消费电子最新文章 2nm芯片成本激增 高通骁8 Elite Gen 6 Pro预计突破300美元 7 月 29 日消息,高通与联发科将于第三季度推出首批 2nm 旗舰芯片,但其价格预计将迎来大幅上涨。此前,高通已向客户发送涨价通知,并表示新价格将适用于 9 月 1 日之后出货的产品。 发表于:2026/7/29 第六代10nm工艺 SK海力士下半年量产LPDDR6 SK海力士计划于2026年下半年正式启动新一代低功耗移动DRAM产品LPDDR6的量产出货。该产品已于3月完成开发,目前正稳步推进量产前的各项准备工作。LPDDR6采用第六代10nm级(1c)工艺制造,运行速度高达10.7Gbps,较上一代LPDDR5X产品提升约33%,可为高帧率游戏、多任务处理和AI应用等场景提供更充沛的带宽支撑。该产品通过引入子信道结构与DVFS动态电压频率调整技术,整体功耗较前代降低超过20%,可在性能与续航之间实现灵活平衡。 发表于:2026/7/29 海光DCU Day0适配万亿级大模型Kimi K3 7月28日,海光信息宣布已完成Kimi K3在海光DCU平台的全栈适配与性能验证,实现国产GPU运行万亿级大模型。海光DCU完成从底层算子到推理引擎的全栈优化,模型代码无需调整即可运行,迁移成本几乎为零;针对KDA注意力和896专家MoE架构完成算子级定制优化,百万级上下文重载场景下推理高效稳定。该适配方案可支撑长程智能体工程、视觉闭环创作和自主芯片设计等前沿场景,此前月之暗面已联合海光、曙光完成完整兼容性调优,官方实测显示国产卡性能折损控制在12%以内,已达到商用部署标准。 发表于:2026/7/29 谷歌自研芯片摆脱台积电先进封装 7月28日消息,据摩根士丹利报告,谷歌正在设计一款名为Frozen V2的新一代TPU芯片,目标是将SRAM直接集成到硅片上,从而摆脱对台积电CoWoS封装技术的依赖。 发表于:2026/7/29 黄仁勋深度访谈:关于AI监管中美竞争与算力未来 近日,英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋与《Axios》联合创始人迈克·艾伦(Mike Allen)进行了一场长达一个多小时的深入对话。作为全球市值最高公司的掌舵人,黄仁勋罕见地就人工智能监管、中美技术博弈、产业泡沫以及个人领导哲学等话题,坦率地分享了他的洞见。 发表于:2026/7/28 AI挤占DRAM颗粒供应 又一模组厂预警无货风险 7月27日消息,近日,存储模组厂宇瞻科技表示,随全球三大DRAM原厂新增产能几乎全面投入AI产品,一般市场供货持续减少,供需失衡短期仍难缓解。 发表于:2026/7/28 内存中嵌入逻辑单元 三星电子将发布LPDDR5X-PIM 内存中嵌入逻辑单元:三星电子有望在 8 月发布 LPDDR5X-PIM 发表于:2026/7/28 最高5000亿美元 英伟达锁定SK海力士内存供应 英伟达表示,它已锁定韩国SK海力士的AI内存供应,这家芯片制造商正试图为其先进处理器和系统锁定关键组件。 发表于:2026/7/28 复杂操作一句话?这个NAS这么神奇 铁威马正式推出全新 TOS 7 NAS 操作系统,依托深度内置的 AI 原生 Agent,革新人机交互模式,推动 NAS 从专业工具转变为人人可用的智能数据管家。 发表于:2026/7/27 三星HBM5导入2nm工艺 目标速度比HBM4E再提50% 7月27日,三星公布下一代HBM高带宽内存的相关技术规划,计划在HBM5的底座芯片上直接导入2nm工艺,采用GAA全环绕栅极晶体管结构,同时提升TSV硅通孔堆叠密度,在HBM4E基础上将运行速度提升50%以上,优化产品集成度与能效。此前三星2月已量产HBM4,5月出样HBM4E 12层样品,当前相关底座芯片采用4nm第四代工艺。三星强调自身覆盖存储、代工到先进封装的一体化业务优势,拟借此明确技术路线,在高端HBM需求紧张的背景下,抢占下一代高端方案定义权,在AI算力芯片生态中占据更靠前的位置。 发表于:2026/7/27 长鑫科技开盘大涨超471% 7月27日,长鑫科技开盘大涨超471%,报49.5元/股,总市值达3.31万亿,超越工商银行成为目前A股总市值“一哥”。 发表于:2026/7/27 OpenAI加入 签署支持AI开源模型发展公开信组织增至35家 7 月 25 日消息,微软、英伟达、IBM、Meta 等 25 家美国科技公司昨日联名签署公开信,呼吁开放权重 AI模型。目前该名单中的组织有所增加,已经达到 35 家(Nous Research、OpenClaw、Prime Intellect 3 家仅出现在签署名单中,没有在文末展示 logo),包括 OpenAI,新增组织如下: 发表于:2026/7/27 SK海力士3D堆叠DRAM临近 7月25日消息,SK海力士正通过位于美国加州圣何塞的子公司招募3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师。这项技术的目标,是把DRAM芯片直接垂直堆叠在手机SoC等逻辑芯片之上,从封装层面解决端侧AI的性能瓶颈。 发表于:2026/7/27 任正非:韬定律是华为可以选择的唯一一条突围道路 7 月 23 日消息,博主 @马野之 在微博分享了图书《鸟儿背着太阳飞》的代序 —— 由华为董事、CEO 任正非写的《道可,道非,常道》。 发表于:2026/7/24 日立宣布与Intel建立开放硅量子硬件云计算平台和制造系统 7月23日消息,日立宣布将与Intel达成合作,计划使用Intel 18A工艺生产超过1000量子比特的硅量子处理器。日立为日本新能源产业技术机构NEDO选定的量子计算机开发项目牵头方,双方合作采用FTQC硅自旋量子比特技术路线,可兼容现有半导体生产设施及EUV光刻工艺,围绕四大方向开展深度协作。根据披露的路线图,2027财年将通过G-QuAT启动面向外部研究人员和企业合作伙伴的云实验服务,2028财年交付支持量子纠错的100量子比特硅量子计算机原型,2030财年落地1000量子比特规模的3D集成硅量子处理平台。 发表于:2026/7/24 <…6789101112131415…>