消费电子最新文章 三星电子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式开始量产 三星电子宣布其首款1Tb QLC第九代V-NAND正式开始量产 发表于：9/12/2024 消息称三星电子开启全球裁员 消息称三星电子开启海外裁员，部分部门裁员幅度高达 30% 发表于：9/12/2024 高通第五代骁龙8将迎来双代工厂 此前有报道称，高通考虑未来骁龙8平台采用双代工厂策略，分别采用台积电（TSMC）和三星的3nm工艺。高通原打算在2024年的第四代骁龙8开始执行该计划，不过由于三星3nm产能扩张计划趋于保守，加上良品率并不稳定，最终让高通选择延后执行该计划。 发表于：9/12/2024 谷歌Tensor G6将采用台积电2nm制程代工 传谷歌Tensor G6将采用台积电2nm制程代工 发表于：9/12/2024 新思科技发布全球领先的40G UCIe IP 新思科技发布全球领先的40G UCIe IP，助力多芯片系统设计全面提速 发表于：9/11/2024 高通与联发科下一代旗舰芯片决战全大核时代 移动芯片步入全大核时代，高通、联发科决战下一代旗舰芯 发表于：9/11/2024 美光宣布单颗36GB HBM3E内存 9月10日消息，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。 它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H200、B200等加速卡，单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型，不再需要频繁调用CPU，从而减少延迟、提高数据处理效率。 美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率，单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽，而且功耗比8-Hi版本更低。 台积电CoWoS封装技术制造，也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术，彼此可以轻松搭配。 支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试)，可以模拟全速下的系统负载，方便快速完成测试验证，加快上市。 美光表示，12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。 发表于：9/11/2024 英特尔Arrow Lake处理器被爆推迟至10月24日发布 消息称英特尔 Arrow Lake 处理器推迟至 10 月 24 日发布 发表于：9/11/2024 苹果公布新一代超瓷晶面板 苹果公布新一代超瓷晶面板：iPhone 16 / Pro 系列已应用，硬度较初代提升 50% 发表于：9/10/2024 龙芯3B6600桌面处理器预计明年上半年流片 龙芯 3B6600 桌面处理器预计明年上半年流片，单核性能处于“世界领先行列” 发表于：9/10/2024 AMD官宣全新UDNA GPU架构 RDNA、CDNA 合二为一，AMD 将推出 UDNA 统一 GPU 架构 发表于：9/10/2024 英特尔Arrow Lake处理器更多细节曝光 英特尔 Arrow Lake 处理器曝料：IPC 提升 15%，游戏性能挑战 AMD 锐龙 9000X3D 系列有难度 发表于：9/10/2024 英伟达被DPU开发商Xockets起诉专利侵权 英伟达被DPU开发商Xockets起诉专利侵权，Blackwell GPU或将禁售 发表于：9/10/2024 天津三星电子有限公司正式注销 天津三星电子有限公司正式注销，上半年在中国手机份额已不足 1% 发表于：9/10/2024 苹果正式发布3nm A18 Pro iPhone 16系列搭载A18，iPhone 16 Pro系列则用上了更高端的A18 Pro，规格和性能自然更强，但差距也没有那么大。 A18 Pro首发采用台积电新一代N3P 3nm工艺制造，相比于A18 N3E进一步增强，官方称性能提升10％，同等性能下耗降低16％，但晶体管数量未披露。 发表于：9/10/2024 «…58596061626364656667…»
