头条 使用有安全保障的闪存存储构建安全的汽车系统 在现代汽车嵌入式系统中，高度安全的数据存储是必不可少的，尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。 最新设计资源 一种小型履带式排爆机器人的设计与实现[嵌入式技术][物联网] 设计并实现了一套功能高度集成的无线遥控机器人平台，由履带排爆机器人和手持控制终端组成。机器人自身搭载的传感器可以对环境状态进行侦测，并发送给手持终端。手持终端则远程控制机器人的动作，实现危险爆炸物的排除和危险有害环境的监测，防止人员遭受伤害。该平台实现方案具有成本低、体积小、功耗低、可移植性和扩展性强等特点。 发表于：2016/8/19 四路串行CMOS复接器的设计实现[嵌入式技术][其他] 通信系统中，数字复接是提高带宽利用率的一项重要技术，将多路并行低速信号转变为高比特率的串行数字流。首先使用Cadence软件仿真基本门级CMOS电路，通过自下而上的FPGA设计方法和Verilog硬件描述语言，设计四路串行复接器的功能组成模块，完成Quartus II平台上的可综合验证。最后提出了复接器CMOS集成电路的设计思路。 发表于：2016/8/19 Linux下实时文件系统的设计[嵌入式技术][数据中心] Linux下常见的十余种文件系统的实时性都不理想。针对归档存储数据的特点，提出一种实时文件系统设计方案，并且设计了一种按照时间点检索的检索算法。文件系统的设计以减少读写文件时的不确定延迟为目的，主要减少写时寻道时间，简化索引机制，简化空闲磁盘块管理。 发表于：2016/8/19 基于分层队列历史性能建模的云系统资源管理[嵌入式技术][其他] 为评定企业级云系统在负载下的响应处理能力，需要对其有直接影响的资源管理能力进行评估和预测。而这种评估的有效性在对紧急资源请求、动态负载变化、消费者并行调节等协同需求因素综合考虑的情况下将显得更加有效。然而，目前尚没有对这些因素进行比较系统的研究报告。针对上述需求，以分层队列和历史建模技术为模型及实验基础，以大量数据实例为背景进行了分析。实验结果显示，以分层队列模型及历史性能建模为指导的新架构可以达到70%的预测准确度。以此为基础，给出了一个基于预测模型的云负载和资源管理算法。 发表于：2016/8/19 MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：2016/8/19 P沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 发表于：2016/8/19 N沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。 由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 发表于：2016/8/19 利用动态二进制分析方法实现内存自动检测[嵌入式技术][其他] 内存相关程序错误的自动检测技术能够帮助程序员尽早发现程序中的内存相关错误，从而提高软件开发效率，增强软件运行的可靠性。探讨了采用前沿的动态二进制分析技术检测软件中与内存相关错误，为程序员定位错误位置、查找错误、消除错误原因提供准确的信息的方法，为致力于内存程序错误检测技术的研究人员提供参考。在C/C++软件中的内存错误检测实例验证了本文方法的有效性。 发表于：2016/8/18 一种实时数据库数据存储结构的研究[嵌入式技术][数据中心] 为了适应国产化指挥显示控制系统中对大批量过程数据的实时快速存储管理的需求，结合实时系统技术和数据库技术，在自主研究设计的力数实时数据库系统的基础上，研究设计了适合当前背景的内存数据的存储结构、磁盘历史数据的存储结构及数据模型，它能够更好地满足当前指挥显示系统的实际需求。 发表于：2016/8/18 压缩感知在无线传感网络的应用综述[通信与网络][通信网络] 随着信息技术的发展，近些年压缩感知技术格外引人瞩目，在图像视频编码、雷达及微波辐射成像、气象卫星、图像加密、物联网等领域展现出强大的功能与发展前景。首先介绍了压缩感知在无线传感网络领域的发展及研究现状，然后从压缩感知仿真实验和实例、压缩感知的测量方案、压缩感知的解压缩方案、压缩感知在无线传感网络的具体应用四个方面阐明了压缩感知在无线传感网络领域的优势，最后对压缩感知的前景进行了展望。 发表于：2016/8/18 在线社交网络研究概述[通信与网络][通信网络] 在线社交网络是伴随着互联网技术发展产生的，它属于众多复杂网络中的一种。近年来，对于在线社交网络的研究不断深入，研究方向可以细分为网络拓扑特征的分析、虚拟社区划分算法的研究、传播动力学研究、网络采样与重构、网络拓扑识别等。大数据研究的兴起使得在线社交网络的研究更加受到人们的关注。当前，人们的日常生活几乎离不开在线社交网络，也因此每天都会有大量的用户数据产生，分析、利用这些数据可以帮助人们了解自己并创造更多的价值。 发表于：2016/8/18 MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：2016/8/18 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思[模拟设计][消费电子] 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 发表于：2016/8/18 什么是耗尽型MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。 发表于：2016/8/18 最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型[模拟设计][消费电子] 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比（VSWR）的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。 发表于：2016/8/18 <…521522523524525526527528529530…>
