微波射频相关文章 基于无线传感器网络的远程智能抄表系统设计 智能远程抄表系统节省时间、人力、物力、提高工作效率，降低物业成本，准确及时地将住户所使用的电表数据显示出来，为实现小区科学、系统的物业管理提供了有效的解决方法。智能远程抄表系统的核心是提供了一个控制信号采集和数据传输的平台，可远程对电表进行参数设置、实时监控和故障判断。该系统可用于对水表、气表等其他仪表的远程监控。 发表于：7/26/2010 全球MEMS技术应用及其市场发展状况 MEMS有广泛的应用，但其封装测试成本是决定其能否有光明市场前景的重要因素 发表于：7/26/2010 市场低迷大厂获益 谁是下一个奇梦达 近期韩系DRAM大厂──三星、海力士先后宣布上调2010年资本支出，手笔之大令人惊愕。三星将对芯片业务支出20万亿韩元(约合177亿美元)，该数字是此前支出计划的两倍多;海力士也将资本支出提高了三分之一，达到3.05万亿韩元(约合27亿美元)。预计这些支出中将有相当一部分进入DRAM业务。 发表于：7/23/2010 汽车制造行业对电感式传感器的优化选择 汽车生产工艺上来看，近年来，国内汽车制造业的自动化水平大幅提升，明显趋势于提高装配精度、提高生产效率。作为定位及检测手段，多种传感器已经普及到生产线各个环节中，尤其是车厂广泛用于定位的电感式传感器，实时监控着整条线的运行状态。但面对于市场上不同厂家、多系列的传感器，如何选择最适合汽车制造领域应用的产品，成为关键。 发表于：7/23/2010 惠瑞捷全新的 HSM3G 高速存储器测试解决方案为 DDR3、DDR4和更高级的内存提供了低廉的测试成本 【2010年7月23日，北京讯】惠瑞捷 (Verigy)（纳斯达克代码：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存储器测试解决方案，进一步拓展了面向 DDR3世代主流存储器 IC 和更高级存储器件测试能力的 V93000 HSM 平台。V93000 HSM3G 独特的优势在于其未来的可升级性，能够为数据传输速度高达6.8 Gbps未来的三代 DDR 存储器提供价格低廉的测试服务，从而前所未有地长期节约经济成本。 发表于：7/23/2010 惠瑞捷在韩国客户的生产厂安装首款具有每接脚8 Gbps高速存储卡V93000测试机 2010年7月23日，北京讯 首屈一指的半导体测试公司惠瑞捷 (Verigy) (纳斯达克交易代码：VRGY) 在韩国一家不具名客户的生产厂内安装并验证其首款可生产的V93000 HSM6800系统。这套新系统是唯一的一款面向当今 GDDR5超快存储集成电路 (IC)（运行速度超过每接脚4 Gbps）的快速高良率测试解决方案。与当今市场上的其它超高速存储器测试系统相比，它具有明显的产能优势。 发表于：7/23/2010 Spansion公司发布2010年第二财季报告 2010年7月23日，中国上海——全球领先的闪存解决方案供应商Spansion公司 (NYSE: CODE) 今天发布截止至2010年6月27日第二财季的运营情况。由于公司重组后实行的新会计计量产生的影响，Spansion公司同时提供GAAP和非GAAP结果。公司美国GAAP净销售额为2.557亿美元，经营亏损300万美元，净收入为3.418亿美元。公司美国非GAAP调整后净销售额2.927亿美元，调整后运营收入4030万美元，调整后净收入为2740万美元。 发表于：7/23/2010 Vishay推出新款PIN光敏二极管和NPN平面光敏三极管 器件具有紧凑的2.3mmx2.3mmx2.8mm占位，具有350nm至1120nm或470nm至1090nm的光谱带宽，采用1.8mm的鸥翼式和倒鸥翼式封装 发表于：7/22/2010 飞兆半导体150V低RDS(ON) MOSFET在隔离DC-DC应用中实现更高性能 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。该器件利用飞兆半导体先进的工艺技术和封装技术，以及系统专有技术，并采用5mm x 6mm MLP封装，具有效率高、功耗较低和散热较少的特性。 发表于：7/22/2010 Vishay推出使用寿命长达10000小时的新系列牛角式功率铝电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 21 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列4接线端、牛角式功率铝电容器 --- 095 PLL-4TSI。电容器具有17种大尺寸外形，电压等级从350V至450V，在85℃下的使用寿命长达10,000小时。 发表于：7/21/2010 将MEMS传感器用于各种创新的消费类产品设计 MEMS即微机电系统，是利用微米级立体结构实现感应和执行功能的一项关键技术。其中，微米级立体结构是利用被称为“微加工”的特殊工艺实现的微米大小的立体机械结构。 发表于：7/21/2010 先栅极还是后栅极 业界争论高K技术 随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术.不过在制作HKMG结构晶体管的 工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为代表的Gate-first（先栅极）工艺流派和以Intel为代表的Gate-last（后栅极）工艺流派，尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术，但一般来说使用Gate-first工艺实现HKMG结构的难点在于如何控制 PMOS管的Vt电压(门限电压);而Gate-last工艺的难点则在于工艺较复杂，芯片的管芯密度同等条件下要比Gate-first工艺低，需要设 计方积极配合修改电路设计才可以达到与Gate-first工艺相同的管芯密度级别。 发表于：7/21/2010 Vishay推出业界首类具有75V电压等级的固钽贴片电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 7 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首类具有高达75V的工业电压等级的固钽贴片电阻器 --- T97和597D，增强了该公司TANTAMOUNT® 高可靠性电容器的性能，扩大其在高压固钽贴片电容器领域的领先地位。 发表于：7/20/2010 SD协会为 SDXC和SDHC内存卡以及设备定义新的高速性能选择 近日，SD 协会宣布针对速度最快的 SDXC 和 SDHC 设备以及内存卡推出两个全新的高速性能符号。第一个符号是用来表示总线界面速度每秒高达 104 MB、可提高设备性能的产品。第二个符号是用来表示具备允许实时视频录制的性能选项之 SD 内存卡和产品。 发表于：7/20/2010 Diodes全新小巧晶体管实现小型化产品设计 Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。 发表于：7/19/2010 «…161162163164165166167168169170…»
