台积电清仓Arm股票 获利1.74亿美元

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共话“智”造业未来|魏德米勒出席智能制造高端论坛

近期，首届中国国际智能产业博览会在西部重镇重庆开展，国务院副总理韩正出席了开幕式，中国共产党中央委员会总书记，中共中央军事委员会主席，中华人民共和国主席，中华人民共和国中央军事委员会主席习近平为展会的召开发来了贺电。

发表于：2018/9/28

用世强元件电商进行电子元器件采购，获年终会员大奖

　　世强元件电商元件商城全面升级，相较于之前可以进行元件小批量快速购买和大批量询价采购之外，目前在商城搜索型号的同时，还可以到该型号对应的开发工具、量产烧录工具等内容，而对于库存暂时无货但在途的产品，也可以点击“交期查询”一键查询。 　　

发表于：2018/9/28

中国无晶圆代工市场高速增长 台积电“喜提”67亿美元

由于加密货币设备的需求驱动，台积电今年在中国市场的销售额预计将增长79％。

发表于：2018/9/28

放弃7nm的格芯 将在哪些市场发力

8月底全球第二大晶圆代工厂Globalfoundries（简称GF公司）宣布退出7nm及以下节点工艺研发与投资，这是继台联电之后第二家放弃10nm以下工艺的半导体公司，现在7nm及以后的工艺中只剩下台积电、三星及英特尔三家公司了，其中英特尔的7nm还没影，只能确定英特尔不会退出竞赛。

发表于：2018/9/28

高通与苹果的相爱相杀之路 指控完了又来合作

就在昨天，高通对苹果提出了一项爆炸性的指控，前者在一份新的法庭文件中指控苹果窃取其源代码和其他机密信息，并且交给了英特尔。而在今天的一次新采访中，高通 CEO 史蒂夫·莫伦科普夫(Steve Mollenkopf)说，他预计苹果未来将再次成为高通的客户。

发表于：2018/9/28

为啥华为不把麒麟芯片外卖

为什么华为的麒麟芯片不外卖？华为高管这样说

发表于：2018/9/28

功率电子设计中的碳化硅共源共栅器件及其优势

　几乎没有必要用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术来描述宽带隙（WBG）器件的质量，因为单从这些器件标注的名称已经足以保证极高的功率密度和匹配效率，最近的一个例证是“小盒子挑战”，它将特定转换器的目标功率密度提高了三倍。在实际系统中，设计人员需要通常由SiC MOSFET和增强型GaN（e-GaN）HEMT单元提供的OFF开关，但它们并不十全十美，都有自己的局限性和缺陷。这两种类型的器件都需要非常特殊的栅极驱动电压。SiC MOSFET具有相对较差的体二极管，而GaN器件则没有经典的体二极管，且没有雪崩电压特性。在“斩波器”、半桥和“图腾柱”功率因数（PFC）级等许多实际应用中，需要体二极管或其他类似的器件。为了显著提高效率，SiC-MOSFET和GaN HEMT需要并联一个高性能二极管，增加了总体成本和复杂性。

发表于：2018/9/27

从起源到氮化镓/碳化硅等材料，一文读懂半导体材料进化史

现代世界里，没有人可以说自己跟“半导体”没有关系。半导体听起来既生硬又冷冰冰，但它不仅是科学园区里那帮工程师的事，你每天滑的手机、用的电脑、看的电视、听的音响，里面都有半导体元件，可以说若没有半导体，就没有现代世界里的轻巧又好用的高科技产物。

发表于：2018/9/27

我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。但长期以来，我国SiC器件的研制生产主要依赖进口。SiC器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自主保障、降低生产线建设与运营成本、促进产业技术进步和快速发展壮大等方面具有重大的推动作用。

发表于：2018/9/27

如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。

发表于：2018/9/27