英飞凌推出集成诊断功能的智能电源开关，增强24V工业设备的可靠性

英飞凌推出集成诊断功能的智能电源开关，增强24V工业设备的可靠性

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出面向24V工业控制和自动化应用的第二代ISOFACE™隔离8通道高边开关。新款ISO2H823V集成了诸多诊断功能，可以清楚地看见设备状态，从而有助于缩短成本不菲的设备停机时间。该器件将工业控制器的低压控制侧元件与直接连接至车间设备的输出设备隔离开来。

发表于：2012/11/13 下午4:40:31

Dialog半导体推出电源管理芯片

Dialog半导体推出电源管理芯片

电源管理、音频和近距离无线高集成度技术供应商Dialog半导体有限公司（FWB:DLG）日前宣布：推出其面向ARM四核和双核应用处理器的最强大、最高集成度的可配置电源管理芯片（PMIC）。

发表于：2012/11/13 下午4:37:04

Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器

Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。新器件集成了关断电路，因此不需要外部的关断元件和副边供电电源。新的MOSFET驱动器极大降低了配置成本和PCB空间，并提高了整体的系统可靠性和性能。

发表于：2012/11/13 下午4:36:39

凌力尔特推出高压降压型DC/DC控制器

凌力尔特推出高压降压型DC/DC控制器

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高压降压型DC/DC控制器LTC3864，该器件在待机模式中仅吸收40µA的静态电流，且输出在突发模式(BurstMode)操作中被使能。

发表于：2012/11/13 下午4:35:24

德州仪器推出AFE5809超声波模拟前端

德州仪器推出AFE5809超声波模拟前端

日前，德州仪器(TI)宣布推出首款集成数字I/Q解调及抽取功能的模拟前端(AFE)，可降低超声波系统与超声波应用（诸如声纳与非破坏性测试等）对FPGA处理的要求。

发表于：2012/11/13 上午12:00:00

安森美推出有源扩频时钟产生器IC，用于降低便携设备EMI

安森美推出有源扩频时钟产生器IC，用于降低便携设备EMI

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的有源扩频时钟产生器集成电路(IC)P3P8203A，管理时钟源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)，为所有依赖于时钟的信号在系统范围内降低EMI。

发表于：2012/11/13 上午12:00:00

英飞凌推出最新600V P6产品系列， 进一步壮大其市场领先的CoolMOS™产品阵营，树立新的性价比标杆

英飞凌推出最新600V P6产品系列， 进一步壮大其市场领先的CoolMOS™产品阵营，树立新的性价比标杆

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了旨在提升系统效率同时兼顾易于使用的最新600V CoolMOS™P6产品系列。该产品系列弥合了专注于提供极致性能的技术（CoolMOS™CP）与强调易于使用的技术（如CoolMOS™C6或E6）之间的鸿沟。P6产品可在诸如服务器、通信设备的整流器、台式机电源和电子游戏机等应用的硬开关和软开关PFC（功率因数校正）和PWM（脉宽调制）拓扑中实现出色性能。此外，得益于其细化的产品组合，CoolMOS™P6产品系列的性价比在当前市场上的所有超级结技术的产品中罕有其匹。

发表于：2012/11/12 下午4:16:14

安森美半导体推出有源扩频时钟产生器IC，用于降低便携、消费及计算应用的电磁干扰

安森美半导体推出有源扩频时钟产生器IC，用于降低便携、消费及计算应用的电磁干扰

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的有源扩频时钟产生器集成电路(IC)，管理时钟源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)，为所有依赖于时钟的信号在系统范围内降低EMI。

发表于：2012/11/12 下午4:06:14

IDT 推出业界最低功率 DDR3 - 1866 内存缓冲芯片用于高性能 LRDIMM 应用

IDT 推出业界最低功率 DDR3 - 1866 内存缓冲芯片用于高性能 LRDIMM 应用

IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出业界首款低功率DDR3 内存缓冲芯片，可在高达 1866 兆/秒 (MT/s) 的传输速率下运行。通过提升 DDR3 减少负载双列直插内存模块(LRDIMM) 的最高数据传输速率，并使系统制造商获益于更高速度的内存容量，新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。IDT 的内存缓冲芯片是用于服务器、工作站和存储应用的先进内存子系统的关键组件。

发表于：2012/11/12 下午4:04:06

Silicon Labs推出相对湿度单芯片传感器

Silicon Labs推出相对湿度单芯片传感器

高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories（芯科实验室有限公司, NASDAQ: SLAB）今日宣布推出数字相对湿度（RH）和温度“片上传感器”解决方案。新型Si7005传感器通过在标准CMOS基础上融合混合信号IC制造技术，并采用经过验证的聚合物绝缘膜测量湿度的技术，提高当前RF传感器工艺水平。Si7005传感器是监视或控制湿度及温度应用的理想选择，包括汽车空调控制和除雾、采暖通风与空调（HVAC）、制冷、气象观测站、食品加工、印刷、资产跟踪以及医疗器械，包括：雾化器、制氧机、呼吸治疗装置等。

发表于：2012/11/12 下午2:58:46