消费电子最新文章 苹果新技能来了 iPhone 7或配快充标准 当所有安卓手机都已经把快充作为标配时候，苹果好像两耳听不闻。快充已经是现在智能手机上一项非常成熟的技术了，可是苹果并没有在之前手机中采用，而对快充也是闭口不谈。 发表于：2016/8/17 海尔因纵向垄断被上海罚逾1234万元 国家发改委网站上的一条消息日前引起家电行业的热议。海尔的3家下属公司，因与经销商签署限价协议，触犯了《反垄断法》，被上海市物价局处以1234.80万元的处罚，相当于3家公司上一年度市场销售额的3%。 发表于：2016/8/17 英特尔与ARM达成新的授权协议 在旧金山召开的英特尔全球开发者论坛（IDF），英特尔发布了诸多布局新技术领域的产品，包括融合现实MR眼罩、物联网芯片焦耳（Joule）。但有一个非产品的消息同样引起了媒体关注。英特尔已经与ARM达成了新的授权协议，英特尔工厂未来将可以生产ARM芯片。 发表于：2016/8/17 夏普人才流失 高层批评员工无节操 据外媒报道，尽管在之前的股东大会上，夏普股东相继表示了“应该加以限制，5年、10年内不得跳槽至同行业的其他公司”，仍然无法阻挡前经营层就任其他公司要职。夏普公司在8月12日完成了接受台湾鸿海精密工业公司注资的手续，正式成为鸿海的子公司。看上去虽然避免了资金层面的经营危机，但却阻挡不了优秀人才流向竞争对手的危机。这一情况不仅利于对手，还有可能导致夏普对核心的液晶及太阳能业务的重建工作陷入停滞。 发表于：2016/8/17 曲面显示优劣参半 曲面显示并没有宣传中那么美 曲面显示火了，在曲面电视打开局面之后，曲面显示器又风风火火地展开了市场宣传，一时间曲面能够带来沉浸感、画质更逼真的宣传词四处飞扬。但事实上，曲面显示跟所有显示技术一样，也存在很多短板和缺陷，曲面显示器在宣传上也存在着诸多的不实之处，PPT中所讲述的理论优势和实际使用情景也存在巨大的落差，所以在对新事物保持好奇和包容的前提下，消费者也有权利对曲面显示器的弊端有清醒的认识，这样才能做出更理性的购买决策。 发表于：2016/8/17 云计算发展新趋势 10年后或将开启2.0时代 今年 3 月，李世石大战 AlphaGo 前夕，Google Research 高级研究员，Google Brain 团队负责人Jeff Dean 召开了一场发布会，可能由于比赛在即，众多媒体并没有对这场发布会太过关注，但 Jeff Dean 却透露出 Google 的重大战略思考：将包括 AlphaGo 在内的人工智能技术融入到云计算平台，成为一种「更高级的云计算」。 发表于：2016/8/17 5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象 半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。 发表于：2016/8/16 基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC 氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被构造成具有集成栅极驱动器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。 发表于：2016/8/16 芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？ 1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念，而是数个billion。 2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺，Fin Pitch小于 50nm，可以说是技术上的一个飞跃了。关于所谓的14nm，实际只能初略的反映工艺的一个技术节点，真正的沟道长度要比14nm要长一些。 发表于：2016/8/16 晶体管出现的意义 晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。 同电子管相比，晶体管具有诸多优越性： ①晶体管的构件是没有消耗的。无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。 发表于：2016/8/16 晶体管工作原理是什么? 利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。 发表于：2016/8/16 IBM利用碳纳米管取代硅晶体管 拯救摩尔定律 IBM研究人员发明了在碳纳米管上移动电子的技术。碳纳米管直径是人类头发的万分之一，导电能力非常强。IBM周四公布的突破是，它发明了一种技术，能在原子量级上把特定类型金属与碳纳米管结合，创建一个在不影响芯片性能的情况下在碳纳米管上移动电子所需要的极其微小的触点。这是一个关键的突破，未来研究人员可以利用碳纳米管取代硅晶体管。 发表于：2016/8/16 晶体管或稳压器并联后可以取消散热器 双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器)，并从中收获诸多好处。 发表于：2016/8/16 一个小型晶体管开关电路的应用 Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另一NPN型开关，与本文无关。 实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分压影响迅速降低，Q4开始保持R29的分压。这个电路的问题在于Q3对Q4的开关界限不够明显，在R27取值合适的情况下，比如要么小于2M要么大于3M，电路没有问题，否则会导致之前所担忧的情况。 发表于：2016/8/16 科学家在二维聚合物晶体管的平面处理方面取得新进展 有机场效应晶体管(OFETs)是如今不断发展起来的低成本、环境友好型柔性电子设备的中心元件。新兴发展起来的施主-受体(D-A)共聚物被证实在OFET的制备上有着潜在的应用前景，因其可溶液加工、具灵活的柔韧性及高双极性性能。而将平面处理过程引入OFETs也有很多益处，不必担忧会与基底接触，通过多种技术可制备高质量、大面积、超薄的有机半导体(OSC)薄膜。另外，可自行校准的栅极及S/D电极可消除电极间重叠从而诱导寄生电容来减缓运行速度。 发表于：2016/8/16 <…1446144714481449145014511452145314541455…>
