4月22日消息，据韩国媒体IT Chosun报道，三星电子在获得试产前批准（PRA）后，于今年一季度进行1d DRAM（第七代10nm级制程）的试产，但因良率未达内部目标，恐将无限期延后下一代HBM内存的量产计划。

三星电子内部人士透露，在1d DRAM良率达标前，已无限期延后量产，目前尚未确定恢复时间，“他们正专注于全面检视制程路线图，以进一步提升良率”。另一方面，三星电子高层也对1d DRAM芯片的良率和投资回报进行评价，最终确认目前不适合量产，也不强行推进生产线运作。

根据预计，三星电子的1d DRAM技术将在未来HBM蓝图中扮演关键角色，预计将应用于三星第九代HBM产品HBM5E。

1c DRAM将应用于三星的三代HBM产品，包括HBM4、HBM4E与HBM5，但从HBM5E开始，稳定的D1d供应至关重要。其中，HBM4预计今年稍晚时推出，并搭载于英伟达的Vera Rubin与AMD的MI400平台；HBM4E则预期应用于Rubin Ultra与MI500加速器。至于HBM5及定制化设计，则可能导入英伟达Feynman系列及其他AI芯片。

报道指出，由于量产计划落空，三星电子为该计划特派的约400名人员组成的1d DRAM量产工作小组实际已处于闲置状态。但由于尚未获得产品验收批准，关键工程师目前仅在研发阶段进行信息交流。

相比之下，三星电子的竞争对手SK海力士已经在1d DRAM技术上取得了良率突破，目标2026年下半年完成开发。

目前三星也正加大投资，在韩国温阳（Onyang）建设一座大型晶圆厂，规模相当于四个足球场，将用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品。该设施将负责封装、测试、物流与质量控制等关键环节，以支撑稳定量产。