微波射频相关文章 精密电阻分类及特性 本文详细介绍了精密电阻的分类特性及基础数据。 发表于：2/17/2011 存储分析 网络存储与备份十项关键技术 有效利用网络存储技术是任何数据存储管理策略的重要组成部分，仅仅依靠硬盘、JBOD和其它类型的本地存储是不足以保护关键业务数据的完整性的，网络存储在这个时候真正显示出巨大的威力，它不仅可以容纳由服务器产生的业务数据，还可以容纳由PC端产生的数据，并为数据提供良好的保护。 发表于：2/17/2011 影响电阻或电阻率测试的因素 影响电阻或电阻率测试的主要因素有环境温湿度、测试电压、测试时间、测试设备的泄露和外界干扰等。 发表于：2/16/2011 iPhone基带软件充满漏洞 缺陷将被曝光 苹果iPhone无疑是世界上最受欢迎的智能手机之一，由于该产品极为受宠，很多瑕疵都被用户所忽略，就像是iPhone 4(参数 报价 图片 论坛 软件)的新号问题。实际上早在iPhone 4之前，美国AT&T的iPhone用户就已经频频抱怨手机频繁掉线，只不过当时用户和苹果都将矛头指向了AT&T，然而，美国《纽约时报》媒体却在近日声称，这并不能完全归咎于AT&T，苹果自身也存在一些设计问题。如果真的是这样，那么随着Verizon开始引入CDMA版 iPhone，这些缺陷就会随之曝光。 发表于：2/16/2011 英飞凌面向硬开关和软开关应用的新一代650V超结器件 随着功率密度不断提高，半桥和全桥等软开关拓扑成为理想的解决方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的动态性能，采用这些拓扑可降低系统的开关损耗，提高可靠性。 发表于：2/16/2011 美光公司用ClearNAND闪存改善系统设计 自问世以来，NAND闪存对ECC（纠错码）纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元（MLC）架构和每单元存储三位数据技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。 发表于：2/16/2011 Ramtron在IIC China 2011展会上展示MaxArias无线存储器 世界顶尖的低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation将在今年2月24至26日于深圳会展中心举行的IIC China 展会上展示F-RAM技术的诸多优势 (展台号：2L19)。Ramtron专家将在展台进行现场演示，并回答有关获奖的MaxArias™无线存储器等半导体解决方案的各种问题。 发表于：2/15/2011 IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列，可将DC-DC开关应用效率提升2% 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列，采用了IR的新一代硅技术，可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率，这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。 发表于：2/15/2011 CSA集团任命MAGALI DEPRAS 女士为欧洲区副总裁及广东加华美认证公司董事会成员 CSA集团总裁兼首席执行官Ash Sahi先生今日宣布，任命Magali Depras女士为CSA集团欧洲区副总裁，即日生效。Depras女士将在德国法兰克福办公，主要负责加速CSA服务和产品在欧洲地区的增长，并为所有欧洲客户带来CSA的全球服务。 发表于：2/15/2011 表面贴装 3A LDO 非常容易并联，在不产生任何热点的情况下提供大的 IOUT 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 3A LDO LT3083，该器件可并联以分散热量，并提供更大的输出电流，它还可用单个电阻器调节。LT3083 与先于其推出的 1.1A 同类器件 LT3080 基于相同的创新型架构，它采用了一个电流源基准以利用单个电阻器来设定输出电压。当 SET 引脚连在一起时，用一小段 PC 走线作为镇流器，就可在多个稳压器之间均流并分散热量，从而在所有表面贴装系统中实现数安培的线性调节，而无需散热器。 发表于：2/14/2011 泰科电子双向硅ESD保护器件帮助减少组装挑战 泰科电子推出标准0201和0402封装的ChipSESD保护器件 泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。 发表于：2/14/2011 英飞凌推出集成快速体二极管的650V MOSFET，第35亿颗高压MOSFET顺利下线，全面致力于提升能效 2011年1月19日，英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化，这为取得成功奠定了坚实基础。 发表于：2/14/2011 NAND Flash下半年需求急增价格陷拔河赛 农历春节前这一波DRAM价格涨的又急又猛，记忆体业者表示，其实DRAM终端需求并没这么强，但过去DRAM急涨现象常发生，应以平常心看待，反观NANDFlash市场未来在传统记忆卡和随身碟市场要再成长并不容易。 发表于：2/14/2011 2011年DRAM市场五项发展趋势 Muse表示，2011年NAND市场前景不错，但DRAM市场可能相反；主要是因为平板电脑开始蚕食低阶笔记本电脑与迷你笔电(netbook)市场，在这种情况下，原本较小尺寸笔记本电脑所搭载的DRAM量，平均每台约2GB，却被代换成平板电脑每台仅256Mb、也就是只有1/8的平均搭载量，意味着DRAM将供应过剩。 发表于：2/14/2011 芯片热阻计算及散热器/片的选择 任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗变成热量。小功率器件损耗小，无需散热装置。而大功率器件损耗大，若不采取散热措施，则管芯的温度可达到或超过允许的结温，器件将受到损坏。 发表于：2/13/2011 «…131132133134135136137138139140…»
