微波射频相关文章 RS推出1200种三洋半导体产品 国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online（RS在线：http://www.rs-components.com）渠道推出三洋（SANYO）半导体公司的1200类半导体产品。 发表于：3/11/2010 飞兆半导体微型以封装高效产品应对DC-DC设计挑战 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。 发表于：3/2/2010 瑞萨科技推出包括BCR16CM-16LH在内的8款800V三端双向可控硅开关产品，其具有业内最佳的高换向性特点和150°C的结温 2010年2月25日，株式会社瑞萨科技（以下简称瑞萨）宣布推出包括BCR16CM-16LH在内的新型800V三端双向可控硅产品，其所具有的业内最佳高换向性*特点和150°C结温（Tj），使其成为洗衣机和真空吸尘器等家电内AC电机驱动应用的理想之选。该产品样品将于2010年4月起在日本发售。 发表于：2/25/2010 RS添加4100余种泰科电子新产品 国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components于今日宣布，增加泰科电子（Tyco Electronics）4100余种新产品。RS目前拥有种类齐全的泰科电子多媒体技术产品，共计超过18000种，全部产品均有库存，根据客户需求量弹性订购，以行业标准包装形式为设计、原型开发和小批量生产提供服务。 发表于：2/25/2010 Diodes推出能够容忍电话线瞬变的高压二极管阵列 Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM，旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离线整流应用中最坏的线瞬变情况。 发表于：2/25/2010 4% 准确度的可编程平均输入电流限制降压-升压型 DC/DC 转换器 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出效率为 96% 的同步降压-升压型转换器 LTC3127，该器件用高于、低于或等于输出的输入向稳定输出电压提供高达 1A 的输出电流。LTC3127 具有一个准确度达 ±4% 的可编程平均输入电流限值 (范围为 200mA 至 1000mA)，从而使其非常适合于从 GSM 调制解调器或超级电容器充电器 (具有严格输出电流限值的电源来供电)。这使系统设计师能够最大限度地提高从受限电源吸取的电流，从而显著改善数据速率或充电时间。LTC3127 的 1.8V 至 5.5V 输入范围和 1.8V 至 5.25V 的输出范围与所有类型的 PC 卡槽、USB 和单节锂离子或双节/三节碱性/镍镉/镍氢金属电池应用兼容。LTC3127 的电流模式降压-升压型拓扑通过所有工作模式提供连续传输模式，从而简化了设计并确保卓越的性能。LTC3127 的恒定 1.35MHz 开关频率提供低噪声工作，同时最大限度地减小所需为数不多的几个外部组件的尺寸。纤巧外部组件结合 3mm x 3mm DFN 或 MSOP-12 封装为空间受限应用提供高度紧凑的占板面积 发表于：2/24/2010 Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®规定的新款器件 采用紧凑的PowerPAK® MLP 6x6封装；集成高边、低边功率MOSFET、驱动IC和阴极输出二极管；具有27V的输入电压、超过1MHz的工作频率和92%的高效率 发表于：2/23/2010 安森美半导体扩充功率开关产品阵容，推出高压MOSFET系列 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。具体而言，这些方案非常适合用于游戏机、打印机和笔记本电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。 发表于：2/22/2010 Vishay发布六款新型80V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器 器件采用功率TO-220AB、ITO-220AB,TO-262AA和TO-263AB封装、具有10A～30A的电流额定范围,典型VF低至0.57V 发表于：2/8/2010 安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。 发表于：2/3/2010 Vishay的新款TF3系列低ESR固钽贴片电容器适用于以安全为首要考虑的应用中 器件在+25℃和100kHz条件下的ESR低至0.25Ω;容值范围为0.47μF~470μF;电压范围为4V~50V；工作温度范围为-55℃~+125℃ 发表于：1/29/2010 用电容实现LVDS连接交流耦合的设计分析 使用电容实现LVDS数据连接的交流耦合有很多益处，比如电平转换、去除共模误差以及避免输入电压故障的发生。本文不仅介绍了电容的适当选型，也为和终端拓扑提供指导，同时也讨论了共模故障分析的问题。 发表于：1/28/2010 IR 推出适用于汽车的 DirectFET®2 功率 MOSFET，实现卓越的功率密度和性能 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。 发表于：1/27/2010 Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，继续扩展Super Junction FET®技术 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。 发表于：1/27/2010 用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器具有强大的栅极驱动 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。 发表于：1/27/2010 «…168169170171172173174175176177»
