汽车电子最新文章 尼得科（NIDEC）与瑞萨电子合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的半导体解决方案 2023 年 6 月 5 日，日本东京讯 - 尼得科株式会社（以下简称“尼得科”）瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）已达成共识，将合作开发应用于新一代E-Axle（X-in-1系统）的半导体解决方案，该新一代E-Axle系统集成了电动汽车（EV）的驱动电机和功率电子器件。 发表于：6/5/2023 瑞萨电子携多款先进解决方案亮相2023上海国际嵌入式展 2023 年 6 月 5 日，中国上海讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，将携多款面向汽车电子、工业、物联网及基础设施等应用领域的先进解决方案亮相2023上海国际嵌入式展（以下简称：ewCN），展位号：Hall 3，A090。本次展会将于2023年6月14日至16日在上海世博展览馆3号馆举行。届时，瑞萨电子的技术专家将在现场展示瑞萨电子如何将嵌入式系统的创新技术与解决方案应用在各个领域，助力中国市场发展。 发表于：6/5/2023 如何通过实时可变栅极驱动强度更大限度地提高 SiC 牵引逆变器的效率 在本文中，我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势，这项新功能可让设计人员优化系统参数，例如效率（影响电动汽车行驶里程）和 SiC 过冲（影响可靠性）。 发表于：6/4/2023 X-FAB率先向市场推出110纳米BCD-on-SOI代工解决方案 中国北京，2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。 发表于：6/2/2023 是德科技携手几何伙伴签署合作备忘录，共同推动汽车感知平台发展 2023年 05 月 23 日，北京——是德科技（Keysight Technologies, Inc.）日前宣布，是德科技与几何伙伴签署合作备忘录，致力于携手推动汽车感知与自动驾驶技术的发展。是德科技是一家领先的技术公司，致力于帮助企业、服务提供商和政府客户加速创新，创造一个安全互联的世界。 发表于：6/1/2023 索尔维推出新型KetaSpire® PEEK用于电机单层电磁线绝缘层 2023年5月23日 ，美国乔治亚州阿尔法雷塔 全球特种材料市场的领导者索尔维公司宣布推出KetaSpire® KT-857，这是一种新型聚醚醚酮（PEEK）挤出化合物，专门为电机的铜磁线绝缘而设计。开发这种定制工程绝缘材料的动力来自于OEM为解决消费者的续航焦虑而向更高能量密度的电池和800V及以上电压的电动动力系统迈进。 发表于：6/1/2023 TI 推出增强型栅极驱动器UCC5880-Q1，电动汽车再“续航” 在电动汽车高电压电源转换以及电驱动设计中，设计者常常面临四大挑战：第一，设计更高效的牵引逆变器；第二，提高功率密度；第三，设计高可靠性的系统；第四，降低系统复杂度。 发表于：6/1/2023 泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案，加快SiC和GaN技术验证速度 中国北京，2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 （WBG-DPT解决方案）。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。 发表于：6/1/2023 Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型 加州戈利塔--（2023年5月31日）-- 高可靠性、高性能氮化镓（GaN）电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. （Nasdaq: TGAN）宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更优越的性能，以及更为合理的成本。Transphorm近期已验证了氮化镓器件在100kHz开关频率的5kW 900伏降压转换器中更高的性能。1200伏氮化镓器件实现了98.7%的效率，超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。 发表于：6/1/2023 Vishay推出厚膜功率电阻器 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脉冲处理能力，在85 °C底壳温度下，功率耗散达120 W，可选配NTC热敏电阻用于内部温度监控，预涂相变热界面材料（PC-TIM）提高贴装效率。 发表于：6/1/2023 基于队列行驶的车联网安全通信研究 基于队列的驾驶模式能够有效提高道路的通行能力和能源效率，在此基础上，研究了基于队列的车辆网络在有窃听者存在下的无线连接性能，推导出队列内、队列外和整个网络的安全连通概率，以分别描述单个队列、两个队列和所有队列组成的网络。仿真结果表明，影响连接性能的系统参数包括传输范围、窃听者数量和车辆密度，且存在最优车辆密度使安全连接性能达到最佳。 发表于：5/31/2023 应对实际工程挑战，如何为嵌入式软件开发选择编译器 在过去数十年，摩尔定律一直支配着半导体的发展。随着MCU的性能越来越强，嵌入式产品也越来越智能，嵌入式软件也变得越来越复杂。编译器作为嵌入式软件开发的基础工具，将程序员编写的源代码转换为底层硬件可以执行的机器指令。一款优秀的编译器既需要对程序进行优化，确保程序可以高效地运行，同时又需要保证转换的一致性。 发表于：5/29/2023 恩智浦S32G3处理器加速开发软件定义汽车和安全处理 随着S32G3系列量产，S32G系列汽车网络处理器的规模翻了一番，其性能、内存和网络带宽均为S32G2系列的2.5倍。新的S32G3处理器与S32G2处理器兼容封装引脚和软件，允许客户设计性能扩展约10倍，以支持多个产品层或随着时间的推移提高产品性能。S32G系列现在从三个双核锁步微控制器扩展到四个双核锁步微控制器+八路高性能微计算机，提供3.9k到36k DMIPS的处理范围。 发表于：5/29/2023 贸泽电子第九次荣获TE Connectivity年度全球卓越服务代理商奖 2023年5月19日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 （NPI） 代理商贸泽电子 （Mouser Electronics） 宣布第九次荣获全球连接器和传感器知名供应商TE Connectivity （TE） 颁发的年度全球卓越服务代理商奖。此项大奖肯定了贸泽电子2022年在销量增长、市场份额增长、客户增长以及在商业推广计划方面的杰出表现。 发表于：5/24/2023 恩智浦携手台积电推出行业首创汽车级16纳米FinFET嵌入式MRAM 荷兰埃因霍温——2023年5月22日——恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车厂商需要在单个硬件平台上支持多代软件升级。利用16纳米FinFET技术将恩智浦的高性能S32汽车处理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存储器MRAM相结合，为向软件定义汽车演进打造理想的硬件平台。 发表于：5/23/2023 «…86878889909192939495…»
