据《日经新闻》7月7日报道，业内传出消息称，三菱化学（Mitsubishi Chemical）、日本制钢所（The Japan Steel Works，JSW）计划将氮化镓（GaN）产能扩大50%。

报道称，三菱化学、JSW将扩产使用于下一代功率半导体基板的GaN产能，目标在2027年将产能扩增50%（和2026年相比），以应对开拓来自电动汽车（EV）、逆变器、数据中心电源的旺盛需求。

与传统硅材料相比，GaN能承受更高的电压，而和碳化硅（SiC）相比，GaN具备高速控制电流、抑制电力损耗等特性。三菱化学、JSW已在今年4月将基板、晶种（Seed Crystal）产能提高至2021年度的2倍，之后计划在2027年4月进一步扩增至2021年度的3倍（即和2026年相比增加5成）。

目前三菱化学/JSW 4吋基板仍处于客户验证阶段，不过需求增加，因此决定进一步扩增产能，且目标在2026年度开始提供6英寸、2028年度提供8英寸基板样品。