头条 华为发表半导体演进新定律 摩尔定律面临物理极限和经济效益双重挑战，全球芯片行业迫切需要探索新的演进路线。5月25日，电气电子工程师学会（IEEE）在上海举办的国际电路与系统研讨会上，华为公司发表了韬(τ)定律，提出以“时间 (τ) 缩微”替代“几何缩微”，作为半导体与电子系统演进的新指导原则。通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，从而实现半导体与电子系统的持续演进。 最新资讯 简易数字控制双相信号发生器的设计与实现 以STM32F103VCT6单片机为控制核心，实现了一个可产生两路幅度、频率、占空比、相位差皆可调的矩形波或正弦波的双相信号发生器。系统由带有TFT显示屏、键盘输入模块的STM32系统和外部调理电路组成。本系统可以高精度地实现信号发生器的基本功能，能够适应普通电子测量场合的应用。 发表于：2016/2/19 2015年闪存市场产业分析 2015年NAND Flash的主要成长动力主要来源于市场对eMMC和SSD更大容量的需求，而这一需求，推动了Flash原厂三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士等利用先进1ynm工艺加快导入TLC。在原厂技术和产能的驱动下，2015年NAND Flash市场供应量超过810亿GB当量，较2014年成长20%；消费类每GB当量NAND Flash销售价格已下探至0.12美金，跌幅超过40%。而且，这一供过于求的状况还将持续到2016年上半年，预计下半年市况将有好转。 发表于：2016/2/19 国家大力发展集成电路产业，存储领域优先受益 中国市场具有强劲的消费内需，还有联想、华为、小米等终端制采购商，每年大约要消耗全球30%的NAND Flash产能， 2015年中国NAND Flash市场规模达100亿美金。然而，中国集成电路产业发展相对滞后，国内企业不仅生产水平与国际大厂有一定的差距，甚至在很多关键芯片上缺乏核心技术，几乎90%以上的主芯片都要依赖国外进口，尤其是存储芯片。 发表于：2016/2/19 服务器市场对SSD需求将持续扩大 随着智能型手机、平板等移动设备和4G网路的普及，移动互联网应用、电子商务等领域海量的文本、图片、音视频等数据倍增，再加上科学研究、档案资料等，产生的数据正在以每年ZB的数量级增长，预计到2020年全球数据量将超过40ZB，其中大约70%-80%的数据将存储在云端。 发表于：2016/2/19 SSD接口开始由SATA向PCIe过渡 消费类SSD市场，SATAIII接口基本已实现了市场的普及，随着产品的发展，SSD接口将由SATAIII向PCIe过渡以实现速度的提升。SATAIII最高传输速度为600MB/s，PCIe Gen2 x1最高传输速度为500MB/s，随着PCIe接口规范的发展，PCIe Gen3 x1最高传输速度达到1GB/s，是SATAIII接口速度的2倍， PCIe Gen3 x4扩展速度更是达到最高4GB/s，这也是推动SSD接口向PCIe发展的最大推动力。 发表于：2016/2/19 苹果、三星开始引导高端机型向NVMe SSD、UFS 2.0发展 苹果和三星在智能型手机市场起着领导作用，2015上半年三星旗舰机Galaxy S6/Edged采用64位八核Exynos7420，搭载UFS 2.0+LPDDR4，下半年魅族也采用Exynos7420+UFS 2.0方案推出旗舰机Pro 5，引爆UFS 2.0+LPDDR 4为高端智能型手机标准的风潮。除了三星Exynos7420，高通骁龙810也已支持UFS 2.0和LPDDR4，但由于市场验证速度慢，UFS 2.0较eMMC偏高等原因，大部分智能型手机主要以eMMC 5.0搭配LPDDR4存储方案为主，并向eMMC5.1升级。 发表于：2016/2/19 eMMC已现速度瓶颈，UFS 2.0是未来发展趋势 2015年中高端智能型手机向64位八核发展，eMMC5.0已成为主流，当智能型手机向十核或更高规格发展，eMMC则需要向600MB/s或更高的理论传输速度提升来满足需求。 发表于：2016/2/19 2015年eMMC最高跌幅高达40% 2015年智能型手机已向64位、八核迈进，2016年将向更高规格发展，eMMC速度提升出现瓶颈，UFS2.0最高理论传输速度11.6Gbps，将引领在高端智能型手机中应用，而UFS规范的发展将把速度提上另一个新高度。 发表于：2016/2/19 2016年，3D Flash将续写摩尔定律 与2D工艺相比，3D技术具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，但三星32层TLC 3D NAND成本仅介于2D 19nm TLC与16nm TLC之间，缺乏竞争力。2016年3D技术进入48层256Gb TLC NAND，再加上Flash原厂3D NAND投产竞争下，3D技术将越来越有成本优势，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年将提高到45%，逐渐成为NAND Flash主流。 发表于：2016/2/19 NAND Flash产量增加30%，价格快速下滑 2014年1ynm MLC较1xnm MLC每片Wafer的Flash Die产量可增加25%， 2015年Flash原厂全面向1ynm TLC规模化量产，与1ynm MLC工艺比较，每片Wafer的Flash Die产量可增加30%，成本下滑20%。 发表于：2016/2/19 <…4302430343044305430643074308430943104311…>
