头条 我国科学家造出可编程三维光子神经网络 将可编程光子神经网络写进玻璃内部,是不是听上去有些科幻?科学家近期的一项研究证明,这条路不仅跑通了,而且规模越大优势越明显。近期,华中科技大学张新亮教授、董建绩教授与上海交通大学唐豪教授团队联合提出了一种可编程光子计算的新范式。他们开发了新架构 LAMP(Lantern-shaped Adaptive Multilayer Photonic network),意为灯笼形自适应多层光子网络。 最新资讯 机载大屏幕显示器高速通信系统设计 传统低速航空总线已无法满足机载座舱大屏幕显示器高速数据通信的应用需求。针对此现状,提出了一种基于MPC8548E的高速总线通信系统。该系统以MPC8548E为核心,采用PCIE总线,通过PES12T3G2交换机扩展出2个接口,连接高速航空总线模块,实现了显示器与其他机载设备的高速数据交互;采用RapidIO总线,通过TSI578交换机扩展出3个端口,将显示器内部模块组网,实现了背板总线快速通信。经验证,本通信系统具有传输数据带宽大、传输速率快等优点,完全能够满足机载座舱大屏幕显示器外部和内部数据实时通信的应用需求。 发表于:2015/2/10 2014年全球半导体销售额创新高较上年成长9.9% 世界半导体贸易组织(WSTS)的最新统计数据显示,全球半导体产业在2014年达到了3358亿美元的创纪录销售业绩,较2013年成长9.9%。其中DRAM表现最佳,年度销售额较前一年成长了34.7%。2014年总销售量达7664亿颗,较2013年成长8.6%;2014年ASP为0.438美元,较2013年成长1.2%。 发表于:2015/2/10 NAND闪存下一步指向3D架构14纳米 存储是电子产品中最重要的部分之一,它与数据相伴而生,哪里有数据,哪里就会需要存储芯片。近年来,存储芯片行业热点话题不断:3D NAND的生产制造进展情况如何?LPDDR4在市场上的应用进程是怎样的?移动产品中eMCP将成为主流封装形式吗?存储技术发展的路径或许会争论不休,但是整体方面却不会改变,那就是更大的容量、更高的密度、更快的存储速度、更加节能以及更低的成本。 发表于:2015/2/10 2015中国半导体市场年会暨中国集成电路产业创新大会将开 2015年中国半导体市场年会暨第四届中国集成电路产业创新大会”将于3月26日,在合肥市召开。本次年会由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院(赛迪集团)与合肥市人民政府主办,赛迪顾问股份有限公司、合肥市发展和改革委员会、合肥高新技术产业开发区管委会及中国电子报社共同承办,将以“把脉市场牵引契机,推进产业跨越发展”为主题,聚焦移动互联与半导体应用创新、智能能源与半导体应用创新、产业整合与合作创新等热点议题,广邀国家行业主管部门、地方政府、国内外行业组织、国内外知名半导体厂商、产业链上下游企业、专业科研院所、知名投资机构等,就行业热点和焦点问题进行深入分析与广泛讨论,为产业的持续快速发展提供有力的智力支持。 发表于:2015/2/10 集成电路芯片项目在沧州高新区签约 总投资60亿元的沧州高新区8英寸集成电路芯片制造项目日前正式签约。 发表于:2015/2/10 电价优势VS技术升级 多晶硅企业生死较量 2014年,我国多晶硅产量达到13.2万吨,同比增长57%;产能利用率大幅提升,达到84.6%;行业集中度进一步较高,前10家产量占比达到91%,前5家达到77%。在企业加紧复产扩产、产品价格稳中有降的当下,多晶硅的生产成本,已经不仅仅关乎企业下一步的市场拓展,更将直接决定其生死存亡。一场关于多晶硅生产成本的博弈就此展开。 发表于:2015/2/10 发改委向高通开出近10亿美元反垄断罚单 北京时间2月10日早间消息 高通公司周一发表声明表示,中国国家发改委裁定中公司违反该国反垄断法。高通不打算对这一裁定提出异议,将支付9.75亿美元的罚金,并为其手机芯片设定专利授权费用。 发表于:2015/2/10 北京:全国IC高地 谋跨越发展 “集成电路产业是现代工业的‘粮食’、信息产业的基石和电子产品的‘心脏’,体现了当今世界知识经济、绿色经济的发展潮流,代表了未来科技和产业发展方向,符合首都城市战略定位,对北京适应和引领经济发展新常态、加快培育新的经济增长点具有十分重要的作用。”北京市经信委相关负责人在接受《中国电子报》记者采访时如是说。 发表于:2015/2/10 Proteus仿真51单片机C语言程序实例-用6264扩展内存 发表于:2015/2/10 意法半导体(ST)推出闪存容量高达512KB的STM32F3微控制器,大幅提升系统集成度 意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 的STM32F3系列微控制器再添新产品,满足市场对高性能、创新功能和价格实惠的需求。新微控制器的片上存储容量增至512KB闪存 (Flash) 以及80KB静态随机存取记忆体 (SRAM),并集成丰富的外设接口,其中包括电机高转速控制器及片外 (off-chip) 存储器接口。 发表于:2015/2/10 <…2321232223232324232523262327232823292330…>