新品快递 IR全新600V IGBT提供更高功率密度和效率 适合电机驱动应用 全球功率半导体和管理方案领导厂商– 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，适合在10kHz以下工作的电机驱动应用，包括冰箱和空调的压缩机。 发表于：2012/9/4 下午2:00:54 Microsemi新型封装技术实现小型化可植入医疗器材 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布，其新芯片封装技术已经通过特别针对有源可植入医疗器材的内部认证制度，包含符合MIL-STD-883测试标准的热和机械应力。该芯片封装技术瞄准可植入医疗器材，如心脏起搏器和心脏除颤器；还可用于佩带式医疗设备，如助听器和智能配线，以及神经刺激器和药物递送产品。 发表于：2012/9/4 下午1:59:51 Moxa工业级光纤转换器，让PROFIBUS的通讯延长毫不费力！ Moxa推出一款工业级PROFIBUS转光纤转换器——ICF-1180I系列。ICF-1180I系列采用了多种创新设计，让工业网络中PROFIBUS转光纤的传输变得更为简单。自动波特率检测，可避免手工配置而引发的配置错误；总线故障安全功能，可最大限度地减少设备维护。ICF-1180I系列实现了远程PROFIBUS网络的长距离传输，通过光纤连接实现长距离传输和抗此电磁干扰的功能。 发表于：2012/9/4 上午11:21:24 西门子在中国推出模块化节能变频器 8月30日，西门子工业业务领域驱动技术集团在中国推出了专为泵、风机和压缩机应用设计的新型模块化变频器Sinamics G120P。这款紧凑型变频器有助于楼宇自动化、过程工业和水务管理行业中的物料流设备实现节能运行。Sinamics G120P 具有IP55 和IP20防护等级，可在恶劣的环境条件下使用。 发表于：2012/9/4 上午9:44:54 圣邦推出支持锂电池过压检测功能的过压保护器件SGM4062 圣邦微电子（SG MICRO）于2012年推出过压保护芯片SGM4062。该产品具有锂电池过压检测功能、启动过流保护功能。SGM4062过压保护电压典型值为6.8V。当输入电压高于6.8V时，过压保护功能（OVP）启动，自动断开电路以保护系统安全。 发表于：2012/9/3 下午2:55:50 圣邦推出支持OVP功能线性锂电池充电管理芯片SGM4056 圣邦微电子（SG Micro）于2012年推出支持OVP功能单节锂电池线性充电管理芯片SGM4056。该产品具有耐高输入电压、过温、过流保护、过压保护、内置充电流程控制等特点。 发表于：2012/9/3 下午2:51:24 圣邦推出支持10-LED串联背光驱动SGM3727、SGM3729 圣邦微电子（SG MICRO）于2012年推出串联LED驱动SGM3727和SGM3729。该系列产品作为圣邦微电子高压串联LED驱动，工作电压为2.8V ~ 5.0V，最高支持38V输出，可驱动多串多并LED灯珠，内部开关限流1.0A。 发表于：2012/9/3 下午2:50:09 圣邦推出业界极低功耗可编程复位时间电压监测芯片 SGM800、SGM802、SGM804 圣邦微电子（SG MICRO）2011年四季度推出极低功耗可调复位时间电压监测芯片SGM800、SGM802、SGM804。该系列产品输入电压范围在1.6V ~ 5V，静态工作电流低至3μA, 涵盖以下电压监测点：1.63V，2.32V，2.63V，2.93V。SGM800支持Open-Drain输出，SGM802、SGM804支持Push-Pull输出，可供工程师根据系统电源设计进行选择。 发表于：2012/9/3 下午2:07:37 安捷伦推出 14 款FieldFox 手持式分析仪 2012 年8 月31 日，北京——安捷伦科技公司（NYSE：A）日前宣布推出14 款FieldFox 手持式分析仪，可在现场测试环境中提供与台式仪器媲美的精度。该系列分析仪包括：FieldFox 微波分析仪、FieldFox 微波矢量网络分析仪、FieldFox 微波频谱分析仪等。FieldFox 系列分析仪针对恶劣条件和难以触及的测量位置而设计，覆盖了卫星通信、微波回程、军用通信、雷达系统和许多其它应用。 发表于：2012/9/3 上午9:20:06 Vishay发布新款高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新系列适用于高温钻井和航空应用的高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列---PRAHT。新的PRAHT四电阻网络的工作温度为-55℃～+215℃，最高存储温度为+230℃，是业内首个采用薄膜技术制造的电阻阵列。 发表于：2012/8/31 下午5:08:42 <…635636637638639640641642643644…>
