微波射频相关文章 光纤预制棒技术及发展趋势[详讲] 2011年4月18日消息，目前，已形成光纤光缆全球性大发展的良好气候，美国KMI公司预测， 今后10年，全球光纤光缆需求将持续增长，为适应全球光纤光缆需求的增长，国际上各大光纤生产厂商正进行新一轮的扩产，同时，国内光纤产业的发展势头也很强劲，有的光纤生产企业正在扩产，还将新建几个大型光纤厂。这里，技术路线的选择是很重要的。 发表于：4/18/2011 晶圆代工可能很快出现大规模供过于求 据多家市场分析机构指出，今年下半年起，晶圆代工可能面临供过于求情况。 发表于：4/18/2011 闪存芯片迎春 20nm制程技术完全解析 近日IDF2011大会圆满闭幕，但是就在会后时隔1个工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研发成功。对于整个闪存乃至半导体产业的刺激巨大。而在日本311之后，整个闪存产业经历了巨大的惊涛风波之后，现在恢复的如何？下面就且听小编我一一道来。 发表于：4/18/2011 支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器设计 先对ONFI标准进行了介绍，然后再设计了一种支持ONFI2．1标准源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括状态机的设计，接口的设计等。对设计中遇到的源同步模式下，信号的对齐问题进行了说明，并提出了一种解决方法。同时设计中还会遇到数据跨时钟域传输的问题，本文也给出了解决办法。最后仿真和综合结果表明，本文的设计完全满足标准要求，具有实际的使用价值。 发表于：4/16/2011 Vishay精密电阻阵列使电子电路稳定和小型化 本文将介绍薄膜芯片电阻阵列如何积极地影响电路的电气稳定，同时减少需要的面积。以分压器作为例子，我们将在文章中解释相对参数“容差匹配”和“TCR跟踪”，并讨论电阻阵列的温度行为。此外，这篇文章还会展示如何在生产过程中控制电阻的容差和温度系数。 发表于：4/15/2011 利用模拟开关实现T1/E1/J1的N+1冗余 具有多端口T1/E1/J1线卡的现代通信系统通过增加冗余来满足电信网络的高可用性要求。过去，这些系统曾经用继电器来实现N＋1冗余切换。随着每个线卡上的T1/E1/J1端口数和每个系统内的线卡数的增加，继电器方案不再可行，因为它们要占用大量的板上空间和供率。设计者正在用模拟开关代替继电器。 发表于：4/15/2011 Vishay发布三款采用小尺寸封装的高性能单通道和双通道负载开关 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V电压下工作的单通道和双通道2A负载开关--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低开关导通电阻能够提高效率，150μs的典型受控软启动斜率能够限制涌入电流，使受控的启动过程更加平滑，从而将开关噪声降至最小。 发表于：4/14/2011 电容爆炸的原因及处理方法 我曾经在400V开关室使用了PGJ1-5型无功功率补偿屏，屏内装有BCMJ型并联电容器10只，每只额定输出16kVar，额定电压0.4kV，额定电流25A，温度类别-25℃/45℃接法。 发表于：4/14/2011 智慧手机和平板助攻 行动DRAM声势看涨 在智慧型手机和媒体平板装置的带动下，行动DRAM（Mobile DRAM）需求也随之水涨船高，包括低功耗DRAM和虚拟DRAM（Pseudo SRAM）的声势正不断看涨。 发表于：4/14/2011 IDF2011:Hynix与下一代内存技术趋势 由英特尔主办的全球IT界高水平的技术论坛活动--2011英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)，于4月12至13日在北京国家会议中心举行。这是2007年以来连续第5个年度IDF在中国首发。本届IDF以"智无界，芯跨越"(Compute Continuum and Beyond)为主题，将进一步展示英特尔如何通过从硬件、平台到软件和服务全面的计算解决方案，推进个性化互联网发展;同时面向中国市场如何支持本地合作伙伴创新，助力新一代信息技术等战略性新兴产业发展。 发表于：4/14/2011 四月DRAM价格攀升 厂商产能转往Flash及DDR3 根据DRAMeXchange调查，四月上旬DDR3合约价再度呈现价格上扬的趋势，DDR3 2GB均价自17美元上涨至18美元(2Gb $2.03)，涨幅约5.88%，DDR3 4GB均价亦上涨至35美元(2Gb $2.03)，涨幅约在6.1%，从市场面来观察，由于日本东北大地震影响下，DRAM厂掀起硅晶圆抢料作战，硅晶圆厂也释出手上库存来满足产业需求，加上DRAM厂普遍都有一个月以上的库存量来看，目前维持正常投片的能见度可至第二季末，但长期来看，如果硅晶圆大厂如信越化学及SUMCO不能在近期恢复正常运作，DRAM供应炼受到冲击势必在未来将陆续浮现，加上近期传出部份DRAM厂在40nm制程良率出现问题，供货不顺下更加深PC-OEM厂对于DRAM厂未来是否能供货稳定度增添疑虑，部份PC-OEM厂决定拉高库存水位，需求转趋积极下，跟DRAM厂议定合约价时亦接受较高的价格，也是让四月上旬合约价攀升的主要原因。 发表于：4/14/2011 Vishay荣获TTI Asia的优秀供应商奖 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd荣获TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的优秀供应商奖。Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子器件制造商之一，TTI是全球领先的授权分销商，专门从事无源、连接器、机电产品和分立器件的分销。 发表于：4/13/2011 硅晶圆缺货依旧 DRAM合约价成功调涨 在硅晶圆缺货阴霾未能完全消退下，个人计算机(PC)大厂补货需求提前启动，4月DRAM合约价涨声响起，让DRAM业者吃下定心丸，估计4月上旬平均涨幅约6%，而南亚科依据不同客户区分，单月涨幅落在5~10%区间，目前2GB容量DDR3模块价格调涨至18美元，换算2Gb芯片报价回升至2美元，预计2GB模块报价回升至20美元指日可待，如果硅晶圆吃紧问题持续，预计5、6月可顺利回升至此价位。 发表于：4/13/2011 继电器使用中的几点问题 要用好继电器，正确选型是很重要的，首先必须对被控对象的性质、特点和使用要求有透彻的了解，并进行周密考虑。对所选继电器的原理、用途、技术参数、结构特点、规格型号要掌握和分析。在此基础上应根据项目实际情况和具体条件，来正确选择继电器。 发表于：4/13/2011 继电器在高压开关中的应用 目前使用的高压开关设备的二次系统由众多的继电器、多触点辅助开关、行程开关及压力开关等元器件组成，其中继电器类占的比重约70％，面对纷繁复杂的继电器类产品，如何合理选择、正确应用，是系统开发、设计人员密切关注并且必须优先解决的实际问题，尤其作为高压开关设备的二次控制部分，使用有大量的继电器， 其在运行中也有其独特的特殊性，选型的好坏， 直接关系到变电站设备的可靠安全运行， 万一发生事故将特别严重， 因此要做到合理选择，正确应用，就必须充分研究分析系统的实际应用条件与实际技术参数的要求，恰如其分地提出所选用继电器类产品必须达到的技术性能， 在整个系统的设计中，根据整个系统的重要性、可靠程度、所使用的环境条件及成本等因素综合考虑选择合理的继电器。 发表于：4/13/2011 «…122123124125126127128129130131…»
