微波射频相关文章 Microchip推出用于DDR4 SDRAM模块的4 Kb串行存在检测EEPROM器件 全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出新一代4 Kb I2C™串行存在检测（Serial Presence Detect，简称SPD）EEPROM器件34AA04。新器件专门设计用于支持高速PC和笔记本电脑中的新一代双倍数据数率4（Double Data Rate 4，简称DDR4）SDRAM模块，同时也支持上一代DDR2/3平台。 发表于：4/22/2014 Vishay发布用于医疗电子和高端音响的新系列绕线电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出可用于医疗成像设备和高端音响的新系列无磁、无感轴向引线的绕线电阻---MRA系列，电阻的功率等级高达12W，可在+350℃高温下工作。 发表于：4/18/2014 Vishay推出对环境友好的金属化聚丙烯膜电容器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布用于DC-link应用的新款环境友好的金属化聚丙烯膜电容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范围、小尺寸占位，电压等级从500V到1200V。 发表于：4/16/2014 意法半导体(ST) 最新的I2C串口EEPROM采用业内领先的微型轻量封装，让便携式显示器进一步瘦身 意法半导体推出最新的面积仅为1.4mmx 1.7mm的新款UFDFPN5，将串口EEPROM的微型化提高到一个新的水平。 发表于：4/11/2014 LSI Nytro新品支持横向扩展 LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i闪存卡，进一步扩展了Nytro™产品组合。该闪存卡设计用于对磁盘数量和容量有较高要求的横向扩展服务器和存储环境，其可提供1.6TB的板载闪存容量和16个SAS/SATA连接接口。相对于现有的Nytro MegaRAID闪存卡而言闪存容量翻番，端口数增加4倍。 发表于：4/10/2014 意法半导体(ST) 最新的I2C串口EEPROM采用业内领先的微型轻量封装，让便携式显示器进一步瘦身 意法半导体推出最新的面积仅为1.4mm x 1.7mm的新款UFDFPN5，将串口EEPROM的微型化提高到一个新的水平。 发表于：4/10/2014 Vishay新款精密薄膜片式电阻功率等级达2W 发表于：4/10/2014 Molex开发用于现今薄屏LED电视和监视器的唯一单一连接器解决方案 Molex 公司推出IllumiMate™ 1.00 和1.25 mm 间距线对板连接器系统，与目前市场上任何类似连接器系统相比，可为现今平板LED电视和PC监视器制造商提供更多的接插方式、额定电压、电路尺寸和锁定类型。IllumiMate产品系列通过提供单一系统，让设备制造商围绕单一连接器类型和PCB占位面积图形设计各种不同的模型。 发表于：4/10/2014 LSI闪存卡出货量超十万 再发新品支持横向扩展 LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出Nytro MegaRAID® 8140-8e8i闪存卡，进一步扩展了Nytro™产品组合。该闪存卡设计用于对磁盘数量和容量有较高要求的横向扩展服务器和存储环境，其可提供1.6TB的板载闪存容量和16个SAS/SATA连接接口。相对于现有的Nytro MegaRAID闪存卡而言闪存容量翻番，端口数增加4倍。 发表于：4/4/2014 RS独家提供TE Connectivity电阻器套件 中国，北京，2014年4月3日消息 - 全球领先的电子与维修产品高端服务分销商Electrocomponents plc 集团公司（LSE:ECM）旗下的贸易品牌RS Components (RS)宣布独家提供25种电阻器套件。这些套件均基于精选的TE Connectivity固定电阻器系列。 发表于：4/3/2014 Vishay推出精密车用可胶合薄膜片式电阻 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其0805外形尺寸的PATT精密车用薄膜片式电阻现已对外供货。 发表于：4/1/2014 Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录 宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 3 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。 发表于：3/28/2014 Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。 发表于：3/27/2014 Vishay发布新款高稳定性薄膜片式电阻实验室样品套件 今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最常用阻值，严格的电阻公差为0.1%，温度系数低至±25ppm/K。TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4) 提供的40个电阻对应E-96系列的所有第4档数值，阻值为51.1Ω～100kΩ。TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)提供的20个电阻对应所有第4档数值，阻值为10Ω～332kΩ。 发表于：3/18/2014 富士通半导体推出拥有1Mb内存的全新FRAM器件 富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，成功开发出拥有1Mb内存(128K字符X 8位)的全新FRAM产品---MB85RC1MT，是所有富士通半导体I2C串行接口产品中最高内存容量的产品，且即日起即可为客户提供样品。 发表于：2/28/2014 «…80818283848586878889…»
