微波射频相关文章 Microchip推出首款5V工作、1 Mb容量和80 Mbps速度的 业内容量最大、速度最快器件，扩展串行SRAM产品组合 全球领先的整合单片机、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布，推出四款业内容量最大、速度最快的新器件，扩展了其串行SRAM产品组合。这些器件还是业内首批5V工作的产品，广泛适用于汽车和工业应用。这些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了产品组合的低功耗和小型8引脚封装，成本较低，10,000片起批量供应。通过四路SPI或SQI™协议可实现高达80 Mbps的速度，为卸载图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频及其他数据密集型功能提供所需的近乎瞬时数据传送及零写入时间。 发表于：8/7/2012 瑞萨电子第七代650V和1250V IGBT建立了一个新的技术标准，可以在工业应用中实现高效的解决方案，如太阳能及工业电机逆变器 瑞萨电子公司(TSE: 6723)，高级半导体解决方案的主要供应商，今天宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）阵列增加13款新产品。新的IGBT包括采用650V电压的RJH/RJP65S系列和采用1250V电压的RJP1CS系列。新的IGBT作为功率半导体器件，用于将DC转换成AC电源的系统中，设计用于对应高电压和大电流的应用，如太阳能发电机和工业电机用功率调节器(功率转换器)。第七代技术，采用增强型薄化晶圆工艺，在传导、开关损耗以及耐受能力之间达到了低损耗平衡，以承受短路情况的发生。 发表于：7/25/2012 英飞凌面向低电压应用的最新防静电二极管，提升消费电子产品的可靠性 英飞凌科技发布了一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。全新±3.3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率，可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。 发表于：7/16/2012 爱特梅尔带有唯一标识符的新型串行EEPROM产品系列 简化设计并降低联网产品成本 微控制器及触摸技术解决方案的领导厂商爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)宣布推出两个新的串行EEPROM产品系列。AT24MAC系列器件具有预编程媒体存取控制(Media Access Control，MAC)/扩展唯一标识符(Extended Unique Identifier，EUI)的节点身份地址，缓减客户对自行对MAC/EUI地址进行编程和维护相关的复杂数据的需求，使得所有类型联网产品的开发更简单、更快速、和更廉宜。AT24CS系列器件包括工厂编程唯一只读序列号，可以帮助客户简化批量生产线的存货控制并增强产品的可追溯性。 发表于：7/13/2012 瑞萨电子推出具有长外部爬电距离（14.5 mm）、符合安全标准要求、需要690 V（或更高）高绝缘电压的光电耦合器 高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今天宣布推出用于逆变器的长爬电距离光电耦合器PS9905，其适用于采用690 V最高商业电源电压的工业设备或者采用1,000 V高压的太阳能发电系统之类的应用。新款PS9905器件是一款外部爬电距离（注释2）为14.5 mm的光电耦合器（化合物半导体，注释1），其超过安全标准（IEC 61800）指定的防止电击等事故发生所需的爬电距离- 13.8 mm。 发表于：7/10/2012 瑞萨电子推出新款超级结MOSFET，具有业界领先的低导通电阻，低栅极电荷并采用快速体二极管，以提高反向恢复的性能 瑞萨电子公司(TSE: 6723)，高级半导体解决方案的主要供应商，今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管（超级结MOSFET）（注1），具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这一行业领先的低导通电阻和低栅极电压的组合平台，同时结合了快速体二极管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE这三款器件有助于提高家用电器电机驱动的效率，如空调等采用带逆变控制的高速电机的家电。 发表于：7/10/2012 Molex为第二代Intel® Core™ CPU提供 LGA 1155插座组件 全球领先的全套互连产品供应商Molex公司现提供触点阵列封装(Land Grid Array，LGA) 1155 Intel® CPU插座组件。LGA 1155 CPU插座又被称为Socket H2插座，设计用于英特尔(Intel)代号为Sandy Bridge的第二代Core™ i7/i5/i3系列台式电脑微处理器。这款1155电路插座是用于Nehalem处理器的LGA 1156(或Socket H1)插座的替代产品。 发表于：6/26/2012 英飞凌推出采用直驱技术的革命性CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件： 让太阳能逆变器的能效达到更高水平 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC（碳化硅）产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。 发表于：6/19/2012 恩智浦推出全球首款2 mm x 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的MOSFET 恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日推出业内首款2 mmx 2 mm、采用可焊性镀锡侧焊盘的超薄DFN （分立式扁平无引脚）封装MOSFET。这些独特的侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无引脚封装相比，焊接连接质量更好。 发表于：6/19/2012 论如何保证硬盘播出系统的安全 分析硬盘播出系统的原理、硬件系统及软件系统组成，阐述了从体系结构方面构建安全的硬盘播出系统，从安全运行方面做好硬盘播出系统的软件系统和硬件系统的维护,总结了保证硬盘播出系统安全的方法和策略。 发表于：6/18/2012 基于EPG3231和闪存的声音播放器设计 提出一种在单片机系统中比较简单地使用大容量 NAND Flash存储器的方法。与一般方法相比，编写应用程序的程序员不需要掌握计算机文件系统的规范，只要按照NAND Flash的读、写、擦除等时序对其进行操作，把NANDFlash当成NOR Flash或SRAM来对待 发表于：6/11/2012 Diodes新型 MOSFET离板高度减半 Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为-25V的P通道器件，体积较同类器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度，较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。 发表于：5/2/2012 基于无线传感网络的智能温室大棚监控系统 针对传统人工采集费时费力和有线监控布线复杂、维护困难的局限性，将传感器与ZigBee无线网络技术相结合，提出了无线传感网络的智能温室大棚监控系统的设计方案。该系统利用ZigBee技术实现对采集数据及信息的无线收发，通过公共网关接口CGI将数据和控制信息传送到互联网。操作人员可从远距离的PC机上实时查看数据、实施控制，从而实现了真正意义的远程监控。 发表于：4/27/2012 基于单片机的无线病房呼叫系统设计 在传统病房呼叫系统的基础上提出一种基于单片机实现的无线病房呼叫系统设计方法，给出了基于单片机和射频通信芯片nRF401而设计的硬件原理图，并对影响无线通信性能的通信协议的设计、数据帧和防信息碰撞方法的实现及混合信号PCB板设计等做了较详细的探讨。 发表于：4/25/2012 瑞萨电子推出低功耗，超小型功率MOSFET，为便携式装置提供更高的功效和更小的封装尺寸 全球领先的半导体和解决方案的主要供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品，理想用于包括智能手机和笔记本在内的便携式电子产品。具有业界领先的低功耗（低导通电阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超紧凑型2 mm× 2 mm封装，从而具有提升的功率效率并实现了小型移动器件封装尺寸的小型化。 发表于：4/19/2012 «…87888990919293949596…»
