微波射频相关文章 TT electronics电阻系列产品全面增强浪涌和脉冲保护能力 TT electronics公司推出全面的绕线电阻系列，具有范围从2W至7W的业界最高额定浪涌能量。WHS系列防燃电阻适用于广泛的脉冲应用，特别瞄准需要线路输入电阻来实现启动电流限制和保护的电源设计人员的需求。 发表于：1/25/2013 美高森美扩展碳化硅(SiC)功率模块产品系列 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide，SiC)标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。该功率模块系列还提供了更宽的温度范围，以期满足下一代功率转换系统对更高的功率密度、工作频率和效率的要求。 发表于：1/25/2013 恩智浦推出针对热插拔应用的新一代功率MOSFET 凭借在功率MOSFET领域的领先地位，恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)（纳斯达克代码：NXPI）近日推出了其NextPower Live产品组合，设计出专门用于“热插拔”环境的全新线性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同时提供出色的线性模式性能和极低的RDS（on）值，该独特组合展示了恩智浦在该领域的技术能力。 发表于：1/24/2013 残留频差对自适应阵列天线的影响 自适应阵列天线可以通过数字下变频实现信号正交化，把中频数字信号转换到零中频，然后进行加权求和。分析了变频过程中因没有进行载波同步所导致的残留频差对自适应阵列天线算法的影响。通过详细的理论分析表明，只要上、下变频采用相同本振，残留频差对算法并没有影响，即使对带通采样系统，该结论同样成立。对频谱、阵列增益的仿真证明了理论分析的正确性。 发表于：1/23/2013 Vishay推出新款MICROTAN®片式钽电容器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于空间受限的消费电子产品的新系列模塑MICROTAN®片式钽电容器--- TL8。该系列器件使用高容量效率的封装方案，提供业内最高的容量电压等级在高度0.8mm～1.0mm的低外形0805尺寸的器件。 发表于：1/22/2013 Diodes新型直流/直流转换器提升轻载效率 Diodes公司(Diodes Incorporated) 为了让电子产品能达到轻载及待机状态能源效率标准，推出AP65200同步直流/直流降压转换器。该转换器在200mA轻载下的效率可高达96%，即使负载低至20mA仍能维持70%以上的效率。该转换器具有高集成度，需要很少的外部元件，适合于电视、显示屏及机顶盒等消费性电子产品内的分布式供电架构。 发表于：1/17/2013 Vishay新款表面贴装TRANSZORB®双向TVS具有3kW的高浪涌能力 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用SMC DO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB®双向瞬态电压抑制器(TVS)--- SMC3K。该系列器件在10/1000μs下的浪涌能力达到3kW，可用于汽车和电信应用。 发表于：1/15/2013 电源设计小贴士 49：多层陶瓷电容器常见小缺陷的规避方法 因其小尺寸、低等效串联电阻(ESR)、低成本、高可靠性和高纹波电流能力，多层陶瓷(MLC) 电容器在电源电子产品中变得极为普遍。一般而言，它们用在电解质电容器 leiu中，以增强系统性能。相比使用电解电容器铝氧化绝缘材料时相对介电常数为 10 的电解质，MLC 电容器拥有高相对介电常数材料(2000-3000) 的优势。这一差异很重要，因为电容直接与介电常数相关。在电解质的正端，设置板间隔的氧化铝厚度小于陶瓷材料，从而带来更高的电容密度。 发表于：1/15/2013 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT®封装 发表于：1/14/2013 Marvell推出DragonFly NVDRIVE PCIe SSD高速缓存加速器 全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技（Marvell，NASDAQ: MRVL）今日宣布，推出交钥匙型企业级PCIe SSD高速缓存解决方案Marvell® DragonFly™ NVDRIVE，该解决方案具备内置的SSD模块，扩展了Marvell获奖的DragonFly NVCACHE和NVRAM适配器产品系列的功能，这两种适配器产品是去年8月首次发布的。DragonFly NVDRIVE面向大规模互联网和云计算数据中心，极大地扩展了裸机和虚拟化服务器应用的规模，其中包括Web服务器、OLTP和分析数据库以及NoSQL和分布式大数据应用。 发表于：1/6/2013 东芝半导体 & 存储产品公司获得ISO 14001综合认证 东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布，其半导体& 存储产品公司(S&S Co.)的全球运营基地于10月底获得了ISO 140011综合认证。 发表于：12/27/2012 WEBENCH工具与光电探测器稳定性 WEBENCH设计器工具拥有强大的软件算法和可视界面，可在数秒内生成完整的电源、照明和传感检测应用。这种功能，可让用户在进行设计以前进行系统和供应链层面的价值比较。WEBENCH 环境中内嵌了众多工具，其中之一便是“传感设计器”的光电二极管部分。本文将专门为您介绍WEBENCH 传感设计器的嵌入式光电二极管电路稳定性。 发表于：12/26/2012 Vishay推出新款Power Metal Strip®电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip®电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。 发表于：12/20/2012 TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管，可使放大器尺寸减小50% 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓(GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供30-37W (CW) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。 发表于：12/18/2012 TE CONNECTIVITY推出符合RAST标准的新型PCB连接器，支持大部分工业和安全标准 TE Connectivity（TE）今天宣布扩展其符合RAST标准的PCB（印刷电路板）连接器产品系列，以支持大部分工业和家用电器的安全标准。扩展后的产品组合将涵盖多种尺寸、颜色、焊脚布局和电镀选择，新型TE PCB连接器是主要家用电器及其他线对板连接器和控制装置应用的理想之选。 发表于：12/6/2012 «…84858687888990919293…»
