微波射频相关文章 电源设计小贴士 50：铝电解电容器常见缺陷的规避方法 因其低成本的特点，铝电解电容器一直都是电源的常用选择。但是，它们寿命有限，且易受高温和低温极端条件的影响。铝电解电容器在浸透电解液的纸片两面放置金属薄片。这种电解液会在电容器寿命期间蒸发，从而改变其电气属性。如果电容器失效，其会出现剧烈的反应：电容器中形成压力，迫使它释放出易燃、腐蚀性气体。 发表于：2/26/2013 英飞凌选用汉高新型导热膏——导热性能更出色的TIM 功率半导体的功率密度日益提高，因此，必须早在其设计阶段就将散热管理功能集成到当今的功率半导体中。只有这样，它们才能确保实现长期的可靠散热。其中一个技术瓶颈是功率器件和散热器之间的导热膏。在高功率密度的情况下，目前所用材料往往不能满足与日俱增功率密度的提高。在寻求解决方案的过程中，英飞凌科技股份公司选中了汉高电子材料提供的TIM材料。现在，汉高进一步推出一种专门针对功率半导体模块而优化的导热膏。 发表于：2/26/2013 意法半导体（ST）与阿姆斯特丹大学理工学院合作追踪鸟类飞行记录 意法半导体与阿姆斯特丹（UvA）大学理工学院携手宣布，该大学研发的先进鸟类追踪系统采用了意法半导体的先进MEMS传感技术。 发表于：2/22/2013 瑞萨电子发布拥有世界顶级超高开关速度，且集成IGBT栅极驱动保护功能的光电耦合器 全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今天宣布发布两款带有集成绝缘栅门极晶体管（IGBT）[注释1]保护功能的全新光电耦合器：PS9332L 和PS9332L2，这两款光电耦合器适用于工业机械和太阳能系统等应用条件。 发表于：2/5/2013 瑞萨电子宣布推出适用于功率效率更高、紧凑型服务器电源的低通态电阻功率MOSFET 全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）于今天宣布推出三种新型的低通态电阻MOSFET 产品，包括在网络服务器和存储系统内的电源装置中作为ORing [注释3] FET使用的 µPA2766T1A。 发表于：2/4/2013 Avago Technologies推出新一代智能门驱动光电耦合器 有线、无线和工业应用模拟接口零组件领先供应商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出一款高度集成的新智能门驱动光电耦合器产品，ACPL-339J为面向MOSFET缓冲器高电压和低电压侧门驱动应用进行优化，具有双输出的1A电流输出门驱动光电耦合器，ACPL-339J内置定时主动控制电路，可以避免交越传导并极小化MOSFET缓冲电路的开关损耗。 发表于：2/1/2013 Vishay推出可承受12kV高压浪涌的业内首款轴向水泥绕线电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列轴向水泥绕线电阻---Z300-C系列，是业内首个具有12kV定制高压浪涌承受能力的器件。 发表于：1/29/2013 TT electronics电阻系列产品全面增强浪涌和脉冲保护能力 TT electronics公司推出全面的绕线电阻系列，具有范围从2W至7W的业界最高额定浪涌能量。WHS系列防燃电阻适用于广泛的脉冲应用，特别瞄准需要线路输入电阻来实现启动电流限制和保护的电源设计人员的需求。 发表于：1/25/2013 美高森美扩展碳化硅(SiC)功率模块产品系列 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide，SiC)标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。该功率模块系列还提供了更宽的温度范围，以期满足下一代功率转换系统对更高的功率密度、工作频率和效率的要求。 发表于：1/25/2013 恩智浦推出针对热插拔应用的新一代功率MOSFET 凭借在功率MOSFET领域的领先地位，恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日推出了其NextPower Live产品组合，设计出专门用于“热插拔”环境的全新线性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同时提供出色的线性模式性能和极低的RDS（on）值，该独特组合展示了恩智浦在该领域的技术能力。 发表于：1/24/2013 残留频差对自适应阵列天线的影响 自适应阵列天线可以通过数字下变频实现信号正交化，把中频数字信号转换到零中频，然后进行加权求和。分析了变频过程中因没有进行载波同步所导致的残留频差对自适应阵列天线算法的影响。通过详细的理论分析表明，只要上、下变频采用相同本振，残留频差对算法并没有影响，即使对带通采样系统，该结论同样成立。对频谱、阵列增益的仿真证明了理论分析的正确性。 发表于：1/23/2013 Vishay推出新款MICROTAN®片式钽电容器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于空间受限的消费电子产品的新系列模塑MICROTAN®片式钽电容器--- TL8。该系列器件使用高容量效率的封装方案，提供业内最高的容量电压等级在高度0.8mm～1.0mm的低外形0805尺寸的器件。 发表于：1/22/2013 Diodes新型直流/直流转换器提升轻载效率 Diodes公司(Diodes Incorporated) 为了让电子产品能达到轻载及待机状态能源效率标准，推出AP65200同步直流/直流降压转换器。该转换器在200mA轻载下的效率可高达96%，即使负载低至20mA仍能维持70%以上的效率。该转换器具有高集成度，需要很少的外部元件，适合于电视、显示屏及机顶盒等消费性电子产品内的分布式供电架构。 发表于：1/17/2013 Vishay新款表面贴装TRANSZORB®双向TVS具有3kW的高浪涌能力 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用SMC DO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB®双向瞬态电压抑制器(TVS)--- SMC3K。该系列器件在10/1000μs下的浪涌能力达到3kW，可用于汽车和电信应用。 发表于：1/15/2013 电源设计小贴士 49：多层陶瓷电容器常见小缺陷的规避方法 因其小尺寸、低等效串联电阻(ESR)、低成本、高可靠性和高纹波电流能力，多层陶瓷(MLC) 电容器在电源电子产品中变得极为普遍。一般而言，它们用在电解质电容器 leiu中，以增强系统性能。相比使用电解电容器铝氧化绝缘材料时相对介电常数为 10 的电解质，MLC 电容器拥有高相对介电常数材料(2000-3000) 的优势。这一差异很重要，因为电容直接与介电常数相关。在电解质的正端，设置板间隔的氧化铝厚度小于陶瓷材料，从而带来更高的电容密度。 发表于：1/15/2013 «…84858687888990919293…»
