据韩国媒体TheElec报道，在4月28日于韩国首尔举行的半导体会议上，存储芯片大厂SK海力士（SK hynix）宣布其应用于高带宽内存（HBM）的混合键合（Hybrid Bonding）技术产量较两年前有显著提升。

混合键合是一种先进的封装技术，通过直接连接芯片间的铜垫，省略了金属凸点或铜柱结构，不仅降低了热量生成，还显著提高数据传输速度，并允许更薄的堆叠高度。SK海力士技术领导人Kim Jong-hoon表示，该技术能实现比现有方法更细的互连间距。

尽管产量有所提升，Kim Jong-hoon也强调经济可行性仍是当前发展阶段的一大挑战。SK hynix计划继续利用其大规模重流模塑填充（MR-MUF）技术来解决这个问题，并表示不仅技术策略重要，价值同样关键。

随着HBM的演进，堆叠层数不断增加，制程复杂性急剧上升，推动封装技术持续创新。HBM封装技术已从热压非导电薄膜（TC-NCF）进展到MR-MUF，最终迈向混合键合。每一步都减少了翘曲并提高生产效率。

Kim Jong-hoon指出，公司已完成12层HBM堆叠的验证，并且在量产准备方面比过去更加充分。

业界观察人士预测，混合键合技术将于今年下半年或2027年随着16层HBM产品的商业化逐步推出，这将使SK hynix在HBM竞争中占据有利地位，特别是在AI内存需求日益增长的背景下。