美高森美推出用于国防、航天、工业和医疗应用的 高可靠性、低电压齐纳二极管产品

致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布推出全新 1-2.4 V齐纳二极管产品，与标准齐纳二极管相比，提供最高4x的更好的电压调节性能和最高40x的典型泄漏电流改进。

发表于：12/10/2013

贸泽推出TE Connectivity的防尘防潮型DEUTSCH 369连接器

2013年11月28日，贸泽电子 (Mouser Electronics) 现库存TE Connectivity (TE) DEUTSCH 369 系列紧凑型高可靠连接器。这款IP67等级连接器非常适合极端灰尘或高压力及水下环境，可在条件受限或不可视情况下轻松配接。

发表于：11/29/2013

富士通半导体携手武汉力源推出富士通FRAM免费样片申请活动

富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，携手武汉力源信息技术股份有限公司（P&S）推出了富士通铁电存储器(FRAM)免费样片申请活动。本次活动面向广大电子工程师群体，旨在通过本次活动让更多人了解、熟悉富士通半导体的FRAM系列产品。

发表于：11/19/2013

恩智浦推出用于NFC天线的ESD保护二极管

发表于：11/12/2013

瑞萨电子推出全新的先进低功耗SRAM产品 可有效提高用户系统的可靠性

全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723），今日推出了12 款新产品版本的旗舰SRAM（静态随机存取存储器）产品，这些产品属于RMLV0416E、RMLV0414E 及RMLV0408E 系列先进低功耗SRAM（先进LP SRAM）。新推出的存储器设备拥有高达4 兆位（Mb）的密度，并采用极为精密的110 纳米（nm）线宽制造工艺。

发表于：10/22/2013

Vishay推出新款精密薄膜片式电阻实验室样品套件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司现在提供特定精密薄膜片式电阻的实验室样品套件---MCS 0402(LCS 96/4)和MCT 0603(LCT 96/4)套件，帮助工程师开发各种各样电子系统的原型和加快产品上市时间。

发表于：10/16/2013

意法半导体(ST)最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装，节省电路板空间

意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率，同时兼具同级MOSFET的能效，为设计人员提供一个节省空间的低成本的电源管理和DC-DC电源转换器（DC-DC converters）转换解决方案。

发表于：10/15/2013

德州仪器推出最小型 2.5kVrms 数字隔离器件

日前，德州仪器(TI) 宣布推出业界第一个数字隔离器件系列，其可通过5 毫米x 6 毫米小型 QSOP 封装提供2.5 kVrms 的最高隔离额定值。该ISO71xx 系列不仅比传统SOIC 隔离器件小50%，而且还可在相同封装中提供比同类竞争器件高2.5 倍的隔离额定值。在不影响针对较低隔离额定值或EFT 浪涌的保护性能的同时缩小板级空间，在可编程逻辑控制器(PLC) 与传感器等工业自动化应用以及DeviceNet、CAN 与RS-485 等Fieldbus 应用中已变得日益重要。

发表于：10/12/2013

LSI Nytro™ WarpDrive®闪存加速卡显著提高VMware虚拟桌面密度和性能

LSI公司（NASDAQ: LSI）日前宣布，其正与VMware进行密切合作，为部署VMware Horizon View™带来了突破性的虚拟桌面密度。与VMware Horizon View的协作测试采用了单一的LSI® Nytro™ WarpDrive®应用加速卡，可在双节点集群上同时支持200台活动虚拟桌面基础架构（VDI）的工作负载，且不会出现存储延迟。

发表于：9/26/2013

恩智浦NextPowerS3可提供带软恢复功能的超快速开关性能的MOSFET

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平台,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术。NextPowerS3是业界首款能够提供高频率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，而且这种MOSFET没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3 30V的产品适合于各种应用，包括用于通信和云端计算机所需要的高效率电源、高性能便携式计算机电源和电池供电式电机控制，如可充电电动工具。

发表于：9/26/2013

JEDEC® 发布通用闪存标准 （UFS）2.0版

微电子产业全球领导标准制定机构JEDEC固态技术协会今天发布通用闪存（UFS）标准2.0版。该标准专为需要高性能低功耗的移动应用和计算系统而设计。相比前一版本，新的UFS 2.0版提供更大的链路带宽以提高性能，延伸安全功能，并进一步降低功耗。

发表于：9/23/2013

Molex子公司 Polymicro改进用于深紫外线应用的FDP光纤产品

全球领先的全套互连产品供应商Molex公司子公司Polymicro Technologies最近宣布提升其FDP光纤产品，最新的性能提升改进了光纤产品在深紫外线应用(190nm - 325nm)中的曝晒。

发表于：9/18/2013

德路推出用于智能消费设备微透镜的新型高科技材料

德路工业胶粘剂公司开发了新型的、用于透镜生产的光固化环氧树脂和丙烯酸酯。用于微透镜的创新型光学材料对全球消费电子产业来说具有划时代意义，因为这些材料最大程度满足了微光学系统所有的质量要求，并且使快速和低成本生产成为可能。如今，高科技透镜应用于阵列相机、手机、LED闪光灯以及3D屏幕中。

发表于：9/6/2013

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

发表于：9/6/2013

LSI发布SandForce闪存控制器创新技术

LSI 公司(NASDAQ: LSI)发布其最新LSI®SandForce®闪存控制器的创新技术，并在近期举行的美国加州闪存存储器峰会上进行了演示。

发表于：9/5/2013