微波射频相关文章 应用RFID技术实现医用植入装置的通信 典型的医用植入装置由体外部分和植入体两部分组成，二者之间通过射频载波传输能量和信息，这与广泛应用的射频识别技术非常相似。本文分析研究了它们在技术和应用层面的特点，提出了一种基于商用RFID技术及其器件实现的医用植入装置双向通信的设计，对于具体实现过程中的关键技术、必要的技术裁剪和技术扩展进行了较为详细的介绍。 发表于：5/17/2010 泰科电子新型POLYZEN器件满足USB挂起模式下的功耗要求 美国加利福尼亚州MENLO PARK，2010年5月17日 —泰科电子（Tyco Electronics）今天宣布推出PolyZen™ ZEN059V130A24LS 器件。这款集成器件可为带有USB接口的电子产品提供全面电路保护，同时满足USB3.0挂起模式下的功耗要求。 发表于：5/17/2010 5月DRAM合约价出炉 DDR2持平 DDR3小涨 原本进入难产阶段的5月DRAM合约价终于开出，一如市场预期，在PC大厂和DRAM大厂多日的拉锯战之下，DDR2合约价最后持平开出，而DDR3合约价则是小涨2~3%；DRAM业者认为，在电子产业的传统淡季还能维持此结果，算是满意，至于第3季传统淡季展望，DRAM厂都不敢把话说的太满，对于能否有大幅涨价的空间？ DRAM厂仅客气表示，在此高档区间震荡就算是合理价位。 发表于：5/17/2010 机台递延交货 DRAM大厂40奈米战局延后 全球DRAM产业40奈米大战出现变量，由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故，瑞晶已松口表示，原本计划年底前旗下8万片12吋晶圆产能要全转进45奈米制程的目标，将正式递延至2011年第1季，其第1台浸润式机台本周才会正式到货，比原订时程晚了2~3个月，内部已决定将8万片产能全数转进63奈米制程作为应变。DRAM业者皆认为，全球DRAM 产业的40奈米正式对决时间点，会是在2011年！ 发表于：5/12/2010 ADI公司的第四代高性能低功耗MEMS陀螺仪支持恶劣工业环境的应用 ADI公司的 iMEMS® ADXRS450是极其稳定、抗振动、低功耗的MEMS陀螺仪，具有0.03°/sec/g的线性加速度灵敏度，功耗仅为6mA。 发表于：5/12/2010 Spansion完成破产法第十一章重整，成功脱离破产保护 2009年3月1日，Spansion申请第11章破产保护。2009年10月26日，公司第一次提交重组计划，其修订后的披露声明于2009年12月22日获得美国破产法院批准。2010年4月16日，Spansion重组计划获得美国破产法院认可并于2010年5月10日正式脱离第11章。随着Spansion成功脱离第11章，Spansion以往的普通股将被取消，不再交易。一些破产前的债权和其他行政事项将继续进行直到最终解决。从今日起，Spansion将不再受美国特拉华州地区破产法庭管辖。 发表于：5/12/2010 iSuppli预测2010年NOR Flash市场收益将止跌回升 据iSuppli预估，由于受到整体经济环境好转和需求回升的鼓舞，NOR Flash闪存市场的整体收益会在2010年止跌回升。 发表于：5/12/2010 可管理的存储器：为存储器系统增加智能的途径 选用可管理的非易失性存储器解决方案具有明显优势和直接效果，体现在：NAND闪存技术变化不影响整个系统；闪存厂商独立共存；移植性；互操作性；存储控制器上软件负荷降低；可扩展性。 发表于：5/11/2010 NOR Flash持续缺货 宜扬4月营收受惠 NOR Flash缺货热浪从年初至今都尚未退烧，相关业者4月营收相对出色！旺宏自结营收为新台币22.94亿元，较上月小幅增加2.1%，华邦4月营收则为34.61亿元，较上月成长10.22%，其中宜扬则以黑马之姿窜出，4月营收较上月成长37%，达5.99亿元，主要就是受惠NOR Flash和MCP缺货涨价之赐。 发表于：5/11/2010 三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大关 2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中，仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头，根据集邦统计，三星的市占率高达39.2%，东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后，第1季位元成长率较上季增加15%，但平均单价(ASP)小跌5%，全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元，较上季39.1亿元成长11.6%。 发表于：5/11/2010 美光12亿美元并恒忆 坐拥DRAM、NAND、NOR三大技术 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx B.V.)的所有程序。依据协议，美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Francisco Partners)。 发表于：5/11/2010 下世代内存大战起 国际大厂攻势凌厉 近期相变化内存(PCMorPRAM)市场战况火热，继三星电子(SamsungElectronics) 宣布将相变化内存用在智能型手机(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片问世后，恒忆(Numonyx)也宣布推出针对PC、消费性电子和通讯市场使用的相变化内存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量达128Mb，随着国际大厂接连发动攻势，让原本冷门的相变化内存市场一夕之间热了起来！ 发表于：5/11/2010 为存储器测试开发低成本的解决方案 本文将探讨存储器测试解决方案的开发以及验证功能和物理连接所需的测试设备功能。并分析除了满足存储器基本功能测试之外，如何扩展测试能力。 发表于：5/11/2010 德州仪器最新DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET 随着许多标准架构(PCI、ATCA)，电信及服务器机柜的尺寸越来越小，功率密度会越来越大。在相同尺寸下，PCB板上集成的芯片越来越多，从而导致其电流不断增加。所以，客户需要具有更小体积和更高电流的DC/DC电源，以满足各种基础设施市场对处理器功能提出的更高要求。TI于近日推出了一款采用创新封装手段的DualCoolTM NexFETTM功率MOSFET，它能够以不变的几何尺寸传输更多的电流，可充分满足客户需求。 发表于：5/10/2010 英飞凌推出适用于高压功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8无管脚SMD封装，旨在实现更高功率密度解决方案 2010年5月10日，德国Neubiberg讯——英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间仅为64平方毫米（D2PAK的占板空间为150平方毫米），高度仅为1毫米（D2PAK的高度为4.4毫米）。大幅缩小的封装尺寸结合低寄生电感，使设计者能以全新方式有效降低高功率密度应用所需的系统解决方案尺寸。 发表于：5/10/2010 «…167168169170171172173174175176…»
