氮化镓 相关文章(224篇)
-
化合物半导体专利战再起 Wolfspeed在美提告Navitas
发表于：2026/7/10 上午10:16:25
-
传三菱化学和JSW计划将氮化镓产能扩大50%
发表于：2026/7/9 上午9:13:24
-
英飞凌GaN侵权产品上海电子展被当场撤下
发表于：2026/7/6 上午9:26:10
-
英诺赛科再获德国法院不侵权判决
发表于：2026/6/22 下午1:26:31
-
英飞凌GaN产品遭禁售 英诺赛科获赔1000万元！
发表于：2026/6/15 上午9:20:37
-
无线芯片嵌入单晶金刚石后突破散热瓶颈
发表于：2026/6/10 上午9:53:41
-
全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付超五百万颗
发表于：2026/6/8 上午10:04:35
-
烟山科技全球首条8英寸MicroLED IDM产线投产
发表于：2026/5/26 上午9:32:49
-
X波段负载不敏感高效率非对称式放大器MMIC
发表于：2026/5/15 下午4:18:32
-
三安集成亮相EDICON 2026 新一代HP56加速高频通信应用落地
发表于：2026/4/23 下午1:18:41
-
马斯克为何选择英特尔合作Terafab？
发表于：2026/4/13 下午2:09:18
-
英特尔造出全球最薄GaN芯片
发表于：2026/4/9 下午10:15:52
-
氮化镓空穴中量子振荡首次被观测到
发表于：2026/3/26 上午9:33:16
-
三星电子加码氮化镓制造领域
发表于：2026/3/23 上午10:17:05
-
罗姆获台积电GaN氮化镓技术授权
发表于：2026/3/2 上午10:13:46
-
台积电将氮化镓技术授权给世界先进和GlobalFoundries
发表于：2026/2/3 上午9:24:23
-
台积电向转投资企业世界先进授权氮化镓制程技术
发表于：2026/1/29 上午10:19:39
-
西电团队攻克芯片散热世界难题
发表于：2026/1/15 上午10:11:35
-
恩智浦将关闭ECHO Fab晶圆厂 退出氮化镓5G PA芯片制造
发表于：2025/12/15 上午11:03:37
-
九峰山实验室最新成果一年可为超大型AI算力中心省3亿度电
发表于：2025/12/4 下午1:25:55
-
美国ITC公布英飞凌起诉英诺赛科“337调查”初步结果！
发表于：2025/12/4 下午1:12:05
-
第三代半导体突破供电瓶颈 有望在AI数据中心领域广泛应用
发表于：2025/11/12 下午1:04:52
-
格罗方德与台积电签属引进氮化镓生产技术授权协议
发表于：2025/11/11 上午9:18:51
-
2036年全球车用功率半导体市场将达420亿美元
发表于：2025/10/23 下午1:22:31
-
多通道大功率氮化镓T/R组件模块散热技术研究
发表于：2025/9/17 下午2:44:02
-
消息称台积电整合8英寸旧厂转向自研EUV薄膜
发表于：2025/9/11 上午9:57:57
-
X波段60 W高功率高效率功率放大器设计
发表于：2025/8/14 下午3:11:00
-
英诺赛科股价大涨背后的GaN专利大战
发表于：2025/8/7 上午9:21:35
-
英诺赛科成英伟达800V架构唯一中国供应商
发表于：2025/8/4 下午1:16:52
-
英飞凌四季度向客户提供首批12英寸氮化镓样品
发表于：2025/7/4 下午12:59:52
Copyright © 2005-2024 华北计算机系统工程研究所版权所有 京ICP备10017138号-2