头条 IBM首次接通两颗量子芯片 99%精度跨芯片量子态传输 10月29日消息，IBM工程师近日首次将两个独立的量子处理器连接起来，实现了跨芯片的量子态传输与纠缠，为模块化量子计算机架构扫清了关键障碍。相关论文已发布在arXiv预印本平台，尚未经过同行评审。 最新资讯 一图看懂：英特尔以数据为中心的整体布局及技术创新里程碑 现如今，无论是汽车、零售商店，还是医院、家庭、工厂，所有物和设备变得越来越像一台台“计算机”。智能变得无处不在，数据不仅呈现指数级增长，其形态也变得日益多样化。然而，未经处理的数据毫无价值，只有将数据转化为业务价值，才能创造新的服务和体验。英特尔认为，人工智能、5G、边缘智能是当今三大转折性技术领域。这三项技术的交汇与叠加，是构建下一波应用创新的关键驱动力。 发表于：2019/12/20 持续投资教育，践行企业公民责任 日前,TI杯2019年全国大学生电子设计竞赛颁奖典礼在京举行，这场覆盖了全国29个省市赛区、1,109所院校、17,313支参赛队伍、52,000名学生的技术盛宴至此落下帷幕，作为2018年至2027年全国大学生电子设计竞赛的唯一冠名商和赞助商，TI再次完美的阐释了何为企业的社会责任。“在TI，我们特别相信一个强大的公司可以把社区建设得更强，而一个更强的社区也能够成就一个更强大的公司”，德州仪器全球教育技术总裁、教育事业及企业社会责任副总裁 Peter Balyta博士介绍到。 发表于：2019/12/20 用于包络跟踪功率放大器的三电平包络调制器 提出了一种三电平(3-level)包络调制器结构，使用3-level开关变换器取代两电平(2-level)开关变换器，通过三电平拟合的方法使开关变换器的输出电流摆率能够跟随输入包络的幅度自适应变化，有效减少线性放大器的输出电流，达到降低线性放大器动态功耗的目的，从而提升系统的整体效率。电路设计采用55 nm CMOS工艺，仿真结果显示，在3.3 V供电，10 MHz LTE输入信号下，基于3-level包络调制器的功率放大器输出功率为27.5 dBm，效率为85%，与传统结构相比，效率提升了2%。 发表于：2019/12/20 美光获许可出货华为 DRAM和NAND有望Q3恢复 美光科技公布截至2019年11月28日的2020财年第一季度业绩，营收及盈利均超市场分析师预期，分析师此前平均预期营收为49.9亿美元，平均预期每股收益是0.47美元。 发表于：2019/12/20 波音停产 737 客机，美 GDP 崩盘？ 与非网 12 月 19 日讯，据外媒报道，分析师和专家表示，波音决定暂时停产旗下畅销机型 737MAX，将影响美国的经济增长与就业，不过冲击可能比较短暂，而且集中在供应商所在的地区。 发表于：2019/12/19 微型数据转换器如何通过更小尺寸为您带来更多价值 随着系统尺寸越来越小，每平方毫米的印刷电路板（PCB）面积都至关重要。与此同时，随着对数据需求的增加，则需要监视更多的传感器。 本文将讨论如何显著减少PCB占用空间，增加通道密度以及最大限度地发挥其他组件和功能与TI微型数据转换器高度集成的优势，从而以更小的尺寸创造更多的价值。 发表于：2019/12/19 中国广电：“第四大运营” ,与国家电网正式确立5G合作 今年6月，中国广电获发5G牌照，正式跻身电信行业第四大运营商。坊间一直盛传中国广电与国家电网公司将在5G领域展开合作。双方在5G方面的合作事项已基本确立，目前正有序推进，最快年底合作方案就会出炉。 发表于：2019/12/19 西门子发布支持持续软件开发的工程平台 TIA 博途（Portal）工程平台的全新版本V16侧重于标准化和持续集成功能 开发团队分布式协作，显著提高工程效率 集成测试套件，大幅提高软件质量 通过跨供应商的OPC UA通讯标准，实现透明操作 发表于：2019/12/18 阿里云 腾讯云相继发布深维科技图像处理解决方案 随着5G、人工智能（AI）、云计算、物联网及自动驾驶等新一代信息技术快速演进，全球数据正在指数级增长并呈海量喷涌的态势。面对无止境的数据增长，数据中心的运营者必须在用户体验和运营成本间取得走钢丝般的微妙平衡。一方面，海量喷涌的用户数据，为运营者提供了丰富的应用素材、更新颖的应用模式，同时，处理这些海量喷涌的用户数据，则意味着计算成本、运维成本大幅上升的危险。企业必须在业务应用中做出艰难的选择，既要努力发掘更新颖、体验更佳的应用模式，又要密切关注业务运营成本的急速增长，才可能在未来的竞争中获得优势。 发表于：2019/12/18 深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟 为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应，采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108～1×1010 (Gy(Si)/s)的7个点，模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出，γ剂量率在小于5×109 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力，为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。 发表于：2019/12/18 <…1967196819691970197119721973197419751976…>
