应对“更高”存储器件的ALD填充技术[EDA与制造][数据中心]
对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说,高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。
发表于:2021/2/23 上午9:52:00
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发表于:2021/2/4 下午11:15:09
对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说,高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。
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