消费电子最新文章 P沟MOS晶体管 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 发表于：2016/8/19 N沟MOS晶体管 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。 由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 发表于：2016/8/19 VR技术开启两道生死门 人类将无力关闭 中国国际虚拟现实产业博览会近日闭幕，据称给参观者带来震撼体验。佳融分析人员表示，虚拟现实产业仍处于孕育期，有待于人工智能的研发与突破，届时也将开启人类再难关闭的生死之门。 发表于：2016/8/19 深度学习芯片大战升温 英伟达 英特尔各出奇招 英特尔IDF近日召开，深度学习成为一大重点。不料，英伟达掐准时间，在IDF举行同时发表官方博文，指出英特尔在宣传其最新 Xeon Phi 处理器加速深度学习性能时使用过时的数据，有意误导消费者，没有给GPU性能一个公正的评价。两大芯片巨头针对深度学习，矛盾凸显。华为传感器应用实验室首席科学家丁险峰认为，加速深度学习的能力是当前考察服务器综合性能的关键指标和最大卖点，长远看英特尔更具优势。 发表于：2016/8/19 AMD对阵Nvidia GPU大战白热化 “孰输孰赢” AMD Polaris和Nvidia Pascal之间的第一场战斗日趋白热化，但是现在说谁会赢得新型图形处理器大战还为时过早。 发表于：2016/8/19 100G 光模块产业链的Teamwork 一个研发工程师独立做一个光模块的年代，已经终结了。 发表于：2016/8/19 智能型手机搭载风潮正炽 指纹识别芯片放手冲量 虽然指纹识别应用在苹果(Apple)iPhone率先采用后，其他阵营的旗舰级手机也马上跟上，但中、低阶手机却因为成本考量，迟迟没有追赶上来。不过在移动支付大势已成，加上指纹识别模组报价也快速骤滑，在大陆品牌手机业者有意全面新增指纹识别功能，两岸IC设计业者多预告指纹识别芯片第3季出货量将可望较上半年倍增，2017年出货量年增率将达100%以上。 发表于：2016/8/19 友达量产OLED 跑第一 台资面板厂OLED相关布局，友达（2409）抢得头香率先量产；群创则紧追在后，今年底将完成软性OLED量产准备，预计2017年量产。华映则规划在大陆福建莆田六代厂的第二阶段投产。而夏普获得鸿海注资后，预计2018年量产OLED面板，供应苹果iPhone。面板双虎昨（17）日股价双双走跌，友达带量震盪走跌，终场下跌0.15元、收12.3元、成交量6.9万馀张，是台股成交量排行榜冠军。群创下跌0.3元，成交量4.1万馀张，收11.35元。华映第2季转亏为盈，昨天下涨0.01元、收0.93元。 发表于：2016/8/19 2019年智能手机OLED数将超10亿 2016年的预计全球智能手机OLED面板出货量将首次突破3亿，2019年的预计出货量将超过10亿。 发表于：2016/8/19 液晶用玻璃基板再回归电视需求 在夏普(Sharp)兴建10代面板厂，却因为2008年金融海啸导致全球电视需求下降后，液晶面板用玻璃基板扩大化的趋势暂停，重点转向智能型手机用小尺寸市场；然随大陆进行大规模液晶面板投资，新的大屏幕电视用液晶面板玻璃基板需求再现。 发表于：2016/8/19 防雷器能否发挥作用关键看接线 路灯系统，通常安装在户外，雷击威胁极大。轻则导致路灯损坏，重则引起火灾或人员伤亡，产生巨大的损失。因此，雷击风险较大的系统通常都需要安装有效的防雷器或增加前级防雷电路，在此以路灯系统为例，重点介绍防雷器的安装差异对防雷效果的影响。 发表于：2016/8/18 为什么参数差的基准反而可能更好 几乎所有的电子测量仪器都有一颗“心脏”——基准电压源。它对整个仪器的模拟系统性能和精度有着重大影响，在对它选型时我们是既兴奋又焦虑，我们可不能一味的根据厂商提供的器件参数文件进行选型，这往往有些“坑”…… 发表于：2016/8/18 英特尔全面升级实感技术 英特尔信息技术峰会，美国加州旧金山，2016年 8 月 16 日——在今天举行的英特尔信息技术峰会（IDF）上，英特尔发布了关于英特尔® 实感™ 技术的多项重要更新。正如双目视觉让人类能够看到三维世界，实感技术的目标是打造出具备堪比人类3D感知能力的智能、交互和自主式的设备和系统。 发表于：2016/8/18 MOS晶体管 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：2016/8/18 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 发表于：2016/8/18 <…1443144414451446144714481449145014511452…>
