10月14日消息，据报道，SK海力士已调整第六代高带宽内存HBM4的扩产节奏，原定2026年下半年交付的部分后道工序设备订单被推迟至2027年，且2027年的投资计划尚未向部分供应商明确。

一位业内人士表示，已交付设备是否满负荷运转，目前尚无数据可供确认。

值得一提的是，SK海力士今年的HBM4设备订单已基本下达完毕，但追加投资的动向并不明显。另一位业内人士指出，若公司急于推进投资，相关动向早该显现，但目前并未观察到削减或增加HBM4投资的明确信号。

然而，SK海力士部分资金却转向通用DRAM。龙仁半导体产业集群Y1晶圆厂首座洁净室优先导入DRAM设备，初期采用1c制程，新增产能预计优先用于通用DRAM，即便1c DRAM开启量产，初期也不会分配给HBM。

这种投资节奏的调整，也引发了市场对HBM4量产进度的猜测。部分人士猜测后道工序可能出现技术问题，但设备投资节奏与产品质量之间的直接关联尚未确认。

业内人士强调，SK海力士已向主要客户提供16层堆叠HBM4样品，在封装技术上仍居领先地位。仅凭个别设备企业的投资时间表变化或2027年计划尚未共享，尚不能断定量产出现问题。后续需持续观察客户验证进度与投片动向。