新品快递 泛林推出业界首创的用于低氟钨填充的原子层沉积工艺 美国加利福尼亚州弗里蒙特市——全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团（纳斯达克股票代码：LRCX）今天宣布推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积 (ALD) 工艺，标志着其业界领先的 ALTUS® 产品系列又添新成员。 发表于：2016/8/11 下午9:59:00 美光科技推出适用于下一代智能手机的移动 3D NAND 解决方案 美国加利福尼亚州圣克拉拉，2016 年 8 月 9日——美光科技有限公司（纳斯达克代码：MU）今日推出了首项适用于移动设备的 3D NAND 存储技术，并推出了基于通用闪存存储 (UFS) 2.1 标准的首批产品。 发表于：2016/8/11 下午9:55:00 R&S推出20GHz多端口矢量网络分析仪ZNBT20 罗德与施瓦茨公司最新推出的R&S ZNBT20是目前市面上唯一的真正具备16端口的微波频段矢量网络分析仪。基于ZNBT8的先进的多端口平台，ZNBT20这一次把频率扩展到了20GHz。ZNBT系列网络分析仪可以快速的测量多端口微波器件，也可以用于快速并行测量多个器件，极大地提高了测试效率。“真正的”多端口网络分析仪（和开关矩阵相比）每个端口的性能指标是没有任何损失的。 发表于：2016/8/11 下午9:52:00 Marvell 扩展其屡获殊荣的SSD产品系列 2016年8月10日，北京讯 – 为存储、云基础设施、物联网（IoT）、互联和多媒体应用提供半导体解决方案的全球领导厂商美满电子科技（Marvell，Nasdaq：MRVL）今日宣布拓展SSD产品线，推出88NV1160高速非易失性闪存（NVMe）DRAM-less SSD控制器。Marvell的88NV1160 DRAM-less SSD控制器提供行业领先的每瓦性能，及高达1600MB/s的读取速度。 发表于：2016/8/11 下午9:21:00 8 通道可配置的 1A 降压型 DC/DC 稳压器 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 8 月 10 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高集成度的通用电源管理解决方案 LTC3374A，该器件适用于需要多个低压电源的系统。 发表于：2016/8/11 下午7:38:00 意法半导体新款的超薄低压降稳压器 中国，2016年8月10日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)推出一款尺寸极小的LDBL20 200mA低压降(LDO)稳压器。新产品采用0.47mm x 0.47mm x 0.2mm晶片级封装，是穿戴式设备、便携设备以及多功能互联智能卡等使用灵活的产品设备的理想选择。 发表于：2016/8/11 下午7:27:00 大联大品佳集团推出车载USB快速充电解决方案 2016年8月11日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于Microchip的UCS100X的车载快速充电解决方案。 发表于：2016/8/11 下午7:06:00 Allegro MicroSystems LLC推出降压/升压控制器 美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems, LLC推出符合汽车级AEC-Q100要求的全新电源管理IC A4450，能够作为降压或降压/升压稳压器高效地将汽车电池电压转换为严格调节的电压，并可在降压和升压模式之间实施无缝切换。这款新器件主要面向汽车、工业和仪器仪表市场，终端应用包括信息娱乐、仪表盘（instrument clusters）、远程信息系统、放大器、以及控制模块等。 发表于：2016/8/11 下午6:52:00 NI将半导体ATE数字功能引入PXI平台 新闻发布 - 2016年8月2日– NIWeek - NI(美国国家仪器公司，National Instruments，简称NI) 作为致力于帮助工程师和科学家应对全球最严峻的工程挑战的平台系统供应商，今日宣布推出了NI PXle-6570基于图形向量的数字通道板卡和NI数字图形向量编辑器。 该产品将射频集成电路、电源管理IC、微机电（MEMS）系统设备以及混合信号IC的制造商从传统半导体自动化测试设备(ATE)的封闭式架构中解放出来。 发表于：2016/8/10 上午11:36:00 Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列 中国，北京，2016年8月9日讯 - Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出了低电容瞬态抑制二极管阵列，该产品专为保护可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备进行了优化。 SP814x系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）集成了四或六个超低电容轨到轨二极管通道以及额外的齐纳二极管，可安全地吸收高于IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别（±8kV接触放电）的反复性ESD放电，而性能不会减退。 发表于：2016/8/9 下午6:48:00 <…306307308309310311312313314315…>
