工业自动化最新文章 Virtuoso iQuantus Insight及Quantus Insight流程在FINFET先进工艺项目中加速后仿迭代的应用 随着工艺演进，尺寸进一步缩小带来了更多寄生通路和更大的寄生电阻，后仿结果和前仿相去甚远。如何快速缩小前后仿之间的差距成为重要课题。传统设计中只能通过Quantus Extracted View相对直观地对寄生进行分析，无法更详细地进行分析，这成为设计者们面临的艰巨挑战。同时，后仿发现问题，只能通过“修改电路-版图迭代-再次后仿”反复优化，迭代周期长，如何降低时间成本成为各公司关注的重点。Virtuoso iQuantus Insight （ViQI）/Quantus Insight （QI）可基于寄生网表文件进行寄生分析及结果可视化。工程师可借此对寄生进行准确的分析及假设，无需版图迭代，即可进行设计优化。讨论了如何通过ViQI/QI工具在FINFET先进工艺项目中实现快速的后仿迭代，大幅提高工作效率。 发表于：2024/9/4 Conformal ECO寄存器新增的扫描链自动化接入方案 随着芯片规模的增加，ECO的需求和大小也随之增加，其中当新增寄存器数量达到百位量级时，人工接入扫描链难度也将急剧上升。基于Cadence的Conformal和Innovus等工具，在综合考量逻辑正确性和中后端物理实现可行性的基础上，采用归一思路下的“S”型连线和room值下的再分组等方法，实现了上述问题的自动化和高效化解决，在逻辑上确保了时钟域一致性等问题，物理上同时兼顾了布局布线优化和最大扫描链长度。并且其自动化的高效性，在项目实践中能够快速完成上百数量寄存器的扫描链接入。 发表于：2024/9/4 SEMI硅光子产业联盟成立 SEMI硅光子产业联盟成立，台积电及日月光等30多家企业加入 发表于：2024/9/4 日本携手英特尔建先进半导体研发中心 日本携手英特尔建先进半导体研发中心，将配备EUV光刻机 发表于：2024/9/4 2023年中国CAD市场达54.8亿元同比增长12.8% IDC：2023 年中国 CAD 市场达 54.8 亿元同比增长 12.8%，达索系统、西门子、欧特克三巨头份额均下滑 发表于：2024/9/4 忆恒创源发布基于平头哥主控的PCIe 5.0 SSD 9月3日消息，在ODCC大会上，国内知名企业级PCIe SSD产品和解决方案供应商忆恒创源，正式发布了国产PCIe 5.0企业级NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。 这款SSD基于阿里平头哥的镇岳510 NVMe主控芯片和长江存储闪存颗粒打造，率先实现了4K随机写100万IOPS的突破，可为AI、数据库、云计算、虚拟化等应用带来强劲的加速能力。 发表于：2024/9/4 我国超高纯石墨领域取得重大突破 99.99995%以上纯度！我国超高纯石墨领域取得重大突破 锂电池/半导体必用材料 发表于：2024/9/4 消息称LG Display连连亏损大规模裁员 消息称LG Display连连亏损大规模裁员，已有1400人自愿退休 发表于：2024/9/4 消息称美国司法部已对英伟达在AI领域主导地位升级反垄断调查 消息称美国司法部已对英伟达在 AI 领域主导地位升级反垄断调查 发表于：2024/9/4 意法半导体正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH 意法半导体加入高通/恩智浦/博世/英飞凌/Nordic的RISC-V合资公司 发表于：2024/9/4 消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺 消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺 发表于：2024/9/4 消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。 消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。 综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。 三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线键合拥有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。 发表于：2024/9/3 我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。 项目背景 碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。 碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。 平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。 发表于：2024/9/3 传英特尔考虑出售FPGA芯片业务Altera 9月2日消息，据路透社援引知情人士的话报道称，英特尔CEO基辛格和高级主管预计将在本月向公司董事会提交一项计划，以削减不必要的业务，以降低成本并减少资本支出，包括考虑剥离晶圆制造业务，暂停德国晶圆厂建设，以及出售可编程芯片（FPGA）部门Altera。 英特尔已经在今年一季度将其制造业务进行了独立，并单独报告财务业绩，以确保设计部门和制造部门保持独立的市场化运作，进一步推动其晶圆代工业务的发展。英特尔预期，分拆制造业务后，2023年可以节省 30 亿美元成本， 2025 年将节省 80-100 亿美元成本。并且，基于这种模式，英特尔2025年还有望成为全球第二大晶圆代工厂，代工收入将超过 200 亿美元。同时，设计部门毛利率也将提升至 45%、营业利润率为 20%。 发表于：2024/9/3 国内首个五星5G工厂建设完成 9月2日消息，据中国信通院CAICT，在工信部《5G全连接工厂建设指南》发布两周年之际，国内首个五星5G工厂——中兴通讯南京智能滨江5G工厂（滨江工厂）宣布建设完成。 该工厂通过了中国信息通信研究院泰尔认证中心的认证，成为5G技术与电子设备制造业深度融合的全新标杆。 发表于：2024/9/3 <…188189190191192193194195196197…>
