微波射频相关文章 LSI闪存卡出货量超十万 再发新品支持横向扩展 LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i闪存卡，进一步扩展了Nytro™产品组合。该闪存卡设计用于对磁盘数量和容量有较高要求的横向扩展服务器和存储环境，其可提供1.6TB的板载闪存容量和16个SAS/SATA连接接口。相对于现有的Nytro MegaRAID闪存卡而言闪存容量翻番，端口数增加4倍。 发表于：4/4/2014 RS独家提供TE Connectivity电阻器套件 中国，北京，2014年4月3日消息 - 全球领先的电子与维修产品高端服务分销商Electrocomponents plc 集团公司（LSE:ECM）旗下的贸易品牌RS Components (RS)宣布独家提供25种电阻器套件。这些套件均基于精选的TE Connectivity固定电阻器系列。 发表于：4/3/2014 Vishay推出精密车用可胶合薄膜片式电阻 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其0805外形尺寸的PATT精密车用薄膜片式电阻现已对外供货。 发表于：4/1/2014 Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 3 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。 发表于：3/28/2014 Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。 发表于：3/27/2014 Vishay发布新款高稳定性薄膜片式电阻实验室样品套件 今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最常用阻值，严格的电阻公差为0.1%，温度系数低至±25ppm/K。TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4) 提供的40个电阻对应E-96系列的所有第4档数值，阻值为51.1Ω～100kΩ。TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)提供的20个电阻对应所有第4档数值，阻值为10Ω～332kΩ。 发表于：3/18/2014 富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功开发出拥有1Mb内存(128K字符X 8位)的全新FRAM产品---MB85RC1MT，是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品，且即日起即可为客户提供样品。 发表于：2/28/2014 Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR闪存 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司今天宣布推出突破性的Spansion® HyperBus™ 接口，它能极大地提高读取性能并减少引脚数量和空间。主要的片上系统（SoC）制造商都正在广泛部署Spansion HyperBus接口。 发表于：2/19/2014 意法半导体(ST)推出新款先进的9轴运动和位置传感器，锁定尺寸更小、更智能的电子产品应用 意法半导体（ST），推出最先进的9轴运动位置传感器模块。新产品将目标应用锁定下一代移动设备和穿戴式装置市场。 发表于：1/23/2014 意法半导体(ST)650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置，可提高安全性、能效并节省空间 意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650V且共阴极或串联配置的整流二极管，可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。 发表于：1/17/2014 Spansion为多图像应用提供业界领先性能的双四路串行闪存 2013年12月19日，中国北京 —— 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司（纽约证交所代码：CODE）今天宣布推出一个新的串行外设接口（SPI）闪存产品家族。为了满足汽车仪表板与工业人机交互界面等多图像应用的需求，该产品家族具备业内最高的读取性能与最小的封装占板面积。Spansion® FL 双四路 SPI 产品家族的启动时间与代码执行时间非常短，快速图片读取性能可达到160MB/s，比目前最快的其他SPI提升240%。 发表于：12/31/2013 Spansion 通过推出行业内最高性能的 1.8V 串行 NOR闪存 扩展其闪存产品种类 2013年12月19日，中国北京 —— 全球行业领先的嵌入式市场闪存解决方案创新厂商Spansion 公司今天推出高性能1.8V NOR闪存：Spansion® FS-S 闪存产品家族，进一步丰富了其高速串行NOR闪存产品线。 发表于：12/31/2013 GreenChip令X电容放电器的功耗降至1毫瓦 恩智浦半导体NXP SemiconductorsN.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布推出GreenChip™ TEA1708——一款用于X电容的自动放电IC，其可在230 V (AC) 下实现1毫瓦的极低功耗。传统电源依靠电阻对用来降低EMI (电磁干扰) 的X电容器进行放电。电源与主电源断开之后，通过TEA1708对X电容进行自动放电，相比采用电阻放电可以降低20 – 30 mW的功耗。 发表于：12/23/2013 意法半导体(ST) 推出新的防潮射频功率晶体管， 加强在射频功率市场的表现 意法半导体推出两款新的防潮射频(RF，radio-frequency）功率晶体管，以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性。 发表于：12/23/2013 意法半导体（ST）“无拖尾电流”600V IGBT突破功率设计限制 意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）IGBT具有平顺、无拖尾电流的关机特性，饱和电压更是低达1.8V，最大工作结温高达175°C，这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率，并简化散热设计和电磁干扰(EMI)设计。 发表于：12/16/2013 «…81828384858687888990…»
