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工业互联网数据安全分类分级防护框架研究

工业互联网数据安全分类分级防护框架研究[通信与网络][工业自动化]

通过对工业互联网数据面临的主要问题和风险进行分析,并对适用于工业互联网数据安全的防护技术进行研究,提出从通用安全防护、分类安全防护、分级安全防护三个层面构建的工业互联网数据安全防护框架,将系统防护与数据防护、动态防护与静态防护、管理要求与技术支撑相结合,解决不同层次的安全问题,为有效提升企业工业互联网数据安全防护能力提供借鉴思路。

发表于:1/18/2021 4:36:00 PM

用于甚低频无线通信的一种低噪声放大器设计

用于甚低频无线通信的一种低噪声放大器设计[模拟设计][其他]

介绍了一种用于甚低频无线通信中的低噪声放大器的设计。提出了一个由低通跨导与自共源共栅MOSFET形成的新环路,用于稳定放大器的输出偏置电压。该环路配合恒定跨导偏置电路,可使放大器的开环增益保持在40 dB左右,不会受到工艺偏差、电源电压波动和工作温度变化的影响。该放大器中自共源共栅MOSFET作为增益单元,配合全差分电流偏置电路,输出范围可达到轨到轨。此放大器具有高达101.4 dB的带内电源抑制比。当可穿戴设备采用高阻抗电源供电时,电源纹波对输出信号几乎无影响。

发表于:1/18/2021 9:13:00 AM

MOSFET寄生参数对LLC谐振变换器性能影响研究

MOSFET寄生参数对LLC谐振变换器性能影响研究[模拟设计][其他]

针对MOSFET寄生参数对LLC谐振电路性能的影响,首先对MOSFET的寄生电容进行等效分析,基于该等效模型,分析在LLC谐振变换电路中,寄生参数的存在对电路各个阶段过程的影响;接着对由于寄生参数引起的非线性特征,基于Angelov模型进行建模,并对该模型在直流电路中的影响进行分析。最后在MATLAB下建立了LLC谐振电路模型,在仿真模型中考虑了寄生参数的影响。仿真结果表明,建立的等效模型可以较好地反映MOSFET器件的工作特点;同时,由于寄生参数的存在,LLC谐振电路的输出增益和谐振频率都会受到影响,其中尤以对谐振频率的影响较大。

发表于:1/18/2021 9:06:00 AM

基于SystemVerilog的超高频RFID标签数字基带设计与研究

基于SystemVerilog的超高频RFID标签数字基带设计与研究[通信与网络][通信网络]

在ISO/IEC 18000-6C标准协议的基础上,对超高频射频识别(UHF RFID)标签数字基带的设计与实现展开研究。根据协议规定的标签数字基带的设计要求和指标,采用SystemVerilog分别对标签发送和接收基带进行建模,并给出基带中关键模块的理论推导和设计实现。SystemVerilog作为Verilog基础上拓展产生的硬件描述语言和验证语言,可以大幅度提高SoC设计的效率。最后使用Modelsim SE-64 10.4对标签数字基带设计进行仿真,结果表明该数字基带符合ISO/IEC 18000-6C协议要求,该设计为单芯片UHF RFID标签提供了设计参考。

发表于:1/15/2021 9:19:00 AM

基于改进的Faster R-CNN的古建筑地砖缺陷检测

基于改进的Faster R-CNN的古建筑地砖缺陷检测[测试测量][其他]

缺陷检测对于古建筑的保护和修缮具有重要的意义,传统的地砖缺陷检测通过目视检查,存在受人力影响大、耗时长等限制。基于深度学习的良好应用前景,建立故宫地砖缺陷的数据集,提出改进型Faster R-CNN的网络。首先,构建可变形卷积,通过网络学习并提取地砖中的缺陷特征;然后,将特征图输入区域生成网络中生成候选区域框,将生成的特征图和候选区域框进行池化操作;最后,输出缺陷检测结果。在故宫地砖图片数据集的测试下,改进后的模型平均准确率均值到达92.49%,与Faster R-CNN模型相比提高了2.99%,更适用于地砖缺陷检测。

发表于:1/15/2021 9:11:00 AM

基于ADAS的汽车倒车防碰撞系统设计与研究

基于ADAS的汽车倒车防碰撞系统设计与研究[微波|射频][汽车电子]

深入分析了当前倒车影像系统在实际使用场景上的不足,介绍了雷达存在的辐射面有限、角度盲区、物体识别方面的缺陷,以及毫米波雷达的高成本难以普及应用。提出了基于ADAS的汽车倒车防碰撞系统设计,对系统倒车功能做了深入的原理分析,针对基于倒车摄像头图像分析的ADAS算法详细介绍了其技术关键点和基于倒车场景融合特征的创新应用,算法识别效果精准有效。针对不同车辆摄像头安装位置和朝向的差异创新设计了灵活的预警和报警区域的调节功能,结合TTS语音提醒和图文显示提醒司机采取合适的操作保障行车安全,极大地改善了该倒车防碰撞系统的用户体验和实际作用,为司机的安全行车提供了有力保障。

发表于:1/14/2021 9:32:00 AM

FinFET器件结构发展综述

FinFET器件结构发展综述[其他][其他]

随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求。FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用。主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构。最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望。

发表于:1/14/2021 9:23:00 AM

一种小型化大动态范围的接收机信道设计与测试

一种小型化大动态范围的接收机信道设计与测试[测试测量][工业自动化]

当两个较强信号同时被接收机接收时,为了降低其产生的三阶交调分量对接收机造成的干扰,提高接收机的无杂散动态范围,提出了一种高线性度接收机信道设计方案。通过对信道链路合理的增益分配、恰当的元器件选型,实现了输出三阶截断点(3rd-order Output Intercept Point,OIP3)为45 dBm的接收机指标。采用MCM(Multichip Module)技术实现了接收机小型化的硬件设计,并用改进的测试方法进行了测试,验证了此接收机良好的动态范围特性。

发表于:1/13/2021 9:01:00 AM

一种手持终端的470 MHz频段IoT天线设计

一种手持终端的470 MHz频段IoT天线设计[通信与网络][通信网络]

许多手持终端设备都需要一种轻便、紧凑的接收和发射天线,FPC天线以重量轻、厚度薄等特点收到广大设计师的青睐。为获得适合尺寸、带宽和增益的天线,提出一种以FPC软材质为集成平台,采用传输线与天线为一体化设计,在保持天线大小不变的情况下,通过增加耦合枝的方式增强辐射单元能量耦合,从而有效改善带宽和提升增益。传输线与天线一体化设计可以有效利用天线空间,改善端口特性。通过仿真与实际测试,天线带宽满足在470 MHz~510 MHz工作频段,S11<-10 dB。在490 MHz处S11<-12 dB,有效增益0 dBi。

发表于:1/13/2021 8:53:00 AM

接收机下变频器级联噪声系数研究

接收机下变频器级联噪声系数研究[模拟设计][其他]

依据噪声系数定义,推导出了包含混频器接收机的级联噪声系数公式,根据公式很容易计算和分析器件噪声、增益及镜频抑制度对整机噪声系数的影响。镜频抑制滤波器位置要在低噪声放大器后尽量靠近混频器,滤波器前的增益以及滤波器镜频抑制度要足够大,至少大于20 dB。通过合理的结构设计以及镜频抑制后,二次、三次下变频接收机噪声系数分别比镜频噪声完全不抑制时降低接近6 dB、9 dB。

发表于:1/12/2021 9:57:00 AM

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