微波射频相关文章 Microchip推出集成MOSFET驱动器的高电压模拟降压PWM控制器， 以及高速、低FOM的MOSFET系列 全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布，推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。该全新脉宽调制（PWM）控制器与配套的低品质因数（FOM）MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计，涵盖了广泛的消费电子和工业应用。这两个全新系列彰显了Microchip对于其实现更高电压、更高效率及行业趋向的更小电源转换系统这一承诺的显著进步。 发表于：11/19/2012 IDT 推出业界最低功率 DDR3 - 1866 内存缓冲芯片用于高性能 LRDIMM 应用 IDT®公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出业界首款低功率DDR3 内存缓冲芯片，可在高达 1866 兆/秒 (MT/s) 的传输速率下运行。通过提升 DDR3 减少负载双列直插内存模块(LRDIMM) 的最高数据传输速率，并使系统制造商获益于更高速度的内存容量，新器件彰显了IDT在内存接口解决方案领域的领导者地位。IDT 的内存缓冲芯片是用于服务器、工作站和存储应用的先进内存子系统的关键组件。 发表于：11/12/2012 FCI为XLerate™系列有源光缆提供CXP连接选项，以提供12通道、150Gb/s传输速度 作为连接器和互连系统的领先制造商，FCI开发了CXP-to-CXP 12X连接方案，可以补充其XLerate™ -12X 系列有源光缆组件的产品线。12-通道光缆组件支持每通道高达12.5Gb/s 的信号传输速率，提供150Gb/s总带宽，以及每厘米线性板长55Gb/s 的速率。XLerate-12X系列 CXP界面支持IEEE802.3ba和Infiniband工业标准。 发表于：11/9/2012 Diodes肖特基二极管节省空间高达66% Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了微型无引线DFN0603封装的肖特基二极管。该30V、0.1A额定值的SDM02U30LP3包含了开关、反向阻断及整流功能，从而满足智能手机与平板电脑等超便携产品更高密度的设计需求。 发表于：10/31/2012 Diodes推出超微型二极管 适用于轻巧便携式产品 Diodes公司 (Diodes Incorporated)推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6.0V 基纳二极管及开关二极管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的规格供应，比采用DFN1006-2封装的同类产品节省70%的印刷电路板空间，并降低40%的离板高度。 发表于：10/25/2012 Fox推出新型XpressO TCXO 全球领先的频率控制解决方案供应商及IDT附属公司Fox Electronics现已推出定制频率达到250MHz的新型TCXO产品XpressO-TC，进一步增强其创新型XpressO低抖动可配置振荡器系列。与所有XpressO振荡器一样，新型TCXO器件能够在十个工作日以内出货，远较竞争产品的标准出货时间优胜。 发表于：10/18/2012 富士通半导体推出基于2.7V-5.5V的宽电压FRAM产品 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止，富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品，为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器FRAM供应商，富士通后续还将根据市场需求推出更大容量的产品。 发表于：10/16/2012 SICK公司IME电感式接近开关 IME系列接近开关是SICK公司根据目前国内市场对接近开关的产品要求而开发出的新一代的接近开关，本土化的设计，本地化的生产，给客户提供了一个最高性价比的产品。 发表于：10/15/2012 德国西克带给您伺服反馈接口的数字化革命—HIPERFACE® DSL 利用创新的抗干扰HIPERFACE®DSL 协议，未来所有的通信都可由两根电缆线实现，而这两根电缆线被整合到电机的动力电缆线中，同时保证绝对稳定、可靠。 发表于：10/15/2012 SICK公司GR18S 圆柱形Mini光电开关 GR18S圆柱形Mini光电开关采用SICK独有的PinPoint类激光光源技术，并提供多种外壳和安装方式，以及IP67的防护等级，尤其适用于生产线上的食品饮料检测、灌装线透明PET瓶检测、包装/塑料/玻璃/陶瓷机械的移动物体检测等。GR18S极具竞争力的性价比致力于为设计和应用提供最大冗余度。 发表于：10/15/2012 国产光通信芯片亟待突围 光通信,顾名思义，光通信是“以光来传送信息”的一种通信方式，其运作原理是在发送端通过装置，将信息转换成光信号，再利用光纤所构成的网络传递该信号。整个光通信产业范畴，包括光纤/光缆、光通信设备(如局域网络设备/电信光传输设备/光通信量测设备)、光通信组件(光主动/被动组件)等，由于光通信产品类别多，产业链长，具有很强的产业带动作用，因此，世界众多国家和地区纷纷导入光纤网络基础建设，促进光通信产业发展。 发表于：10/15/2012 英飞凌成功推出以极具吸引力的性价比实现业界领先效率的 第五代thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管 英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管，壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品，如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起，改进了热特性，并使一个优值系数（Qc x Vf）与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。 发表于：10/10/2012 德州仪器 2.5A 隔离式栅极驱动器延长 1 倍器件使用寿命， 并扩大工作温度范围 日前，德州仪器(TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 与MOSFET 的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。该ISO5500 的输入TTL 逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅(SiO2) 隔离层隔开，与光耦合器及磁性隔离器相比，可将器件使用寿命延长1 倍。该器件与隔离电源配合使用时，可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地，干扰或损坏敏感电路系统，从而提高电子产品的安全性与可靠性。 发表于：10/9/2012 恩智浦扩展高速接口ESD保护产品组合 全球领先的ESD（静电放电）保护器件供应商恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布扩展其电路保护器件范围；这些产品同时具备超低电容和超低钳位电压特性。恩智浦ESD保护产品组合具有出色的ESD耐用保护，超过系统级的IEC61000-4-2第4级标准，包含15款器件，是保护HDMI、MHL、MIPI、DisplayPort、eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信号线的理想之选。 发表于：9/18/2012 意法半导体（ST）发布先进功率MOSFET系列产品, 抓住新兴生态设计标准和绿色能源市场机会 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。 发表于：9/13/2012 «…86878889909192939495…»
