工业自动化最新文章 北极雄芯宣布两颗芯粒成功交付流片 8月14日消息，北极雄芯(Polar Bear Tech)官方宣布，历经近2年的设计开发，自主研发的启明935系列芯粒(Chiplet)已经成功交付流片，而且一次性投出两颗，一是通用型HUB Chiplet“启明935”，二是原生支持Transformer全系算子的AI Chiplet“大熊星座”。 发表于：2024/8/15 英国监管机构启动对Synopsys以350亿美元收购Ansys的交易调查 8月14日 据外媒报道，针对美国电子设计自动化软件供应商Synopsys（新思科技）此前宣布以350亿美元收购工程模拟和3D设计软件公司Ansys的交易，英国竞争与市场管理局(CMA)日前已展开调查。 作为英国竞争监管机构，CMA正在考虑该交易是否会根据《2002年企业法》的合并条款造成相关合并的情况，即这笔拟议的交易是否会导致英国任何服务或商品市场的竞争大幅减少。 为了帮助评估，CMA正在征求有关各方对此次拟议收购交易的意见。提交意见的最后日期将由英国反垄断监管机构确认。第一阶段决定和启动合并调查的截止日期尚未得到反垄断监管机构的确认。 发表于：2024/8/14 Intel抛售全部Arm持股筹集约1.47亿美元 Intel抛售全部Arm持股！筹集约1.47亿美元 发表于：2024/8/14 SK海力士将转向4F2结构的3D DRAM 为降低EUV光刻成本，SK海力士将转向“4F2”结构的3D DRAM 发表于：2024/8/14 LG Display决定向TCL华星出售广州8.5代LCD工厂 LG Display决定向TCL华星出售广州8.5代LCD工厂 发表于：2024/8/14 SK海力士DDR5被曝涨价15~20% 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。 今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。 发表于：2024/8/14 HBM带动三大内存原厂均跻身2024Q1半导体IDM企业营收前四 8 月 13 日消息，据 IDC 北京时间本月 7 日报告，三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半导体 IDM（注：整合组件制造）企业营收榜单第 1、3、4 位，第二位则是英特尔。 发表于：2024/8/14 宁德时代全固态电池2027年有望小批量生产 宁德时代：全固态电池技术我们行业领先 2027年有望小批量生产 发表于：2024/8/14 英飞凌推出PSOC™ Control MCU系列 【2024年8月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）近日推出全新PSOC™ Control微控制器（MCU）系列。该系列适用于新一代工业和消费电机控制以及功率转换系统应用，包括家用电器、电动工具、可再生能源产品、工业驱动器，以及照明和计算/通信电源等。 发表于：2024/8/13 复旦团队国际首次验证超快闪存集成工艺 8 月 13 日消息，据复旦大学官方今日消息，人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存。然而，如何实现规模集成、走向实际应用极具挑战。 从界面工程出发，复旦大学团队在国际上首次验证了 1Kb 超快闪存阵列集成验证，并证明了超快特性可延伸至亚 10 纳米尺度。北京时间 8 月 12 日下午 5 点，相关成果以《二维超快闪存的规模集成工艺》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）为题发表于国际顶尖期刊《自然-电子学》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。 发表于：2024/8/13 把两块芯片压成一块：EUV以来半导体制造的最大创新 把两块芯片压成一块：EUV以来半导体制造的最大创新 发表于：2024/8/13 传台积电将在高雄建设1.4nm晶圆厂 因应全球芯片订单及AI快速发展，台积电持续寻觅可用厂区土地，将最先进制程技术留在台湾发展。高雄楠梓园区除3座2纳米技术晶圆厂外，还有基地可容纳2纳米以下技术设厂需求。据悉，高雄市府已超前部署，锁定A14（14埃米）制程，盘点次世代先进技术生产土地及水电供给，作为台积电坚强后盾。 针对台积电将于高雄扩大埃米制程布局，公司低调表示不回应市场传言。 发表于：2024/8/13 消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资 8 月 12 日消息，韩媒 ETNews 报道称，三星电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。 平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。 而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在报道中称，三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。 发表于：2024/8/13 美光加码投资台湾建立第二研发中心 美光总裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月访问中国台湾，将带来更进一步合作，例如在人工智能（AI）应用扮演重要角色的高带宽存储器（HBM）。据悉，美光将加码在中国台湾投资，除制造HBM先进制程外，不排除有机会在中国台湾创建第二个研发中心。 发表于：2024/8/13 武汉光谷实验室研发量子点光刻胶 8 月 13 日消息，武汉光谷实验室宣布与华中科技大学等研究团队合作研发出高性能量子点光刻胶（QD-PR），其蓝光转换效率达到 44.6%（绿色）和 45.0%（红色），光刻精度达到 1 μm，各项性能指标为行业领先水平。 发表于：2024/8/13 <…194195196197198199200201202203…>
