7月21日消息，三星电子正将V-NAND（垂直堆叠闪存）产能的60%以上分配给英伟达，用于供应AI服务器所需的存储芯片，同时V10已量产、V11已进入试产阶段。

目前三星电子月产能超过10万片晶圆，其中V9（286层）占60%，V8占比已降至40%以下，去年以来产能快速向V9转移。

V9良率已超80%，进入量产稳定期，平泽P4工厂的NAND洁净室空间还有超一半可用于扩产。

V10已在今年上半年开始量产，堆叠层数达400层，存储密度比V9高出50%以上，更值得关注的是，V11（目标400-500层）已进入试产，下半年试产规模将翻倍，为量产积累良率数据。

此外，V10开始规模采用钼（Molybdenum）替代传统钨作为布线材料，布线厚度减少30%至40%，是业界首次将该材料商业化应用。

这一切的背景是英伟达即将推出的CMX（Context Memory Storage，上下文存储），单套可容纳576块SSD、总容量9600TB。

据预计，CMX对NAND的需求将从今年的3500万TB暴增至明年1亿TB以上，而三星电子2026年NAND产量预计约2.5亿TB，有望成为CMX核心供应商。

英伟达吃掉了三星电子大部分产能，留给其他客户和消费者的所剩无几，存储涨价恐怕还要持续。