10月20日消息，据报道，在近日举行的OCP 2026全球峰会上，英特尔宣称自己是目前全球唯一能够为整个行业大规模供应12英寸（300毫米）磷化铟（InP）硅光子晶圆的高量产晶圆厂。

英特尔数据中心系统与解决方案业务企业副总裁Nic Dubé将硅光子称为下一代系统的“黄金之锤”。他指出，现有电互连在传输距离、封装边缘带宽密度和每比特能耗三个维度上同时撞墙，而硅光子是能一并解决这些约束的技术路径。

英特尔此举直接突破了InP衬底长期停留在150毫米的行业局限。当前常规InP衬底尺寸仍为150毫米级别，与硅基CMOS的300毫米标准存在显著落差。

英特尔将InP光源技术整合进300毫米硅晶圆制程，从而大幅拉高单晶圆的产出效率与产能规模。

集成激光器的可靠性是英特尔的另一张底牌。自2016年商用以来，英特尔在硅光子领域累计出货超过800万个光收发器和3200万个集成激光器。

测试数据显示，其混合激光器失效率低于0.1 FIT，并基于超过600万个现场部署激光器的三年数据完成了可靠性验证。

能效方面，英特尔给出明确目标：光子系统每比特能耗降至5皮焦耳以下，并推动外部光源的社区标准建设，让更多厂商能获得美国晶圆厂供应的多波长光源。