台积电再次推迟导入ASML最新光刻设备至2029年

4月23日消息，近日，台积电(TSM.US)表示，为节省成本，将推迟到2029年之后才会将荷兰阿斯麦公司(ASML.US)最先进的芯片光刻设备用于量产，这可能会对这家昂贵设备的制造商构成打击。

发表于：2026/4/23 上午10:35:40

世界首座金刚石半导体量产工厂预计2028年全面投运

4 月 23 日消息，据日本地方媒体福岛民友新闻社当地时间 21 日报道，该国企业大熊钻石器件公司表示，其建设的福岛县双叶郡大熊町工厂预计 2028 年投运。

发表于：2026/4/23 上午10:29:59

寒武纪回应互联网大厂自研芯片影响

4 月 22 日消息，据人民财讯消息，就互联网大厂自研芯片的影响，4 月 22 日寒武纪董事长、总经理陈天石在业绩说明会上进行回应。

发表于：2026/4/23 上午10:25:20

力积电正与美光合作开发1P制程DRAM内存

4 月 22 日消息，中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司（力积电、PSMC）昨日举行 2026 年第 1 季度线上法人说明会。该企业会上表示已与美光启动 1P 制程 DRAM 内存的联合研发，预计 2027Q1 导入设备、2028H1 试产、2028H2 量产。

发表于：2026/4/23 上午10:12:37

台积电揭示A13和A12尖端逻辑制程工艺

4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 美国当地时间 22 日举行了 2026 年北美技术论坛，其中在尖端逻辑制程方面该企业揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工艺，这两项技术均将于 2029 年量产。

发表于：2026/4/23 上午9:54:10

中国科学家让光学超材料生产“像印报纸一样简单”

4 月 23 日消息，光学超材料通过对人工微纳结构的精准设计，可突破传统材料的物理极限，实现对光的传播、散射、相位等特性的高效精准调控，成为支撑新一代信息技术与高端装备发展的材料基础。然而，当前光学超材料受结构尺度单一、性能调控受限、加工工艺复杂等瓶颈制约，难以广泛应用。北京时间 4 月 22 日晚，国际学术期刊《自然》发表了光学超材料突破性研究成果。中国科学院化学研究所与新加坡国立大学合作的科研团队，自主研发出的卷对卷增材纳米打印制造设备，实现了多尺度光学超材料的大规模可控制备与精准集成，让超材料生产“像印报纸一样简单”。

发表于：2026/4/23 上午9:51:46

马斯克称计划采用英特尔14A工艺制造Terafab芯片

当地时间4月22日（周三）美股盘后，特斯拉（TSLA.US）发布2026年第一季度财报，并于当天举行投资者电话会议。特斯拉CEO马斯克表示，公司计划在其Terafab项目中使用英特尔（INTC.US）的先进14A制造工艺来制造芯片。这一消息推动英特尔股价美股盘后涨超3%。

发表于：2026/4/23 上午9:50:47

三星与SK海力士HBM4E交付竞争加剧

据韩国《Edaily》近日报道，三星电子与SK海力士正加速第七代高带宽内存HBM4E研发，以抢占AI芯片市场先机。三星已计划于5月完成HBM4E首批样品生产，该产品将用于英伟达（NVDA.US）下一代AI加速器，并目标于2027年实现大规模量产。此前，三星已在英伟达GTC 2026展会首次公开展示HBM4E实物芯片。

发表于：2026/4/23 上午9:44:35

绕过ASML天价光刻机 台积电公布最新技术路线

4月23日消息，据媒体报道，台积电周三公布了其最新一代芯片制造技术，并透露，即便不使用阿斯麦昂贵的新一代光刻设备，也能制造出更小、更快的芯片。

发表于：2026/4/23 上午9:31:47

TP-Link寻求美国解封 已与中国TP分道扬镳

4月22日消息，在美国联邦通信委员会（FCC）出台消费级路由器进口全面禁令后，TP-Link正与FCC展开正式磋商。该公司希望拿到有条件进口批准，保障新型号路由器能正常进入美国市场。在提交给FCC的官方文件中，TP-Link反复强调一个核心立场，即自己是纯正的美国企业，早已和中国的TP-Link完成彻底切割。

发表于：2026/4/23 上午9:28:01