微波射频相关文章 Cibby Pulikkaseril：无用之功？自动驾驶激光雷达现状 第二届“光”+智能驾驶技术高峰论坛于2019年9月6日举办，本次论坛邀请了政府部门、咨询机构、整车企业、激光雷达制造商、红外夜视、摄像头等传感器重点企业及知名科研院所等到会研讨，共话光与汽车电子行业市场前景。以下为Cibby Pulikkaseril首席技术官兼联合创始人 Baraja现场演讲实录： 发表于：9/7/2019 Velodyne Lidar发布传感器Puck 32MR™ 为自动驾驶汽车提供高分辨率实时激光雷达 据外媒报道，Velodyne Lidar, Inc.推出了Puck 32MR™传感器，为低速自动驾驶市场提供高成本效益的感知解决方案，包括工业车辆、机器人、航天飞机以及无人机。该激光雷达传感去可为中端应用提供丰富的感知数据。 发表于：8/17/2019 TriLumina完成半导体激光器测试 可在零下40到125摄氏度的温度下运行 据外媒报道，汽车、消费和工业ToF（飞行时间）与3D传感应用VCSEL技术（垂直腔面发射激光器）开发商 TriLumina宣布完成了AEC-Q102 1级操作所需的所有测试，意味着其半导体激光器可以在零下40到125摄氏度的温度下可靠运行。 发表于：8/17/2019 俄罗斯首款重型攻击无人机完成了试飞与着陆 公告说，名为“猎人”的重型长航时攻击无人机于莫斯科时间3日12时20分（北京时间3日17时20分）在国防部下属某试飞机场开始首飞。飞行持续了20多分钟。无人机在操作员的控制下以600米高度围绕机场飞行数周，随后完成了着陆。 发表于：8/16/2019 氮化镓半导体材料在5G时代的应用前景 氮化镓，分子式为GaN，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 发表于：8/11/2019 氮化镓在射频领域的优势盘点 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。 发表于：8/11/2019 射频氮化镓市场前景分析 据麦姆斯咨询介绍，近年来，GaN凭借高频下更高的功率输出和更小的占位面积，被射频行业大量应用。在电信基础设施和国防两大主要市场的推动下，预计到2024年RF GaN整体市场规模将增长至20亿美元。 发表于：8/11/2019 电信和国防应用推动射频氮化镓(RF GaN)蓬勃发展 专利之争全面开启 电信和国防应用推动射频氮化镓(RF GaN)蓬勃发展。根据市调机构Yole Développement调查指出，RF GaN产业于2017~2023年间的年复合增长率达到23%。随着工业不断地发展，截至2017年底，RF GaN市场产值已经接近3.8亿美元，2023年将达到13亿美元以上。 发表于：8/11/2019 RF GaN市场蓬勃发展的关键是什么？ 据麦姆斯咨询介绍，近年来，由于氮化镓（GaN）在射频（RF）功率应用中的附加价值（例如高频率下的更高功率输出和更小的占位面积），RF GaN产业经历了惊人的高增长。根据Yole最近发布的《射频氮化镓技术、应用及市场-2019版》报告，在无线基础设施和国防两大主要应用的推动下，RF GaN整体市场规模到2024年预计将增长至20亿美元。 发表于：8/11/2019 《射频（RF）氮化镓技术及厂商专利全景分析-2019版》 近年来，RF GaN市场的发展令人印象深刻，重塑了RF功率器件的产业格局。在电信和国防应用的推动下，RF GaN行业将持续增长，而随着5G应用的到来，RF GaN市场将加速发展。据麦姆斯咨询介绍，RF GaN市场总规模预计将从2017年的3.8亿美元到2023年增长到13亿美元。 发表于：8/11/2019 一文知道RF GaN市场蓬勃发展的关键 据麦姆斯咨询介绍，近年来，由于氮化镓（GaN）在射频（RF）功率应用中的附加价值（例如高频率下的更高功率输出和更小的占位面积），RF GaN产业经历了惊人的高增长。根据Yole最近发布的《射频氮化镓技术、应用及市场-2019版》报告，在无线基础设施和国防两大主要应用的推动下，RF GaN整体市场规模到2024年预计将增长至20亿美元。 发表于：8/11/2019 华裔科学家：领衔全球首个实时解码大脑信号项目 马斯克的脑机接口新突破公布没多久，Facebook的脑机革命又迈出重要一步。Facebook与加利福尼亚大学旧金山分校华裔教授团队合作，已打造一个脑机接口，可以实时从大脑信号解码问答对话。这是全球首个实时解码大脑信号的问答语音的项目，或可用到增强现实眼镜中。 发表于：8/2/2019 基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件，优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构，在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术，制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性： 峰值电流密度＞400 kA/cm2， 峰谷电流比(PVCR)＞2.4。 发表于：8/1/2019 基于VO2相变特性的THz波动态调控研究进展 太赫兹(Terahertz，THz)波位于光子学向电子学的过渡区域，在高速宽带通信、雷达、成像等领域具有重要应用前景。但目前用于THz波动态调控的器件仍比较缺乏，这在一定程度上限制了THz技术的发展。VO2具有独特的金属—绝缘体相变特性，相变过程可以应用于动态调控THz波传输。探索超材料与VO2结合以制备高效、动态、灵活的太赫兹功能器件也是近来的研究热点。简述了VO2的相变特性，并分析了微观结构和化学成分等因素对相变特性的影响；系统回顾了VO2薄膜相变过程中的THz波调控性能研究进展，总结了VO2与超材料不同结合方式在THz波动态调控方面的应用；并对基于VO2相变特性的THz波调控功能器件发展前景与挑战进行了展望。 发表于：7/31/2019 太赫兹固态放大器研究进展 随着半导体技术的发展，晶体管特征频率不断提高，已经进入到太赫兹（THz）频段，使得固态器件可以在THz频段工作。THz放大器可以将微弱的信号进行放大，在THz系统中起着关键作用。介绍了基于氮化镓(Gallium Nitride，GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件、磷化铟(Indium Phosphide，InP)HEMT器件和InP异质结双极晶体管/双异质结双极晶体管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor，HBT/DHBT)器件的THz单片放大器研究进展。 发表于：7/31/2019 «…35363738394041424344…»
