业界动态 宁德时代计划在印尼投资50亿美元建立锂电池厂 与非网 12 月 16 日讯，据悉，印尼海事与投资部副部长 Septian Hario Seto 表示，宁德时代计划在印尼投资 50 亿美元兴建一家锂电池厂，该锂电池厂将于 2024 年投产。 发表于：2020/12/16 下午2:16:15 东芝将投资电动汽车动力芯片 与非网 12 月 16 日讯，据悉，为适应全球各国政府向电动汽车和货车的急剧转变，半导体制造商东芝和重电机制造商富士电机株式会社将向电动汽车动力芯片投资 2,000 亿日元（约合 19.22 亿美元），以提高电动汽车节电芯片的产量。 发表于：2020/12/16 下午2:12:21 华邦 1Gb LPDDR3 DRAM 助力清微智能最新 AI 图像处理 SoC 实现高性能 2020 年 12 月 16 日中国，苏州讯——全球半导体存储解决方案领导厂商华邦电子今日宣布，其高性能、低功耗 1Gb LPDDR3 DRAM 用于清微智能的全新人工智能芯片，在高带宽应用领域再次取得令人瞩目的成果。 发表于：2020/12/16 下午12:09:59 Microchip推出 64 Mb并行SuperFlash®闪存，丰富旗下应用于航天系统的COTS耐辐射产品阵容 为减少开发航天器系统的时间、成本和风险，设计人员可以在初始阶段使用商用现货（COTS），随后再将其替换为具有相同引脚分布、采用塑料或陶瓷封装的宇航级等效耐辐射器件。 Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出一款耐辐射的64兆位（Mbit）并行接口SuperFlash闪存器件，具有卓越的总电离剂量（TID）耐受能力，可在恶劣的太空辐射环境中实现最大的可靠性和耐用性。新产品是Microchip用于航天系统的单片机（MCU）、微处理器（MPU）和现场可编程门阵列（FPGA）的理想配件，为这种可扩展的开发模型提供了构建模块。 发表于：2020/12/16 上午11:40:00 MVG推出用于全尺寸汽车天线测量的多探头测量系统SG 3000M 无线连接测试专家MVG近日宣布推出多探头测量系统SG 3000M。SG 3000M专为全尺寸汽车天线测量和OTA测试而设计，可将现有吸波暗室升级为用于互联车辆的天线测量和OTA测试设备。 发表于：2020/12/16 上午11:36:53 艾迈斯半导体推出新款超微型数字图像传感器 中国，2020年12月15日——全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体（ams AG，瑞士股票交易所股票代码：AMS）今日宣布将推出一款超微型的高性能图像传感器——NanEyeC，其具有100k像素的高分辨率，并提供数字视频输出，适用于任何对尺寸和性能都有严苛要求的移动电子设备中，例如虚拟现实（VR）头盔等消费类可穿戴设备。另外，该图像传感器不仅支持各类视觉传感，符合GDPR要求，并可灵活连接到各种接口，且其极低的成本同样适合应用于一次性消费电子产品中。 发表于：2020/12/16 上午11:33:00 Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET 宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月15日 —日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET，低边MOSFET的最大导通电阻低至8.6 m。 发表于：2020/12/16 上午11:25:28 意法半导体VIPerPlus产品家族新增高集成度离线变换器 中国，2020年12月15日——意法半导体的VIPer31紧凑型高压转换器IC是VIPerPlus系列的最新产品，可实现高靠性的稳健的功率变转换器，符合节能生态设计规范，同时节省物料清单(BoM)成本。 发表于：2020/12/16 上午11:21:27 意法半导体发布高灵活性紧凑型60V DC/DC变换器 中国，2020年12月14日——意法半导体L7983是一款紧凑型3V-60V、300mA同步DC/DC降压功率变换器，具有灵活的动态模式选择，可满足噪声敏感应用的要求，并在轻载时能够实现能效最大化。 发表于：2020/12/16 上午11:12:53 具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计 氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。 发表于：2020/12/16 上午11:10:03 <…3588358935903591359235933594359535963597…>
