微波射频相关文章 Vishay发布用于在线流媒体产品演示视频中心的新登录页面 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 8 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，在公司网站(http://www.vishay.com)上发布了在线流媒体产品演示视频中心的新登录页面。视频中心的新首页按照产品分类进行设计和布局，使设计者能够迅速找到各种技术的演示视频。 发表于：8/9/2010 DRAM涨价效应难再现 供给大增考验价格承受力 近2年DRAM价格的高点都出现在上半年，下半年虽然有传统旺季的加持，但DRAM价格反而都是一路走下坡的趋势，除了是全球经济局势变量太多，各厂力拼制程微缩，拼命转进新制程以增加产出，也是因素之一；目前各界认为，2010年上半1颗DDR3单价3美元的时光已难再现，因为随著50奈米制程量产，每颗芯片成本降到1美元，未来DRAM产业不会有暴利，只有合理的利润空间。 发表于：8/5/2010 英飞凌推出具备180A额定电流和不足1毫欧通态电阻的30V车用 MOSFET 2010年8月4日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。 发表于：8/5/2010 基于无线传感器网络的远程智能抄表系统设计方案 智能远程抄表系统节省时间、人力、物力、提高工作效率，降低物业成本，准确及时地将住户所使用的电表数据显示出来，为实现小区科学、系统的物业管理提供了有效的解决方法。智能远程抄表系统的核心是提供了一个控制信号采集和数据传输的平台，可远程对电表进行参数设置、实时监控和故障判断。该系统可用于对水表、气表等其他仪表的远程监控。 发表于：8/4/2010 IR 拓展具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。 发表于：8/4/2010 Ramtron开始提供MaxArias无线存储器商用样片 世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布，已经开始提供基于F-RAM的MaxArias™无线存储器商用样片。Ramtron的MaxArias™系列无线存储器将非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性等特性与行业标准无线存取功能相结合，实现了创新的移动数据采集功能，MaxArias无线存储器是高价值资产跟踪、制造和维护历史数据记录收集，以及智能电表抄表等广泛应用的理想选择。 发表于：8/4/2010 电动车用霍尔位置传感器芯片的使用 电动自行车用的直流无刷电机的转子是由30到40块钕铁硼磁钢构成。由于钕铁硼磁钢的表面磁场强度超过500mT，电动自行车用的直流无刷电机里的位置传感器特别适合采用硅霍耳传感器。硅霍耳传感器的制造工艺可以与集成电路芯片工艺流程完全兼容，这样，硅霍耳传感器后续的信号处理电路，包括前置放大器，施密特触发器和集电极开路输出级可以方便地集成在同一个硅片上，形成霍耳集成电路芯片。 发表于：8/3/2010 分析师认为闪存热 但是供应链不配套 按Web-Feet刚公布的全球闪存的季度报告，NOR及NAND市场都很热。NOR市场由2009年的47亿美元，上升到2010年的57亿美元。而NAND市场与2009年相比增长33.4%，达215亿美元。 发表于：8/2/2010 LSI 推出全新高端口数存储适配器，进一步扩展6Gb/s SAS 系列 全新 MegaRAID、3ware 以及 HBA 产品使单个卡能够直接连接服务器内多达 24 个驱动器，或外部连接多达 512 个器件，从而实现简单高效的存储扩展 发表于：8/2/2010 美光推出新型内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本 2010年7月29日，北京讯 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存，支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的理想存储解决方案。 发表于：7/30/2010 先进制程转换 Q4全球DRAM市场趋向供过于求 Digitimes Research分析师柴焕欣分析，2008年下半受金融海啸冲击，除三星电子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损，为保有手中资金，各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略，此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。 发表于：7/30/2010 Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020标准的新款器件 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出满足严格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指导的新款器件，扩充了高温140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面贴装铝电容器。 发表于：7/30/2010 Vishay Siliconix推出业界面积最小、厚度最薄的N沟道芯片级功率MOSFET 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET —— Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。 发表于：7/29/2010 Vishay推出业内最耐热的薄膜贴片电阻 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，为其用于极高温度环境的无源器件产品组合中增添新系列SMD卷包式薄膜贴片电阻 --- Sfernice PHT，这些电阻针对用在钻井勘探和航天应用的多芯片模块进行了优化。 发表于：7/27/2010 Spansion、尔必达（Elpida）宣布建立更广泛闪存合作联盟 2010年7月26日，中国上海——尔必达（Elpida）存储器公司（TOKYO: 6665）和Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布将扩展在NAND工艺技术和产品基础上更深入的NAND闪存合作联盟。此外，尔必达公司也获得基于MirrorBit®电荷捕获技术的Spansion® NAND IP非专属性授权。尔必达公司将在其位于广岛的尖端300mm晶圆生产厂生产全新NAND产品。双方将分开经营产品销售。 发表于：7/27/2010 «…160161162163164165166167168169…»
