微波射频相关文章 Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25ppm/℃的绝对TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的宽温范围内具有1.0～2.5W的高功率等级。 发表于：1/27/2011 DRAM内存价格接近谷底 二季度回涨 来自存储芯片调研公司集邦科技的消息称，1月上半个月DRAM期货价已经接近谷底，下半个月价格可能持平或继续小幅下滑，然后在二季度开始回涨. 发表于：1/27/2011 电感、电解电容 2011年行情和价格双双看涨 厂商并未看涨2011年所有元件的价格，例如OVP元件就被多数厂商认为会保持稳定价格，而针对铝电解电容市场，TDK-EPC集团成员爱普科斯大中华区铝电解电容产品市场总监刘权旺表示，铝电解电容器的价格将呈上升华强电子网电子元器件资讯提供最新的电子资讯，元器件资讯，LED资讯，IC资讯，非IC资讯，展会信息，这里是您了解最新的电子元器件信息的最佳平台。 发表于：1/27/2011 联华电子第四季度净利润增46% 联华电子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布，受晶圆发货量强劲增长提振，去年第四季度净利润增长46%。但该公司表示，美国和新兴市场经济的不确定性可能令今年芯片需求受到抑制。 发表于：1/27/2011 芯片封装技术详解 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上... 发表于：1/27/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有业内P沟道器件的最低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 发表于：1/26/2011 下一代无源光网络技术 PON技术是一种典型的电到多点接入技术，由局侧光线路终端（OLT）、用户侧光网络单元（ONU）以及光分配网络（ODN）组成。“无源”是指ODN中不含有任何有源电子器件及电源，全部由光纤和光分/合路器（Splitter）等无源光器件组成。 发表于：1/26/2011 光纤位移传感器的工作原理与仿真 加拿大Roctest公司生产了一种商业用途的光纤位移传感器（Fiber-Optic Linear Position & Displacement Sensor, FO－LPDS），这种传感器使用了Fizeau干涉仪解调专利技术（US patent #5202939/#5392117），具有结构简单、精度高和响应快的优点，目前已经在土木工程领域得到了成功的应用。本文将详细介绍该种传感器的原理和用途。 发表于：1/25/2011 MEMS硅膜电容式气象压力传感器的研制 利用硅膜的良好机械特性，采用接触式的结构，通过简单标准的工艺制造出了电容式压力传感器样片。经过对传感器的测试和分析，证明这种传感器可应用于气象压力的测量。如何改进结构设计和工艺制造，提高传感器的测量精度是下一步研究工作的重点。 发表于：1/24/2011 Maxim推出带有LDD接口的SFP+控制器 Maxim推出带有数字激光二极管驱动器(LDD)接口的小外形可插拔(SFP+)控制器DS1878。DS1878基于状态机，无需进行枯燥的软件开发工作。器件能够轻松满足SFF-8472标准的要求，大大缩短产品上市时间。此外，作为光收发器设计人员理想的高可靠性I²C控制器选择，DS1878可有效提高SFP+光收发器模块的可靠性。 发表于：1/24/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有业内P沟道器件的最低导通电阻 宾夕法尼亚、MALVERN— 2011 年1 月24 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 发表于：1/24/2011 MEMS增长动力在消费电子和手机 微机电系统(MEMS)市场2010年强劲增长，营业收入同比增长18.3%。但据IHSiSuppli公司的最新研究，这只是MEMS和传感器市场新一轮两位数增长周期的开始，其增长趋势将持续到2014年。 发表于：1/24/2011 起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法 瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响，适当设定针对RTN的设计余度。 发表于：1/24/2011 延长导通时间可减小输入电容容量 基于微处理器的器件需要使用稳压电源(PSU)以检测输入功率损耗和继续在完成内存备份(即将关键数据写入非易失性存储器)的时间内进行供电。 发表于：1/24/2011 2011年存储产业将保持增长 据IHSiSuppli公司，由于企业需求强劲，包括硬盘(HDD)在内的全球存储产品出货量2011年预计增长10%以上。HDD与固态硬盘(SSD)的合计出货量2011年将增长到5.472亿个，比2010年的4.93亿增长10.9%。随着全球经济复苏，对于存储产品的需求上升，HDD和SSD都将从中受益。 发表于：1/24/2011 «…133134135136137138139140141142…»
