头条 东风汽车全新固态电池下半年量产装车 6月9日,“武汉经开区”官方账号宣布,下半年东风全新一代固态电池将量产装车。该款电池能量密度可达350Wh/kg,是国内率先实现规模化应用的高能量密度固态电池,配套的新能源车型纯电续航有望突破1000公里。该电池移除易燃电解液改用固体电解质,可从根源降低起火爆炸风险,采用量产落地速度快的氧化物-聚合物复合技术路线,成本更低且和现有车企产线适配度高。东风该款固态电池全核心技术自研率达100%,此前已完成多轮严苛测试与示范运营,累计安全行驶里程超320万公里,后续研发团队将攻关前沿电池技术,规划2027年实现下一代高比能电池装车。 最新资讯 石墨烯电池太缥缈 现有动力锂电池很靠谱 自从特斯拉[微博]被热炒之后,几乎每隔一段时间就会冒出几篇高科技电池电动车的新闻。什么丰田的氢燃料电动车,能跑1600公里的铝电池电动车,一次充电跑600公里的液流电池车,石墨烯电池,铝离子电池…… 发表于:2015/10/20 中国2015年量产石墨烯锂电池 或颠覆电动车行业 据中国之声《央广新闻》报道,新能源汽车推广长达5年,但效果并不理想。其市场化艰难的主要原因:一是电池续航里程较低;二是充电设施不完善。有消息称,中国2015年将量产石墨烯锂电池 。 发表于:2015/10/20 石墨烯手机来了 再也不用担心照片失真电池老没电(图) 你的手机是否出现过显示失真、电池不经用和手机过热等问题?现在,这些问题都得到有效解决,未来,手机还能够弯曲哦。昨日,全球首批3万台量产石墨烯手机在渝面世,与传统智能手机相比,加入石墨烯材料零部件的手机具有显示不偏色不泛黄、电池更经用、手机不发烫等优势。这款名为影驰“SETTLER α(开拓者α)”的石墨烯手机与传统智能手机相比没有任何不同,16G售价2499元,现已接受官方预订。 发表于:2015/10/20 石墨烯电池等技术一览 破除可穿戴续航之殇 电池现如今已经成为了可穿戴设备技术进步的最大限制之一。虽然可穿戴设备仍然在不断改进中,但是当人们试图让可穿戴设备待机时间更长或者是设计的更轻巧时,由于电池的限制都使得这些改进无法实施。 发表于:2015/10/20 炒作铺天盖地 石墨烯作锂电负极产业化前景渺茫 自从英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·海姆(AndreGeim)和康斯坦丁·诺沃肖洛夫(KonstantinNovoselov)二人因为“二 维石墨烯材料的开创性实验”共同获得2010年诺贝尔物理学奖之后,任何与石墨烯有关的新闻或者研究成果都受到了人们极大的关注。最近两年,石墨烯相关 “产业”在国内也是如火如荼,与石墨烯有关的数十支概念股一再被爆炒。 发表于:2015/10/20 如何布置无人值守变电站 电力行业无人值守机房无线监控系统主要是对机房设备(如供配电系统、UPS 电源、空调、消防系统、保安门禁系统等)的运行状态、设备运行的环境动力状态(环境温湿度、烟雾报警、水浸报警)等进行实时监控并记录历史数据,实现对电力机房远程遥控管理功能,使电力行业机房监控达到无人或少人值守,为机房的高效管理和安全运营提供有力的保证。 发表于:2015/10/20 可穿戴设备的电池问题如何解决 近年来,新的可穿戴设备,如智能手表和智能眼镜等一直不断地出现在我们的生活中。要弄清可穿戴设备应用的潜力,我们只需观察全球市场的可穿戴设备数量--该数字预计将从2013年的560万增长到2020年的1.24亿(见图1)。有几个因素正在推动这一增长。在大多数发达国家,智能手机市场几乎已经饱和,各制造商已经开始研发能够开创全新发展趋势的设备,如能够连接作为外围设备的可穿戴设备。物联网(IoT)的出现也推动了这一发展趋势。同时,半导体技术使得具有更多功能、更小型化的设备以更高速度生产,也推动了上述发展趋势。 发表于:2015/10/20 Diodes全新100V MOSFET优化以太网供电应用 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电 (PoE) 系统的开关,能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。 发表于:2015/10/19 基于模糊逻辑的无线电能传输输出端稳压控制 为了在无线电能传输系统中获得恒定的输出电压,提出了一种基于模糊逻辑的电容阵列恒压控制方法。通过数学分析与理论推导建立了输出电压与等效电容值的关系式,以输出电压为控制对象,通过控制电容阵列的等效电容实现系统输出电压的恒定。在MATLAB/Simulink中建立了基于模糊逻辑的输出电压控制仿真模型,仿真结果证明了该控制方法的正确性。 发表于:2015/10/19 应用于安全芯片的一种低功耗高精度基准源 利用亚阈值CMOS管的I-V指数工作特性,对三级管VBE电压的负温度系数进行补偿,实现了一种针对安全芯片应用需求的新型基准源。该基准源核心结构是使用亚阈值CMOS管搭建缓冲运放,实现6级温度补偿,输出1 V基准电压。所提出的基准源使用SMIC 180 nm工艺实现,并通过Spectre仿真验证:全温区-40 ℃~125 ℃内,基准电压变化范围小于1 mV;该基准源典型功耗4.5 A;对低功耗高精度基准源的研究具有很强的实用性和指导意义。 发表于:2015/10/19 <…786787788789790791792793794795…>