了2024年11月营收数据，当月营收金额为新台币2760.58亿元，环比减少12.2%，同比增长34.0%。累计前11个月营收约新台币26161.45亿元，同比增长31.8%。 发表于：12/11/2024 台积电2nm工艺继续涨价 12月9日消息，据媒体报道，台积电在新竹宝山工厂开始2nm试产，其良率达到了60%，超越台积电内部预期，除了宝山工厂外，明年上半年台积电还计划在高雄工厂开展2nm试产工作。 发表于：12/10/2024 三星完成400层NAND Flash开发 12月9日消息，根据韩国媒体BusinessKorea报道称，三星电子在其半导体研究所中已经成功完成了突破性400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有望领先已经宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。 发表于：12/10/2024 通用PC DRAM内存价格暴跌35.7% 12月9日消息，据韩国媒体报道，市场研究公司DRAMeXchange最新报告显示，截至2024年11月底，通用PC DRAM产品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易价格已跌至1.35美元。 发表于：12/10/2024 海信否认3万人大裁员传闻 12月10日消息，据报道，网络平台近日有传言称，海信集团正面临大规模裁员，员工数量从十一万人减少至八万人，裁员数量高达三万人。 海信方面回应：目前网络流传的关于海信裁员的相关数据信息，均为不实猜测。对一些媒体和自媒体通过刻意夸张裁员数量和比例“博流量”的恶劣行为，海信将通过法律途径追究其相关责任。 发表于：12/10/2024 英伟达是否会成为第二个Qorvo 英伟达是否会成为第二个Qorvo？美国5G射频芯片公司亏损，是美国半导体产业链第一个倒下骨牌！ 发表于：12/10/2024 «…99100101102103104105106107108…»
