微波射频相关文章 Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度 Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky)二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。 发表于：7/4/2013 中国成为富士通FRAM最大市场，电表工控汽车等领域全面开花 近五年之内，一些新型的非易失性存储器技术如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不断涌现，但达到出色市场量产业绩的只有FRAM。那么现如今FRAM在中国的应用进展如何？在哪些更多的应用领域正在取代传统的EEPROM、SRAM和闪存和闪存呢？ 发表于：7/3/2013 意法半导体（ST）过压保护二极管创小型化记录，为移动应用释放更多电路板空间 意法半导体推出全球最小的瞬态电压抑制二极管，为消费电子产品和手持产品内的敏感电子元器件提供过压保护功能。 发表于：4/10/2013 英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY）近日在2013应用电力电子会议暨展览会（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS™ MOSFET器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用，包括刀片服务器和机架服务器、PC主板、笔记本电脑和游戏机等。 发表于：3/27/2013 恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管 智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平无引脚）封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市，它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。 发表于：3/25/2013 德州仪器推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管 日前，德州仪器(TI) 宣布推出一款采用标准表面贴装封装并支持15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用3 个传统肖特基二极管的类似接线盒相比，在典型应用中每个SM74611 不但可将功耗锐降80%，而且还可将接线盒内的工作温度降低50 摄氏度。 发表于：3/18/2013 Everspin推出带Quad SPI接口的1Mb串行MRAM器件 Everspin科技公司今天宣布推出一款带有Quad SPI接口的1Mb全新串行MRAM器件 ——MR10Q010。Quad SPI有4个串行I/O通路，从一个串行I/O通路的SPI发展而来。MRAM和Quad SPI的结合让用户可以充分运用超高的写速度，彻底摒弃了Flash或EEPROM器件必须经历的写延时。MR10Q010拥有一个52MBps读/写带宽的104MHz时钟速度，Everspin期待它用在需要高频率、高速写入重要数据的应用中。MR10Q010体现了Everspin磁性RAM（MRAM）的所有优点 —— 最快的非易失性随机访问存储器，具有超强的可靠性。 发表于：3/5/2013 德州仪器栅极驱动器旨在满足 IGBT 与 SiC FET 设计需求 日前，德州仪器(TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管(IGBT) 与碳化硅(SiC) FET 的35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新UCC27531 与UCC27532 输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力，以充分满足太阳能DC/AC 逆变器、不间断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。 发表于：3/4/2013 电源设计小贴士 50：铝电解电容器常见缺陷的规避方法 因其低成本的特点，铝电解电容器一直都是电源的常用选择。但是，它们寿命有限，且易受高温和低温极端条件的影响。铝电解电容器在浸透电解液的纸片两面放置金属薄片。这种电解液会在电容器寿命期间蒸发，从而改变其电气属性。如果电容器失效，其会出现剧烈的反应：电容器中形成压力，迫使它释放出易燃、腐蚀性气体。 发表于：2/26/2013 英飞凌选用汉高新型导热膏——导热性能更出色的TIM 功率半导体的功率密度日益提高，因此，必须早在其设计阶段就将散热管理功能集成到当今的功率半导体中。只有这样，它们才能确保实现长期的可靠散热。其中一个技术瓶颈是功率器件和散热器之间的导热膏。在高功率密度的情况下，目前所用材料往往不能满足与日俱增功率密度的提高。在寻求解决方案的过程中，英飞凌科技股份公司选中了汉高电子材料提供的TIM材料。现在，汉高进一步推出一种专门针对功率半导体模块而优化的导热膏。 发表于：2/26/2013 意法半导体（ST）与阿姆斯特丹大学理工学院合作追踪鸟类飞行记录 意法半导体与阿姆斯特丹（UvA）大学理工学院携手宣布，该大学研发的先进鸟类追踪系统采用了意法半导体的先进MEMS传感技术。 发表于：2/22/2013 瑞萨电子发布拥有世界顶级超高开关速度，且集成IGBT栅极驱动保护功能的光电耦合器 全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今天宣布发布两款带有集成绝缘栅门极晶体管（IGBT）[注释1]保护功能的全新光电耦合器：PS9332L 和PS9332L2，这两款光电耦合器适用于工业机械和太阳能系统等应用条件。 发表于：2/5/2013 瑞萨电子宣布推出适用于功率效率更高、紧凑型服务器电源的低通态电阻功率MOSFET 全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）于今天宣布推出三种新型的低通态电阻MOSFET 产品，包括在网络服务器和存储系统内的电源装置中作为ORing [注释3] FET使用的 µPA2766T1A。 发表于：2/4/2013 Avago Technologies推出新一代智能门驱动光电耦合器 有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出一款高度集成的新智能门驱动光电耦合器产品，ACPL-339J为面向MOSFET缓冲器高电压和低电压侧门驱动应用进行优化，具有双输出的1A电流输出门驱动光电耦合器，ACPL-339J内置定时主动控制电路，可以避免交越传导并极小化MOSFET缓冲电路的开关损耗。 发表于：2/1/2013 Vishay推出可承受12kV高压浪涌的业内首款轴向水泥绕线电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列轴向水泥绕线电阻---Z300-C系列，是业内首个具有12kV定制高压浪涌承受能力的器件。 发表于：1/29/2013 «…83848586878889909192…»
