微波射频相关文章 Vishay的新款MOS势垒肖特基整流器具有10A和15A器件中业内最低的正向压降 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高电流密度的50V TMBS®Trench MOS势垒肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。这两款器件是业内首批在10A和15A下的典型正向压降低至0.40V和0.41V，兼具优化的漏电流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封装，可用于智能手机和平板电脑的充电器。 发表于：9/5/2013 意法半导体(ST)发布拥有顶级性能的MEMS加速度计， 提升丰富的用户体验 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、世界最大的MEMS产品制造商、世界最大的消费电子及便携设备MEMS传感器供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）日前发布了最新的高性能3轴MEMS加速度计LIS344AHH。新产品拥有达±18g的满量程、高带宽、低噪声、高机械稳定性和热稳定性，可提升游戏、用户界面和增强实境的用户体验，以及工业控制和碰撞监视的性能。 发表于：9/3/2013 Molex扩展Stac64产品系列推出14回路混合连接系统 全球领先的全套互连产品供应商Molex公司扩展其Stac64™产品系列，推出14回路混合连接系统，Stac64混合连接系统由一个14回路混合插座连接器和14回路垂直和直角接头构成，以期满足日益增长的扩展汽车和商业车辆中车载功能的端接需求。典型应用包括车载娱乐系统、内部照明和导航、电动座椅和车门区域模块，以及仪表板群组。 发表于：9/2/2013 美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5” SATA SLC固态驱动器应对数据存储安全威胁 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)发布全球唯一的安全性0.5 TB (half-terabyte) 固态驱动器(solid state drive, SSD)产品，用于移动视频监控运作、存储域网络(SAN)和其它需要出色的实时数据保护的大容量存储应用。坚固耐用的TRRUST-Stor™ Series 200 2.5” SATA SSD在持续的200 MB/s速率下运作，并且提供低于10s的业界最快速完全硬件基础擦除时间，这款自加密0.5TB SSD现在可以供货，目前付运至数家客户，用于支持需要大容量安全存储能力的应用。 发表于：8/29/2013 意法半导体(ST)进一步扩大市场领先的MEMS产品组合，推出世界最小的电子罗盘模块，实现更顺畅且更智能的功能 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM），利用其先进MEMS技术在一个封装内整合3轴加速度计和3轴磁力计，成功开发出世界上最小的电子罗盘模块。 发表于：8/1/2013 一种基于闪存固态盘的内存交换区空间分配方案 针对闪存固态盘语义缺失特性，提出了一种带有语义感知的交换区空间分配方案，减少了交换系统中Trim命令的使用次数，进而减少内存交换系统中的时间开销，提高程序运行的性能。 发表于：7/30/2013 Molex MX150 非密封连接器系统以经过现场验证的MX150 端子系统为基础，采用成本设计方法构建 全球领先的全套互连产品供应商Molex公司推出用于汽车工业直接连接或同轴(in-line)中等功率车身电子应用的MX150™非密封连接器系统，用于内部照明、控制台、梳妆镜、座椅和门锁等空间受限场合。新型非密封连接系统使用目前获得众多线束制造商部署使用及经过现场验证的Molex MX150端子设计，较传统USCAR 1.50mm接口显着节省空间。 发表于：7/15/2013 Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度 Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基(Schottky)二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。 发表于：7/4/2013 中国成为富士通FRAM最大市场，电表工控汽车等领域全面开花 近五年之内，一些新型的非易失性存储器技术如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不断涌现，但达到出色市场量产业绩的只有FRAM。那么现如今FRAM在中国的应用进展如何？在哪些更多的应用领域正在取代传统的EEPROM、SRAM和闪存和闪存呢？ 发表于：7/3/2013 意法半导体（ST）过压保护二极管创小型化记录，为移动应用释放更多电路板空间 意法半导体推出全球最小的瞬态电压抑制二极管，为消费电子产品和手持产品内的敏感电子元器件提供过压保护功能。 发表于：4/10/2013 英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY）近日在2013应用电力电子会议暨展览会（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS™ MOSFET器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用，包括刀片服务器和机架服务器、PC主板、笔记本电脑和游戏机等。 发表于：3/27/2013 恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm无引脚封装的低VCEsat双晶体管 智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平无引脚）封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市，它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。 发表于：3/25/2013 德州仪器推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管 日前，德州仪器(TI) 宣布推出一款采用标准表面贴装封装并支持15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用3 个传统肖特基二极管的类似接线盒相比，在典型应用中每个SM74611 不但可将功耗锐降80%，而且还可将接线盒内的工作温度降低50 摄氏度。 发表于：3/18/2013 Everspin推出带Quad SPI接口的1Mb串行MRAM器件 Everspin科技公司今天宣布推出一款带有Quad SPI接口的1Mb全新串行MRAM器件 ——MR10Q010。Quad SPI有4个串行I/O通路，从一个串行I/O通路的SPI发展而来。MRAM和Quad SPI的结合让用户可以充分运用超高的写速度，彻底摒弃了Flash或EEPROM器件必须经历的写延时。MR10Q010拥有一个52MBps读/写带宽的104MHz时钟速度，Everspin期待它用在需要高频率、高速写入重要数据的应用中。MR10Q010体现了Everspin磁性RAM（MRAM）的所有优点 —— 最快的非易失性随机访问存储器，具有超强的可靠性。 发表于：3/5/2013 德州仪器栅极驱动器旨在满足 IGBT 与 SiC FET 设计需求 日前，德州仪器(TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管(IGBT) 与碳化硅(SiC) FET 的35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新UCC27531 与UCC27532 输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力，以充分满足太阳能DC/AC 逆变器、不间断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。 发表于：3/4/2013 «…83848586878889909192…»
