4 月 20 日消息，SK 海力士 20 日（今天）宣布，公司正式量产基于第六代 10 纳米级（1c）LPDDR5X 低功耗 DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2 产品。

从官方获悉，SOCAMM2  是一款将主要适用于智能手机等移动端设备的低功耗内存，针对服务器环境进行优化的内存模块，主要面向下一代 AI 服务器等应用场景，具备厚度薄与可扩展性等特性，特别适用于 AI服务器。该产品采用压缩式连接器，可提升信号完整性且易于更换。

SK 海力士表示，公司采用 1c 工艺的 SOCAMM2，是专为高性能 AI 运算优化的解决方案。与传统的 RDIMM  相比，其带宽提升逾两倍，功耗降低 75% 以上。

寄存双列直插式内存模块（RDIMM），则是在存储器模块的内存控制器与 DRAM 芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的 DRAM 模块。

该公司强调，该 SOCAMM2 产品是面向英伟达的 Vera Rubin  平台设计的。此外，该产品可从根本上缓解数千亿参数级 AI 大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈  问题，SK 海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。

SK 海力士方面还表示：随着 AI 发展从训练转向推理阶段，支持大语言模型低功耗运行的 SOCAMM2 作为下一代存储器解决方案，正备受瞩目。为满足全球云服务供应商（Cloud Service Provider）客户需求，公司提前搭建起稳定的量产体系。