微波射频相关文章 Vishay新薄膜片式电阻阵列在恶劣环境下亦具有极高可靠性 Vishay推出在恶劣环境下亦具有极高可靠性的新系列薄膜片式电阻阵列。器件采用金端接，具有±0.05%的相对公差和±5ppm/K的相对TCR，可用于导电胶合。 发表于：7/25/2014 IDT DDR4 寄存器发货量达到百万单位标记线 IDT日前宣布，其DDR4 寄存器发货量已超过1 百万件，这是由于即将发布的Intel® Xeon™ 处理器E5-2600 v3 平台对下一代DRAM 模块的需求增长而引致的必然结果。IDT 的DDR4 寄存器是芯片组的一部分，芯片组还包括数据缓冲器和带串行存在检测(SPD) 功能的热敏元件。 同时，它们全体支持驱动下一代企业和数据中心服务器所需的全系列无缓冲双内联内存模块(UDIMM)、寄存DIMM (RDIMM) 和负载降低DIMM (LRDIMM)。 发表于：7/24/2014 基于测向天线的ADS-B信息校验技术研究 针对ADS-B技术存在的抗干扰能力低、容易受到干扰和欺骗的问题，在分析传统的ADS-B信息校验技术的基础上，提出了一种利用无线电测向技术实现ADS-B信息校验的新方法。该方法可以实现ADS-B虚假目标的有效识别。 发表于：7/3/2014 意法半导体(ST)的二极管专利技术可大幅缩减充电器尺寸，并可加快充电速度 意法半导体的新系列场效应整流二极管(FERD)完美解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系，让充电器和笔记本适配器等设备的设计人员在无需使用成本更高的同步整流管的前提下满足要求最严格的能效标准。 发表于：7/1/2014 共形球面阵天线的三维方向图综合算法 在粒子群算法的基础上，吸收了目前主流优化算法的优势并加以改进，得到了一种适用于共形球面阵天线的三维方向图综合算法，该算法针对共形球面阵天线的方向图综合问题，在预先获得天线单元方向图数据的前提下，优化后可以得到三维空间任意指定波束指向及波束宽度的方向图。仿真结果表明：这种三维方向图综合算法可以有效解决共形球面阵天线的方向图综合问题。 发表于：6/25/2014 超高频短路环偶极子抗金属标签的设计与分析 针对射频识别（RFID）标签抗金属性的实际需求，结合短路环偶极子天线辐射能力较强、制造简单、成本低、防静电且适宜阻抗匹配等优点，设计了一类短路环偶极子抗金属标签。设计中将标签天线制作在具有良好辐射特性、成本低廉、材质为FR-4的基板上，减小金属环境吸收电磁波对天线辐射的干扰，使短路环偶极子标签具有抗金属性；同时在短路环偶极子天线中引入阻抗臂，通过阻抗臂对短路环偶极子天线进行阻抗匹配及优化。经过仿真实验及测试其结果表明，所设计标签具有良好的抗金属性和阻抗匹配特性。 发表于：6/25/2014 一种五天线双频点GPS接收机射频前端设计 介绍了一种5路GPS天线同时输入并且可以同时输出2路GPS L1频点中频信号以及5路GPS L2频点中频信号的GPS射频前端系统。该射频前端可以同时处理多路GPS信号，输出的中频信号32级可调，功耗小，抗干扰能力强，特别适合需要同时处理多路信号的GPS接收机系统。 发表于：6/20/2014 北斗/GPS双模射频接收模组的设计与实现 顺应双模或多模卫星导航接收机在民用市场中的发展趋势和需求，结合卫星导航接收机涉及的几个关键技术指标和射频电路设计的基本理论，采用两片MAX2769射频芯片，设计了一款北斗/GPS双模兼容的射频接收模组。实测结果表明，设计的模组性能优越，工作稳定，可以有效应用于商用卫星导航双模兼容接收机的研究中。 发表于：6/19/2014 基于传播模型和候机厅的三维无线定位技术 为了满足航空旅客在机场候机大厅的位置服务需要，同时为了降低AP（Access Point）部署的高度对定位的影响，提出了一种基于信号强度和传播模型的三维定位技术。该方法首先采用最小二乘法确定传播模型的参数，再使用最小均方差实现定位。实验结果表明，该算法的误差在3 m内，准确率达83.36%，能够满足旅客在机场候机厅内位置服务的需要。 发表于：6/16/2014 Molex塑料基板互连(PSI)产品提供快速、可靠的LED板载 (CoB) 阵列灯座连接 Molex公司增添了用于LED板载(Chip-on-Board, CoB)阵列的塑料基板互连(PSI)产品，继续成为固态照明(SSL)互连技术领域的领导厂商。这些可定制的互连产品具有可提供电源的低侧高线束接口，同时提供了简单、可靠的阵列灯座或塑料基板连接。MolexPSI具有~2.00mm的低总体封装高度，实现了适用于空间受限应用的纤细设计，同时最大限度地降低了基板成本。通过使用Pico-EZmate™线束系统，这款解决方案集成了电气和机械特性，具有简单的免焊接LED阵列连接。 发表于：6/6/2014 基于混沌振子和EEMD的周期信号检测方法 针对含强噪声周期信号的检测，提出基于混沌振子结合集合经验模式分解降噪的检测新方法；针对相位差对检测结果的影响，提出正反导入的检测方法，该方法能有效克服由相位差造成的漏检现象。对仿真信号和故障轴承振动信号的检测效果表明,混沌振子结合集合经验模式分解降噪的方法能有效检测含在强噪声中周期信号,进一步提高了混沌振子对周期信号的检测能力和对噪声的免疫力。 发表于：6/6/2014 美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列继续保持在碳化硅解决方案领域的领导地位 致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列─1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用，包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。 发表于：6/3/2014 Ku波段0.18 μm CMOS压控振荡器电路设计 在TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺下设计了一个Ku波段电感电容压控振荡器，该电路采用NMOS交叉耦合型，结合滤波技术降低相位噪声，并利用开关电容阵列为其扩频，使电路获得卓越的性能。后仿真结果表明，该电路实现了10 GHz～14 GHz的宽调频，在整个频带内其相位噪声低于-112 dBc/Hz在1 MHz的偏移处；在1.8 V的电压下，核心电路工作电流为5 mA。 发表于：5/27/2014 Vishay推出业内首款采用2726和4026外形尺寸的 Power Metal Strip®检流电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布业内首款采用2726和4026外形尺寸，工作温度高达+275℃的表面贴装、4接头的Power Metal Strip®检流电阻--- WSLT2726和WSLT4026。Vishay Dale WSLT2726和WSLT4026具有良好的高温性能和3W额定功率，以及低至0.002Ω的极低阻值。 发表于：5/23/2014 Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK® SC-70封装的150V N沟道MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm，在10V下具有业内最低的导通电阻，可通过减少传导和开关损耗，在各种空间受限的应用中提高效率。 发表于：5/9/2014 «…79808182838485868788…»
